中國上海，2025年2月20日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出采用S-VSON4T^[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時(shí)間^[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

　　新型光繼電器通過提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器（光電二極管陣列）的設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)高效的光耦合，將導(dǎo)通時(shí)間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %，TLP3431S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。

　　此外，當(dāng)輸出打開時(shí)，這兩款產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻會影響信號衰減（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；當(dāng)輸出關(guān)閉時(shí)，輸出電容會影響高頻信號泄漏（兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF）。新產(chǎn)品與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品^[2]相當(dāng)，確保了穩(wěn)定的信號傳輸。

　　新產(chǎn)品適用于半導(dǎo)體測試設(shè)備中的引腳電子^[3]應(yīng)用，可在開關(guān)信號的同時(shí)以高精度高速測量待測設(shè)備（DUT）。

　　新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品的VSON4封裝^[4]相比表貼面積減少了約20 %，有助于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體測試設(shè)備和其他設(shè)備的小型化。

　　東芝將繼續(xù)提供更多高性能產(chǎn)品，以滿足半導(dǎo)體測試設(shè)備對更高性能和更快速度的需求。

　　應(yīng)用：

　　-半導(dǎo)體測試設(shè)備（高速存儲器測試設(shè)備、高速邏輯測試設(shè)備等）

　　-探測卡

　　-測量設(shè)備

　　特性：

　　-高速導(dǎo)通時(shí)間：t_ON＝150 μs（最大值）

　　-低導(dǎo)通電阻：

　　TLP3414S R_ON＝3 Ω（最大值）

　　TLP3431S R_ON＝1.2 Ω（最大值）

　　-小型S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）

　　主要規(guī)格：

　　注：

　　[1] S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值）

　　[2] 東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414（額定值40 V/250 mA）和TLP3431（額定值20 V/450 mA），采用VSON4封裝

　　[3] 引腳電子（PE）：用于向待測設(shè)備（DUT）提供電源和測試信號，并判斷DUT的輸出信號的一種接口電路

　　[4] VSON4封裝：1.45 mm×2.45 mm（典型值）

　　[5] TLP3414S的測試條件：R_L＝200 Ω、V_DD＝20 V、I_F＝5 mA，TLP3431S：R_L＝200 Ω、V_DD＝10 V、I_F＝5 mA

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