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Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT

滿足行業(yè)對(duì)采用更現(xiàn)代封裝的功率雙極結(jié)型晶體管的需求
2024-09-03
來源:Nexperia
關(guān)鍵詞: Nexperia BJT DFN2020D-3封裝

  奈梅亨,2024年 9月2日:Nexperia今日宣布其廣受歡迎的功率雙極結(jié)型晶體管(BJT)產(chǎn)品組合再次擴(kuò)展,推出采用DFN2020D-3封裝的十款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和十款汽車級(jí)產(chǎn)品。這些新器件的額定電壓為50 V和80 V,支持NPN和PNP極性的1 A至3 A電流范圍,進(jìn)一步鞏固了Nexperia作為市場(chǎng)領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。通過此次發(fā)布,Nexperia通過DFN封裝提供了其大部分的功率BJT,可滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)節(jié)省空間和能源的封裝的需求,以此取代舊的SOT223和SOT89封裝。

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  與有引腳的器件相比,DFN2020D-3封裝器件可顯著節(jié)省電路板空間。例如,與SOT89相比,它將電路板空間減少了80%,與SOT223相比,它將電路板空間減少了90%。DFN2020D-3封裝還具有側(cè)邊可濕焊盤,可對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI),從而確保提高穩(wěn)健性和可靠性。

  除了通用晶體管外,Nexperia還發(fā)布了一系列低VCEsat器件,例如PBS5350PAS-Q。這些器件結(jié)合了超低飽和電壓和高電流增益,有助于提高許多電源應(yīng)用的能效。低VCEsat晶體管性能卓越,可以取代采用更大封裝的標(biāo)準(zhǔn)晶體管,從而可以在更小的PCB上實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。

  Nexperia為使用雙極結(jié)型晶體管的工程師提供BJT應(yīng)用手冊(cè),這是一本由工程師編寫、供工程師閱讀的實(shí)用、全面且最新的參考資料。這讓設(shè)計(jì)工程師能夠更好地了解雙極晶體管、其基本原理、熱性能考量和應(yīng)用見解。




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