據(jù)廣東省人民政府網(wǎng)站消息，10月21日，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案（2024—2030年）》。要求加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān)、推進光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造、支持光芯片相關(guān)部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化。

具體來說：

加快開展光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)攻關(guān)。大力支持硅光材料、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學傳感材料、電光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體等光芯片關(guān)鍵材料研發(fā)制造。

推進光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設(shè)備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡測試儀等光芯片關(guān)鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代。落實工業(yè)設(shè)備更新改造政策，加快光芯片關(guān)鍵設(shè)備更新升級。

支持光芯片相關(guān)部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化。大力支持收發(fā)模塊、調(diào)制器、可重構(gòu)光神經(jīng)網(wǎng)絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。支持硅光集成、異質(zhì)集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關(guān)制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。