8月26日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本專業(yè)的半導(dǎo)體分析機構(gòu)TechanaLye社長清水洋治表示，隨著中國半導(dǎo)體實力進步，已經(jīng)達到了僅落后臺積電三年的水平。美國的出口管制措施僅稍微拖慢中國的技術(shù)革新，但卻進一步刺激了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主生產(chǎn)腳步。

清水洋治以2021年華為旗艦手機處理器Kirin 9000和2024年4月開售的華為最新智能手機華為Pura 70 Pro的處理器“Kirin 9010”為例，兩款芯片均由華為旗下海思半導(dǎo)體設(shè)計，Kirin 9000是由臺積電5nm代工，而Kirin 9010則是由中國國產(chǎn)7nm工藝代工。

作為每年拆解約100項電子產(chǎn)品的半導(dǎo)體調(diào)查公司，TechanaLye在報告中指出，一般來說，晶體管線寬變細的話，處理器的性能就會變高、芯片面積也可以變小。清水洋治表示，采用國產(chǎn)7nm工藝量產(chǎn)的Kirin 9010芯片面積為118.4平方毫米，與臺積電5nm芯片的Kirin 9000面積（107.8平方毫米）差距不大，不過處理性能卻幾乎相同。

清水洋治表示，雙方在良率上雖有落差，但從出貨的芯片性能來看，中國半導(dǎo)體邏輯制程的制造實力已經(jīng)逼近到僅落后臺積電三年的地步。

報告稱，除了DRAM芯片和傳感器外，華為Pura 70 Pro合計搭載了37個主要半導(dǎo)體器件，其中海思半導(dǎo)體設(shè)計了其中的14個、其他中國廠商負責(zé)18個，非中國制產(chǎn)品僅DRAM（SK Hynix）、運動感測器（Bosch）等5個，也就是說，高達86%半導(dǎo)體為中國制造。

關(guān)于中國能自主生產(chǎn)如此廣泛的半導(dǎo)體產(chǎn)品，清水洋治認(rèn)為，“這代表美國管制對象實質(zhì)上僅限于使用在AI等用途的服務(wù)器用先進半導(dǎo)體。只要不構(gòu)成軍事威脅，（美國）應(yīng)該就會容許?！?/p>

清水洋治總結(jié)指出，“美國政府的管制措施、當(dāng)前僅是稍微拖慢中國的技術(shù)革新，但卻刺激了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自家生產(chǎn)腳步?！?/p>