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Nexperia推出新款120 V/4 A半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步提高工業(yè)和汽車應(yīng)用的魯棒性和效率

提高電源轉(zhuǎn)換器效率和電機(jī)控制穩(wěn)定性
2024-11-21
來源:Nexperia
關(guān)鍵詞: Nexperia MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

  奈梅亨,2024年11月20日:Nexperia今日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC,可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)版本,性能上兼具高電流輸出和出色的動(dòng)態(tài)性能,可大幅提高應(yīng)用效率和魯棒性。其中,NGD4300-Q100達(dá)到車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),非常適合電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用;NGD4300則設(shè)計(jì)用于消費(fèi)類設(shè)備、服務(wù)器和電信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器以及各種工業(yè)應(yīng)用中的微型逆變器。

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  這些IC中的高邊驅(qū)動(dòng)器可以在不超過120 V的直流總線電壓下工作,其中集成了二極管的自舉電源有助于縮小PCB尺寸,簡(jiǎn)化整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)。此系列器件可提供高達(dá)4 A(峰值)的拉電流和5 A的灌電流,即使在重負(fù)載下也能確保上升和下降時(shí)間較短。其延遲特性還顯著優(yōu)于類似競(jìng)品,輸入輸出延遲低至13納秒,通道間延遲誤差僅1納秒,有助于進(jìn)一步提高開關(guān)占空比,從而縮短死區(qū)時(shí)間。這些柵極驅(qū)動(dòng)器的上升時(shí)間為4納秒,下降時(shí)間為3.5納秒(典型值),可促進(jìn)提高效率,支持高頻和快速系統(tǒng)控制。除此之外還能兼容輸入控制信號(hào),可接受TTL和CMOS兩種邏輯電平。

  Nexperia IC解決方案業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Irene Deng表示:“這些器件是我們新推出的高性能半橋柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合中的第一批產(chǎn)品。此次發(fā)布凸顯了Nexperia如何利用工藝創(chuàng)新來滿足市場(chǎng)對(duì)穩(wěn)健柵極驅(qū)動(dòng)器日益增長(zhǎng)的需求,新系列器件更是在提高消費(fèi)類、工業(yè)和汽車應(yīng)用電源轉(zhuǎn)換器效率的同時(shí),增強(qiáng)了電機(jī)控制穩(wěn)定性?!?/p>

  這些IC采用了絕緣體硅片(SOI)工藝,將HS引腳的負(fù)電壓耐受能力擴(kuò)展到-5 V,大幅降低系統(tǒng)寄生元件和意外尖峰造成芯片損壞的風(fēng)險(xiǎn),從而確保在電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的魯棒性。NGD4300和NGD4300-Q100提供DFN-8、SO-8和HSO-8三種封裝選擇,方便工程師根據(jù)應(yīng)用需求在器件尺寸和熱性能之間靈活取舍。




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