英國劍橋 - 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設計的、超低導通電阻(RDS(on)) ICeGaN? GaN 功率 IC ，將 GaN 的優(yōu)勢提供給數(shù)據(jù)中心、逆變器、電機驅(qū)動器和其他工業(yè)電源等高功率應用。新型 ICeGaN? P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，支持多kW功率應用，并提供超高效率。

ANDREA BRICCONI | CGD 首席商務官

“人工智能的爆炸性增長導致能源消耗的顯著增加，促使數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)設計師優(yōu)先考慮將   GaN 用于高功率、高效的功率解決方案。CGD這一新系列   GaN 功率 IC   支持我們的客戶和合作伙伴在數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)超過100   kW/機架的功率密度，滿足高密度計算的最新   TDP（熱設計功率）趨勢的要求。在電機控制逆變器方面，開發(fā)人員正在使用 GaN 來減少熱量，獲得更小、更持久的系統(tǒng)功率。以上兩個市場正是CGD   ICeGaN 功率   IC 現(xiàn)在的目標市場。簡化的柵極驅(qū)動器設計和降低的系統(tǒng)成本，再加上先進的高性能封裝，使   P2 系列 IC 成為這些應用的絕佳選擇。”  

ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速開關過程中的擊穿損耗，并實現(xiàn)了0V關斷從而最大限度地減少反向?qū)〒p耗，其性能優(yōu)于分立 eMode GaN 和其他現(xiàn)有技術。新的封裝提供了低至0.28 K/W的改進的熱阻性能，與市場上任何其他產(chǎn)品比較具有相當或更加優(yōu)異的性能。其雙面 DHDFN-9-1（雙散熱器 DFN）封裝的雙極引腳設計有助于優(yōu)化 PCB 布局和簡單并聯(lián)以實現(xiàn)可擴展性，使客戶能夠輕松處理高達多kW的應用。經(jīng)過設計新型封裝不僅提高了產(chǎn)量，其側(cè)邊可濕焊盤技術，更便于光學檢查。

用戶現(xiàn)在可申請 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 樣品。該系列包括四款 RDS(on) 產(chǎn)品為25 mΩ和55 mΩ，額定電流為60 A和27 A的產(chǎn)品。產(chǎn)品采用10 mm x 10 mm封裝 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1（底部散熱器DFN）封裝。與所有CGD ICeGaN產(chǎn)品一樣，P2系列可以使用任何標準 MOSFET 或 IGBT 驅(qū)動器進行驅(qū)動。

現(xiàn)有2款采用新型 P2 產(chǎn)品演示板可供展示：一款是 CGD 與法國公共研發(fā)機構(gòu) IFP Energies nouvelles 合作開發(fā)的單相變?nèi)嗥嚹孀兤餮菔景澹涣硪豢钍?kW圖騰柱功率因數(shù)校正演示板。

新型 P2 系列 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 和演示板將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD 的展位號為7-643。歡迎用戶蒞臨參觀和了解這些產(chǎn)品。

結(jié)語

關于 Cambridge GaN Devices

Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發(fā)與商業(yè)化，以實現(xiàn)能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現(xiàn)的高能效 GaN 解決方案，將創(chuàng)新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術經(jīng)證明適合大批量生產(chǎn)，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規(guī)模。CGD 是一家無晶圓廠企業(yè)，孵化自劍橋大學。公司首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯(lián)系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術背后有不斷擴充的強大知識產(chǎn)權(quán)組合做支撐，這也是公司努力創(chuàng)新的結(jié)晶。CGD 團隊在技術和商業(yè)方面的專業(yè)知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現(xiàn)，為其專有技術在市場上的認可程度奠定了堅實的基礎。欲了解更多信息，請訪問 https://camgandevices.com/zh/。