中文引用格式: 羅里. 一種Ku頻段高密度集成的陶瓷SiP封裝R組件的設(shè)計[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用,2024,50(8):108-113.
英文引用格式: Luo Li. Design of a high density and high integration Ku-band R module based-on ceramic systems-in-package[J]. Application of Electronic Technique,2024,50(8):108-113.
引言
陶瓷SiP(System in Package)是一種集成電路封裝技術(shù),它將一個或多個裸芯片及可能的無源元件構(gòu)成的高性能模塊集成在一個陶瓷基板上,并裝載在一個封裝外殼內(nèi),實(shí)現(xiàn)整個系統(tǒng)功能,是一種可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級芯片集成的半導(dǎo)體技術(shù)[1]。二維有源相控陣天線陣常見的集成結(jié)構(gòu)形式主要包括磚式和瓦式[2-4],但隨著系統(tǒng)應(yīng)用要求的不斷提高以及封裝技術(shù)的不斷發(fā)展,陶瓷SiP封裝技術(shù)及平板式集合安裝形式以其特殊的優(yōu)勢成為有源相控陣天線陣面選用構(gòu)架之一。近年來,陶瓷SiP T/R組件在低剖面衛(wèi)通天線中的應(yīng)用逐漸成為一個熱門研究方向。陶瓷SiP組件在低剖面衛(wèi)通天線中應(yīng)用的主要優(yōu)勢包括:
(1)尺寸、重量以及集成度的優(yōu)化:陶瓷SIP組件具有尺寸小、重量輕的優(yōu)點(diǎn)。將射頻多功能芯片、濾波器、放大器等元件集成在多層陶瓷基板上,利用多層陶瓷基板走線靈活的特點(diǎn),且高密度垂直過渡互聯(lián)技術(shù)可有效減少組件布線面積,有利于實(shí)現(xiàn)SIP整體尺寸的縮小和重量的減輕。此外,SIP 減少了母板布線的層數(shù)和復(fù)雜性,同時提高了母板的空間利用率[5-7],從而可進(jìn)一步降低整機(jī)的尺寸和重量,提高天線的集成度和系統(tǒng)性能。
(2)陶瓷SIP組件具有優(yōu)良的高頻特性:通過優(yōu)化陶瓷基板的材料選擇和良好的電路匹配設(shè)計,可在高頻下實(shí)現(xiàn)低損耗的射頻信號傳輸,即SIP封裝可提供低功耗和低噪聲的系統(tǒng)級連接[1,4],有利于提高天線的整體性能。
(3)陶瓷SIP組件具有優(yōu)異的可靠性,可以應(yīng)對惡劣的環(huán)境條件。陶瓷材料具有良好的耐高溫、耐熱沖擊和耐腐蝕性能,可以滿足衛(wèi)通天線在極端工作環(huán)境下的要求,提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
在衛(wèi)星通信天線領(lǐng)域,Ku頻段相控陣天線的接收鏈路和發(fā)射鏈路通常為全雙工連續(xù)波工作模式,收、發(fā)信號工作頻率相近,為保障收發(fā)鏈路通信質(zhì)量,在天線安裝位置面積足夠的情況下,相控陣收發(fā)天線通常采用分陣設(shè)計,以保證收發(fā)通道的隔離度要求。相應(yīng)地,相控陣天線的T組件和R組件也采用獨(dú)立設(shè)計。針對機(jī)載衛(wèi)星通信天線尺寸小、重量輕、性能高、可靠性強(qiáng)的需求,本文利用陶瓷SIP組件的優(yōu)勢,設(shè)計了一種基于HTCC(High Temperature Cofired Ceramic)工藝的SIP-BGA(Ball Grid Array)封裝架構(gòu)的Ku頻段雙極化接收組件。組件以多層陶瓷基板為載體,將接收鏈路功能芯片裝載在SIP封裝外殼內(nèi)。同時,組件利用底部焊接的BGA球作為電路的I/O端與天線母板互聯(lián)。BGA焊料球以陣列形式排布在組件陶瓷基板下方,不占用額外的組裝空間,因而在有效縮小封裝體尺寸的同時可有效提高器件的I/O口數(shù)。通常,在引線數(shù)相同的情況下,封裝體尺寸可減小30%以上[7]。此外,BGA陣列焊球能有效縮短信號的傳輸路徑,減小引線電感、電阻,從而提升電路射頻性能[7]。本文采用電磁仿真軟件對組件中的高密度垂直過渡互聯(lián)結(jié)構(gòu)、射頻信號功率合成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的高頻性能進(jìn)行了仿真優(yōu)化,并根據(jù)優(yōu)化結(jié)果設(shè)計加工了實(shí)物。文中給出了實(shí)測結(jié)果與仿真結(jié)果,兩者指標(biāo)吻合較好。
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作者信息:
羅里
(中國西南電子技術(shù)研究所,四川 成都 610036)