3月21日消息,近日,杭州鎵仁半導體有限公司宣布,公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室。
采用自主開創(chuàng)的鑄造法,成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。
6英寸導電型氧化鎵襯底
杭州鎵仁半導體,也成為國內(nèi)首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術的產(chǎn)業(yè)化公司。
據(jù)介紹,氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造,成為目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一,被稱為第四代半導體材料。
該材料主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件,在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏發(fā)電、5G移動通信、國防軍工等領域,均具有廣闊應用前景。
6英寸非故意摻雜(上)與導電型(下)氧化鎵單晶
該公司表示,此次制備6英寸氧化鎵襯底采用的鑄造法,具有以下顯著優(yōu)勢:
第一,鑄造法成本低,由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少,成本顯著降低;
第二,鑄造法簡單可控,其工藝流程短、效率高、尺寸易放大;
第三,鑄造法擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán),中國和美國專利已授權(quán),為突破國外技術壟斷,實現(xiàn)國產(chǎn)化替代奠定堅實基礎。
目前而言,日本的NCT在氧化鎵襯底方面,仍占據(jù)著領先地位,但國內(nèi)也總體呈現(xiàn)追趕態(tài)勢。
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