用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側(cè)柵極驅(qū)動器
2024-05-22
來源:Littelfuse
美國伊利諾伊州芝加哥,2024年5月27日訊-- Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨(dú)立的9A拉/灌電流輸出,支持量身定制的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)序,同時(shí)將開關(guān)損耗降至最低。 內(nèi)部負(fù)電荷調(diào)節(jié)器還能提供用戶可選的負(fù)柵極驅(qū)動偏置,以實(shí)現(xiàn)更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅(qū)動器的工作電壓范圍(VDD - VSS)高達(dá)35V,具有出色的靈活性和性能。
IX4352NE的突出功能之一是配備內(nèi)部負(fù)電荷泵調(diào)節(jié)器,無需外部輔助電源設(shè)備或DC/DC轉(zhuǎn)換器。 該功能對于關(guān)斷SiC MOSFET尤其實(shí)用,可以節(jié)省外部邏輯電平轉(zhuǎn)換器電路通常所需的寶貴空間。 邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)TTL或CMOS邏輯電平兼容,進(jìn)一步增強(qiáng)了節(jié)省空間的能力。
IX4352NE非常適合在各類工業(yè)應(yīng)用中驅(qū)動SiC MOSFET,例如:
· 車載和非車載充電器,
· 功率因數(shù)校正(PFC),
· DC/DC轉(zhuǎn)換器,
· 電機(jī)控制器,和
· 工業(yè)電源逆變器。
卓越的性能使其成為電動汽車、工業(yè)、替代能源、智能家居和樓宇自動化市場中要求苛刻的電力電子應(yīng)用的理想選擇。
憑借其全面的功能,IX4352NE簡化了電路設(shè)計(jì)并提供了更高的集成度。 內(nèi)置保護(hù)功能,如帶軟關(guān)斷灌電流驅(qū)動器的去飽和檢測(DESAT)、欠壓鎖定(UVLO)和熱關(guān)斷(TSD)等,可確保功率器件和柵極驅(qū)動器得到保護(hù)。 集成的開漏FAULT輸出向微控制器發(fā)出故障信號,增強(qiáng)了安全性和可靠性。 此外,IX4352NE還能節(jié)省寶貴的PCB空間并提高電路密度,有助于提高整體系統(tǒng)效率。
對現(xiàn)有IX4351NE的顯著改進(jìn)包括:
· 由DESAT啟動的安全軟關(guān)斷。
· 高閾值精度熱關(guān)斷。
· 電荷泵在熱關(guān)斷期間的工作能力。
新款I(lǐng)X4352NE與引腳兼容,可無縫替換指定使用現(xiàn)有Littelfuse IX4351NE的設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)于2020年發(fā)布。
“IX4352NE通過一種新型9A拉/灌電流驅(qū)動器擴(kuò)展了我們廣泛的低側(cè)柵極驅(qū)動器系列,簡化了SiC MOSFET所需的柵極驅(qū)動電路?!盠ittelfuse集成電路部(SBU)產(chǎn)品經(jīng)理June Zhang表示, “其各種內(nèi)置保護(hù)功能和集成電荷泵提供了可調(diào)的負(fù)柵極驅(qū)動電壓,能提高dV/dt抗擾度和關(guān)斷速度。 因此,該產(chǎn)品可以用來驅(qū)動任何SiC MOSFET或功率IGBT,無論是Littelfuse器件還是市場上任何其他類似器件?!?/p>
供貨情況
IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器以每管50只的管裝形式供貨,也可以卷帶封裝形式供貨,起訂量2,000只。 可通過Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷商索取樣品。