《電子技術(shù)應(yīng)用》
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臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能告急

根本無法滿足AI GPU需求
2024-05-21
來源:快科技

5月21日消息,隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)中心GPU需求激增,特別是英偉達(dá)H100等AI芯片需求量的大幅上升,導(dǎo)致臺(tái)積電面臨CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)的產(chǎn)能危機(jī)。

據(jù)Trendforce報(bào)道,大型云端服務(wù)供應(yīng)商如微軟、谷歌、亞馬遜和Meta正在不斷擴(kuò)大其人工智能基礎(chǔ)設(shè)施,預(yù)計(jì)今年的總資本支出將達(dá)到1700億美元。

這一增長直接推動(dòng)了AI芯片需求的激增,進(jìn)而導(dǎo)致硅中介層面積的增加,單個(gè)12英寸晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量正在減少。

臺(tái)積電為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn),計(jì)劃在2024年全面提升封裝產(chǎn)能,預(yù)計(jì)年底每月產(chǎn)能將達(dá)到4萬片,相比2023年提升至少150%。

同時(shí),臺(tái)積電已經(jīng)在規(guī)劃2025年的CoWoS產(chǎn)能計(jì)劃,預(yù)計(jì)產(chǎn)能可能還要實(shí)現(xiàn)倍增,其中英偉達(dá)的需求占據(jù)了一半以上。

然而,CoWoS封裝技術(shù)中的一個(gè)關(guān)鍵瓶頸是HBM芯片,HBM3/3E的堆疊層數(shù)將從HBM2/2E的4到8層升至8到12層,未來HBM4更是進(jìn)一步升至16層,這無疑增加了封裝的復(fù)雜性和難度。

盡管其他代工廠也在尋求解決方案,例如英特爾提出使用矩形玻璃基板來取代傳統(tǒng)的12英寸晶圓中介層,但這些方案需要大量的準(zhǔn)備工作,并且要等待行業(yè)參與者的合作。


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