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英飛凌攜手Enphase通過(guò)600 V CoolMOS? 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本

2025-03-27
來(lái)源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 Enphase MOSFET

【2025年3月27日, 德國(guó)慕尼黑訊】Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的 600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)(SJ)MOSFET產(chǎn)品系列,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽(yáng)能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過(guò)使用600 V CoolMOS? 8 SJ,Enphase顯著降低了其太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)的 MOSFET 內(nèi)阻(RDS(on)),進(jìn)而減少了導(dǎo)通損耗,提高了整體設(shè)備效率和電流密度,而且還節(jié)省了與MOSFET相關(guān)的成本。

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英飛凌科技高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Richard Kuncic表示:“我們很高興與Enphase合作,支持他們致力于完成提供創(chuàng)新太陽(yáng)能解決方案的使命。英飛凌的600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET專為以極低成本提供卓越的效率和可靠性而設(shè)計(jì),這與Enphase和英飛凌通過(guò)提高可再生能源技術(shù)的性能和經(jīng)濟(jì)性的承諾相吻合,從而進(jìn)一步推動(dòng)低碳化。” 

Enphase Energy高級(jí)副總裁兼系統(tǒng)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Aaron Gordon表示:“通過(guò)與英飛凌合作,Enphase利用CoolMOS? 8 SJ MOSFET技術(shù)提高了自身微型逆變器系統(tǒng)的性能和經(jīng)濟(jì)性。該合作展現(xiàn)了我們?cè)谔?yáng)能行業(yè)追求創(chuàng)新與卓越的決心。我們很高興能以極低的成本為客戶大幅提升電流功率密度?!?nbsp;

英飛凌最新推出的600 V CoolMOS? 8 MOFET在全球高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,為全球樹立了技術(shù)和性價(jià)比的標(biāo)準(zhǔn)。該技術(shù)提高了充電器和適配器、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電和不間斷電源(UPS) 等應(yīng)用的整體系統(tǒng)性能,進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化。 

CoolMOS? 8 SJ MOSFET 的柵極電荷較CFD7降低了18%,較P7系列降低了33%。柵極電荷的降低減少了MOSFET 的柵極從關(guān)斷狀態(tài)(非導(dǎo)通)切換到導(dǎo)通狀態(tài)(導(dǎo)通)所需的電荷,使系統(tǒng)更加節(jié)能。此外,CoolMOS? 8 SJ MOSFET擁有更快的關(guān)斷時(shí)間,其熱性能較上一代產(chǎn)品提高了14%至42%。該產(chǎn)品集成快速體二極管,并提供SMD-QDPAK、TOLL和Thin-TOLL 8x8封裝,適用于各種消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用。

 

供貨情況

600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 和 650 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET產(chǎn)品組合擴(kuò)展樣品將從四月初開始供應(yīng)。

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