3月21日消息，近日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室。

采用自主開創(chuàng)的鑄造法，成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。

6英寸導電型氧化鎵襯底

杭州鎵仁半導體，也成為國內(nèi)首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。

據(jù)介紹，氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造，成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導體材料之一，被稱為第四代半導體材料。

該材料主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件，在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏發(fā)電、5G移動通信、國防軍工等領域，均具有廣闊應用前景。

6英寸非故意摻雜（上）與導電型（下）氧化鎵單晶

該公司表示，此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法，具有以下顯著優(yōu)勢：

第一，鑄造法成本低，由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；

第二，鑄造法簡單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；

第三，鑄造法擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，中國和美國專利已授權(quán)，為突破國外技術(shù)壟斷，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代奠定堅實基礎。

目前而言，日本的NCT在氧化鎵襯底方面，仍占據(jù)著領先地位，但國內(nèi)也總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢。