3月21日消息,近日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布,公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。
采用自主開創(chuàng)的鑄造法,成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。
6英寸導(dǎo)電型氧化鎵襯底
杭州鎵仁半導(dǎo)體,也成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
據(jù)介紹,氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造,成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,被稱為第四代半導(dǎo)體材料。
該材料主要用于制備功率器件、射頻器件及探測(cè)器件,在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏發(fā)電、5G移動(dòng)通信、國(guó)防軍工等領(lǐng)域,均具有廣闊應(yīng)用前景。
6英寸非故意摻雜(上)與導(dǎo)電型(下)氧化鎵單晶
該公司表示,此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法,具有以下顯著優(yōu)勢(shì):
第一,鑄造法成本低,由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少,成本顯著降低;
第二,鑄造法簡(jiǎn)單可控,其工藝流程短、效率高、尺寸易放大;
第三,鑄造法擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),中國(guó)和美國(guó)專利已授權(quán),為突破國(guó)外技術(shù)壟斷,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
目前而言,日本的NCT在氧化鎵襯底方面,仍占據(jù)著領(lǐng)先地位,但國(guó)內(nèi)也總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢(shì)。