6 月 19 日消息，半導(dǎo)體行業(yè)機構(gòu) SEMI 于當(dāng)?shù)貢r間昨日公布新一期的世界晶圓廠預(yù)測季度報告。

報告認(rèn)為全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能將在 2024 和 2025 兩年分別實現(xiàn) 6% 和 7% 的同比增長，在 2025 年創(chuàng)下每月 3370 萬片 8 英寸晶圓當(dāng)量的歷史新高。

▲ 整體產(chǎn)能變化情況。圖源 SEMI

從產(chǎn)地來看，中國大陸將成為近兩年全球產(chǎn)能提升的主要推動力：華虹、晶合集成、芯恩、中芯國際和長鑫存儲均在大力投資提升產(chǎn)能。

具體到數(shù)值上，中國大陸晶圓廠今年整體產(chǎn)能將同比增長 14%，達(dá)每月 885 萬片晶圓當(dāng)量，而到 2025 年這一數(shù)值將再次增長 15%，達(dá)每月 1010 萬片晶圓當(dāng)量，占行業(yè)整體的約 1/3。

其余各主要產(chǎn)地近兩年產(chǎn)能增幅有限如下：

產(chǎn)能單位均為月萬片 8 英寸晶圓當(dāng)量

按領(lǐng)域劃分，邏輯半導(dǎo)體代工產(chǎn)能將在英特爾和中國企業(yè)產(chǎn)能擴張的推動下，于 2024~2025 年實現(xiàn) 10% 和 11% 的增幅，到 2026 年將達(dá)每月 1270 萬片晶圓。

其中 5nm 及以下先進(jìn)工藝的產(chǎn)能漲幅將勝于整體邏輯半導(dǎo)體，分別達(dá) 13% 和 17%，這主要受到生成式 AI 芯片需求和 2nm GAA 工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段的影響。

隨著人工智能服務(wù)器用 HBM 內(nèi)存從 8 層堆疊向 12 乃至 16 層堆疊轉(zhuǎn)移，相關(guān) DRAM 裸片需求不斷提升；

端側(cè)人工智能應(yīng)用的興起帶動主流智能手機內(nèi)存容量從 8GB 增加到 12GB；

此外配備人工智能助手的筆記本電腦也至少要配備 16GB DRAM 內(nèi)存。

上述多方面的因素促使 DRAM 領(lǐng)域廠商追加相關(guān)投資，2024 和 2025 年的 DRAM 產(chǎn)能漲幅均將達(dá)到 9%。

SEMI 認(rèn)為，3D NAND 閃存市場的復(fù)蘇仍然緩慢，NAND 領(lǐng)域今年不會出現(xiàn)產(chǎn)能增長，明年的漲幅也僅有 5%。

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官阿吉特?馬諾查（Ajit Manocha）表示：

從云計算到邊緣設(shè)備，人工智能處理的激增正在推動高性能芯片的開發(fā)競賽，并推動全球半導(dǎo)體制造能力的強勁擴張。

這創(chuàng)造了一個良性循環(huán)：人工智能將推動半導(dǎo)體內(nèi)容在各種應(yīng)用領(lǐng)域的增長，而這反過來又會鼓勵進(jìn)一步的投資。