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ASML High NA EUV光刻機晶圓制造速度提升150%

可打印8nm線寬
2024-05-31
來源:芯智訊

5月30日消息,光刻機大廠ASML在imec(比利時微電子研究中心)的ITF World 2024會議上宣布,其首款High-NA EUV光刻機已創(chuàng)下新的晶圓制造速度記錄,超過了兩個月前創(chuàng)下的記錄。

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根據ASML前總裁兼首席技術官、現任公司顧問的Martin van den Brink的說法,新的High NA EUV光刻機晶圓生產速度達到了每小時400至500片晶圓,是當前標準EUV每小時200片晶圓的2-2.5倍的速度,即提升了100%至150%,將進一步提升產能,并降低成本。

現階段經過進一步調整,ASML已經可用其試驗性質High-NA EUV光刻機打印生產8nm線寬,這是的新紀錄,這打破了該公司在4月初當時創(chuàng)下的記錄。當時ASML宣布,已使用位于ASML荷蘭總部與imec聯合實驗室的試驗型High-NA EUV光刻機打印了10nm線寬。

就發(fā)展路線來說,ASML的標準EUV光刻機可以打印13.5nm的線寬,而新的High-NA EUV光刻機則是可以通過打印8nm線寬來創(chuàng)建更小的晶體管。ASML現在已經證明其設備可以滿足其基本規(guī)格。

Martin van den Brink強調,ASML當前已經取得了進展,能夠在整個打印線寬作業(yè)上將其低至8奈米記錄,并進行校正,而且還具有一定程度的重疊覆蓋。因此,ASML對High NA EUV光刻機的發(fā)展充滿信心,預計未來將能夠在突破其極限。

而除了ASML自己在進行High NA EUV光刻機的測試之外,目前唯一安裝完成High NA EUV光刻機的英特爾,也在美國俄勒岡州的D1X工廠投入測試工作。預計將在Intel 18A節(jié)點制程上進行技術的研發(fā)與訓練工作,之后再將其投入到Intel 14A節(jié)點制程的大量生產當中。

Martin van den Brink指出,ASML已經可以開發(fā)更新一代的Hyper-NA EUV光刻機了,以進一步擴展其High-NA EUV光刻機的潛在路線圖。


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