4 月 23 日消息，美國芯片制造商英特爾與美國國防部進(jìn)一步加深合作，共同研發(fā)全球最先進(jìn)的芯片制造工藝，這項(xiàng)合作是雙方在兩年半前簽署的“快速可靠微電子原型”（RAMP-C）項(xiàng)目的第一階段基礎(chǔ)上拓展而來的。

此次合作將使美國政府首次能夠獲得用于制造尖端芯片的領(lǐng)先技術(shù)。雙方將合作生產(chǎn)采用英特爾未來 18A 制造工藝的芯片樣品，18A 制造工藝通常用于高性能計(jì)算和圖形處理領(lǐng)域，需要芯片具有強(qiáng)大的運(yùn)算能力。

制造用于美國國家安全應(yīng)用的 18A 芯片是英特爾與其 DIB（即國防工業(yè)基地）客戶合作的一部分，其中包括像諾格公司和波音這樣的國防承包商，以及微軟、英偉達(dá)和 IBM 等商用領(lǐng)域巨頭。

18A 是英特爾下一代制程工藝，根據(jù)該公司此前公布的信息，其前一代 20A 制程預(yù)計(jì)將在 2024 年投入生產(chǎn)。英特爾去年年底公布了 18A 制程的關(guān)鍵細(xì)節(jié)，公司 CEO 帕特?基辛格 (Patrick Gelsinger) 表示 18A 制程的研發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先于預(yù)期。

英特爾在聲明中表示，RAMP-C 項(xiàng)目的第三階段突顯了其 18A 制程技術(shù)、知識產(chǎn)權(quán)和生態(tài)系統(tǒng)解決方案已經(jīng)為量產(chǎn)做好了準(zhǔn)備?；粮襁€特別強(qiáng)調(diào)了英特爾 18A 芯片的優(yōu)異功耗管理能力，認(rèn)為其優(yōu)于臺積電的 2 納米制程工藝。

從命名上看，英特爾 18A 制程相當(dāng)于 1.8 納米制程。在芯片制造領(lǐng)域，制程越小越好，因?yàn)楦〉碾娐房梢愿纳齐妼?dǎo)率和性能?，F(xiàn)代芯片可以在極小的空間內(nèi)塞下數(shù)十億個(gè)晶體管，從而處理更多的數(shù)據(jù)。

美國國防部微電子工程負(fù)責(zé)人謝諾伊博士 (Dr. Dev Shenoy) 表示，五角大樓預(yù)計(jì)將在 2025 年完成使用英特爾 18A 制程芯片的原型生產(chǎn)。RAMP-C 項(xiàng)目的第三階段將專注于芯片設(shè)計(jì)的定型，這是設(shè)計(jì)流程的最后階段，工程師將把設(shè)計(jì)概念轉(zhuǎn)化為指導(dǎo)芯片制造機(jī)器的掩模版。

值得一提的是，英特爾本月初剛剛啟動了世界上第一臺最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備，名為高數(shù)值孔徑極紫外 (high NA EUV) 光刻機(jī)。英特爾表示，這種設(shè)備可以簡化設(shè)計(jì)流程，從而縮短芯片的制造時(shí)間。