中文引用格式: 劉甲俊,李飛,陳榮昕,等. 一種帶短路保護(hù)的磁隔離IGBT驅(qū)動(dòng)架構(gòu)[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,2025,51(3):44-48.
英文引用格式: Liu Jiajun,Li Fei,Chen Rongxin,et al. A magnetic isolation IGBT driver architecture with short circuit protection[J]. Application of Electronic Technique,2025,51(3):44-48.
引言
絕緣柵雙極性晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)因?yàn)榫哂休斎胱杩垢摺㈤_關(guān)損耗小和飽和壓降低等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用[1-3]。但是IGBT柵極寄生電容大,導(dǎo)通電壓高[4-5],傳統(tǒng)微控制器無(wú)法直接驅(qū)動(dòng)IGBT。并且IGBT主要工作在高壓和大電流的環(huán)境中,常發(fā)生短路故障使其退出飽和區(qū),造成器件過(guò)流而發(fā)生損壞。另外IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用在IGBT和控制器之間,為防止高壓側(cè)發(fā)生故障對(duì)人體和設(shè)備造成傷害,驅(qū)動(dòng)器需要有較高的隔離耐壓。因此為了提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性,需要一種帶短路保護(hù)和高隔離耐壓的驅(qū)動(dòng)架構(gòu),有足夠高的導(dǎo)通電壓驅(qū)動(dòng)IGBT,當(dāng)IGBT發(fā)生短路故障退出飽和區(qū)時(shí),能夠迅速地關(guān)斷IGBT,并且能夠抑制關(guān)斷期間產(chǎn)生的柵極電壓和集電極電壓尖峰,同時(shí)要將短路故障信號(hào)從高壓側(cè)傳回到低壓側(cè)完成短路故障監(jiān)測(cè)。
文獻(xiàn)[6-7]提出了一種帶短路保護(hù)電路的IGBT驅(qū)動(dòng)架構(gòu),利用一個(gè)低阻值電阻串聯(lián)在IGBT的發(fā)射極實(shí)現(xiàn)短路檢測(cè),該架構(gòu)不能抑制關(guān)斷期間產(chǎn)生的柵極和集電極電壓尖峰,并且無(wú)隔離功能。文獻(xiàn)[8-9]提出一種帶短路保護(hù)的光耦隔離IGBT驅(qū)動(dòng)架構(gòu),該驅(qū)動(dòng)架構(gòu)采用光耦隔離,完成對(duì)IGBT去飽和檢測(cè)的同時(shí)又能抑制尖峰電壓,但是該架構(gòu)集成的軟關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng),并且光耦隨時(shí)間會(huì)發(fā)生老化,可靠性較差。文獻(xiàn)[10]提出一種帶短路保護(hù)的電容隔離IGBT驅(qū)動(dòng)架構(gòu),具有去飽和檢測(cè)電路,并且采用電容隔離解決了光耦隔離發(fā)生老化的問(wèn)題,但是該架構(gòu)沒(méi)有柵極和集電極電壓尖峰保護(hù)電路,IGBT在關(guān)斷期間存在擊穿風(fēng)險(xiǎn),并且電容隔離傳輸速度慢,對(duì)噪聲的抑制能力較差。
針對(duì)上述問(wèn)題,本文設(shè)計(jì)一種帶短路保護(hù)的雙通道磁隔離IGBT驅(qū)動(dòng)架構(gòu),該架構(gòu)在典型條件下具有15 V的驅(qū)動(dòng)電壓,并且具有去飽和檢測(cè)電路、米勒鉗位電路和軟關(guān)斷功能。并且設(shè)計(jì)兩個(gè)數(shù)字隔離信號(hào)通道,分別傳輸控制信號(hào)和去飽和故障信號(hào),當(dāng)檢測(cè)到IGBT發(fā)生短路故障后可以迅速關(guān)斷IGBT,并將故障信號(hào)通過(guò)故障反饋通道傳回到前級(jí)控制器,以便對(duì)故障做出響應(yīng)。另外通過(guò)米勒鉗位電路和軟關(guān)斷抑制關(guān)斷期間產(chǎn)生的柵極和集電極電壓尖峰,確保IGBT安全關(guān)斷,并采用無(wú)磁芯變壓器技術(shù)將高壓側(cè)和低壓控制側(cè)進(jìn)行電氣隔離,克服了光耦發(fā)生老化和電容傳輸速率低和對(duì)噪聲抑制能力差的缺點(diǎn)。
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作者信息:
劉甲俊,李飛,陳榮昕,鄧玉清,肖培磊
(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所,江蘇 無(wú)錫 204135)