8月26日消息，據日經新聞報道，日本專業(yè)的半導體分析機構TechanaLye社長清水洋治表示，隨著中國半導體實力進步，已經達到了僅落后臺積電三年的水平。美國的出口管制措施僅稍微拖慢中國的技術革新，但卻進一步刺激了中國半導體產業(yè)的自主生產腳步。

清水洋治以2021年華為旗艦手機處理器Kirin 9000和2024年4月開售的華為最新智能手機華為Pura 70 Pro的處理器“Kirin 9010”為例，兩款芯片均由華為旗下海思半導體設計，Kirin 9000是由臺積電5nm代工，而Kirin 9010則是由中國國產7nm工藝代工。

作為每年拆解約100項電子產品的半導體調查公司，TechanaLye在報告中指出，一般來說，晶體管線寬變細的話，處理器的性能就會變高、芯片面積也可以變小。清水洋治表示，采用國產7nm工藝量產的Kirin 9010芯片面積為118.4平方毫米，與臺積電5nm芯片的Kirin 9000面積（107.8平方毫米）差距不大，不過處理性能卻幾乎相同。

清水洋治表示，雙方在良率上雖有落差，但從出貨的芯片性能來看，中國半導體邏輯制程的制造實力已經逼近到僅落后臺積電三年的地步。

報告稱，除了DRAM芯片和傳感器外，華為Pura 70 Pro合計搭載了37個主要半導體器件，其中海思半導體設計了其中的14個、其他中國廠商負責18個，非中國制產品僅DRAM（SK Hynix）、運動感測器（Bosch）等5個，也就是說，高達86%半導體為中國制造。

關于中國能自主生產如此廣泛的半導體產品，清水洋治認為，“這代表美國管制對象實質上僅限于使用在AI等用途的服務器用先進半導體。只要不構成軍事威脅，（美國）應該就會容許?！?/p>

清水洋治總結指出，“美國政府的管制措施、當前僅是稍微拖慢中國的技術革新，但卻刺激了中國半導體產業(yè)的自家生產腳步。”