2024年，對于中國半導(dǎo)體行業(yè)來說，是充滿挑戰(zhàn)與機遇的一年。盡管面臨外部壓力，但中國半導(dǎo)體行業(yè)依然取得了顯著的突破。以下為2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)的十大事件，排名不分先后。

1?? 華為Mate70芯片的創(chuàng)新 ??
華為在Mate70 Pro智能手機中集成了先進的芯片，繼續(xù)挑戰(zhàn)技術(shù)封鎖。極客灣拆解分析顯示，麒麟9020在CPU部分引入了全新自研小核心，完全擺脫了Arm公版IP設(shè)計，CPU性能浮點提升47%，接近2GHz的A510性能水平。GPU性能提升26.7%，能效上追平了麒麟9000。

2?? 長鑫存儲的DDR5 ??
長鑫存儲推出了DDR5內(nèi)存，標志著中國在內(nèi)存領(lǐng)域取得了重要突破。

3?? 長江存儲的Xtacking 4.0架構(gòu)閃存 ??
長江存儲的Xtacking 4.0架構(gòu)閃存，提升了存儲密度和性能，為中國半導(dǎo)體存儲技術(shù)帶來了質(zhì)的飛躍。

4?? 中芯國際排名上升至第三 ??
中芯國際在全球半導(dǎo)體代工市場中的排名從2023年的第四位上升至第三位，僅次于臺積電和三星電子。市場份額從2023年的約6%提升至2024年的8%以上。

5?? 意法半導(dǎo)體選擇華虹代工 ??
意法半導(dǎo)體選擇華虹代工，是對其技術(shù)實力和生產(chǎn)能力的認可，有助于減少對傳統(tǒng)代工廠的依賴，降低供應(yīng)鏈風(fēng)險。

6?? 中國28nm光刻機的突破 ??
在2024年9月份，中國首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄中明確提到氟化氪（KrF)光刻機和氟化氬（ArF）光刻機的技術(shù)指標，尤其是氟化氬光刻機，文件標明其波長為193nm、分辨率≤65nm、套刻<8nm。這標志著中國在光刻機領(lǐng)域取得了重要突破。

7?? 地平線的征程6 ??
地平線的征程6系列智駕芯片發(fā)布，采用5nm工藝，算力提升至200TOPS，能效比大幅優(yōu)化，代表了中國智駕芯片的新高度。

8?? 中微半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化 ??
中微公司在3月份表示，其絕大部分刻蝕設(shè)備的零部件已實現(xiàn)國產(chǎn)化，并在很短的時間內(nèi)，將全面實現(xiàn)自主可控的基礎(chǔ)。這一成就標志著中國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進程的加速。

9?? 華大九天的股權(quán)變更 ??
華大九天宣布由無實際控制人變更為中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團有限公司控制，這顯示了國家對EDA產(chǎn)業(yè)的重視，將有助于其加速技術(shù)研發(fā)和市場拓展。

?? 3nm手機SOC芯片 ??
作為國內(nèi)第一款3nm手機SOC芯片，雖然不便多說，但依然值得一提。

這些突破不僅展示了中國半導(dǎo)體行業(yè)的實力和潛力，也為中國在全球半導(dǎo)體市場的地位奠定了堅實基礎(chǔ)。