高數(shù)值孔徑 （ High -NA ） EUV 光刻 機 剛剛起步， ASML 又開始 致力于開發(fā) 超數(shù)孔徑 Hyper-NA EUV 光刻機 。 ASML 名 譽首席技術(shù)官 Martin van den Brink在安特衛(wèi)普舉行的Imec技術(shù)論壇（ITF）上發(fā)表演講時透露了公司的未來規(guī)劃。 他表示，在未來十年內(nèi)，ASML將構(gòu)建一個集成低數(shù)值孔徑、高數(shù)值孔徑和超數(shù)孔徑EUV系統(tǒng)的單一平臺。 這一舉措被視為減少工藝步驟數(shù)量、降低晶圓加工成本和能源消耗的關(guān)鍵。

Van den Brink進一步強調(diào)了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能夠簡化復雜的雙重圖案工藝，降低生產(chǎn)難度。他解釋說，這種高分辨率工具的可用性對于半導體制造行業(yè)至關(guān)重要。

值得注意的是，高數(shù)值孔徑EUV（high-NA）光刻技術(shù)目前正處于起步階段。ASML自去年12月開始出貨高數(shù)值孔徑工具，目前僅英特爾一家采用，而臺積電則表示短期內(nèi)不會采用。為了推動該技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，ASML將在幾周內(nèi)正式在費爾德霍芬開設(shè)高數(shù)值孔徑實驗室，該實驗室將與Imec共同運營，為芯片制造商提供該工具的早期使用權(quán)。

事實上，該實驗室的系統(tǒng)已經(jīng)投入使用，并成功打印了有史以來第一個10納米線陣圖案。據(jù)Van den Brink的最新更新，該系統(tǒng)已經(jīng)能夠產(chǎn)生8nm線陣圖案，接近該工具的最大分辨率。這一成果進一步證明了ASML在EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位和持續(xù)創(chuàng)新的能力。