東芝推出高速導(dǎo)通小型光繼電器
2025-02-24
來(lái)源:東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
中國(guó)上海,2025年2月20日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”,具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時(shí)間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
新型光繼電器通過(guò)提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測(cè)器(光電二極管陣列)的設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高效的光耦合,將導(dǎo)通時(shí)間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %,TLP3431S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。
此外,當(dāng)輸出打開(kāi)時(shí),這兩款產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻會(huì)影響信號(hào)衰減(TLP3414S:最大值3 Ω,TLP3431S:最大值1.2 Ω);當(dāng)輸出關(guān)閉時(shí),輸出電容會(huì)影響高頻信號(hào)泄漏(兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF)。新產(chǎn)品與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]相當(dāng),確保了穩(wěn)定的信號(hào)傳輸。
新產(chǎn)品適用于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備中的引腳電子[3]應(yīng)用,可在開(kāi)關(guān)信號(hào)的同時(shí)以高精度高速測(cè)量待測(cè)設(shè)備(DUT)。
新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %,有助于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備和其他設(shè)備的小型化。
東芝將繼續(xù)提供更多高性能產(chǎn)品,以滿足半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備對(duì)更高性能和更快速度的需求。
應(yīng)用:
-半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備(高速存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備、高速邏輯測(cè)試設(shè)備等)
-探測(cè)卡
-測(cè)量設(shè)備
特性:
-高速導(dǎo)通時(shí)間:tON=150 μs(最大值)
-低導(dǎo)通電阻:
TLP3414S RON=3 Ω(最大值)
TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)
-小型S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)
主要規(guī)格:
注:
[1] S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值)
[2] 東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414(額定值40 V/250 mA)和TLP3431(額定值20 V/450 mA),采用VSON4封裝
[3] 引腳電子(PE):用于向待測(cè)設(shè)備(DUT)提供電源和測(cè)試信號(hào),并判斷DUT的輸出信號(hào)的一種接口電路
[4] VSON4封裝:1.45 mm×2.45 mm(典型值)
[5] TLP3414S的測(cè)試條件:RL=200 Ω、VDD=20 V、IF=5 mA,TLP3431S:RL=200 Ω、VDD=10 V、IF=5 mA
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