《電子技術(shù)應(yīng)用》
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET

以更高的功率密度和效率樹立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-21
來源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 OptiMOS MOSFET 功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列,使電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動摩托車、微型電動汽車和電動叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能均有所改善,降低了電磁干擾(EMI)和開關(guān)損耗,有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統(tǒng)(ESS)、音頻、太陽能等用途的各種開關(guān)應(yīng)用。此外,憑借寬安全工作區(qū)(SOA)和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品系列為客戶提供更高的功率密度、效率和系統(tǒng)可靠性,樹立了新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

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與上一代OptiMOS? 3相比,OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品組合具有更加強(qiáng)大的技術(shù)特性,其RDS(on)降低了42%,有助于減少傳導(dǎo)損耗和提高輸出功率。在二極管性能方面,OptiMOS? 6 200 V的軟度大幅提升至OptiMOS? 3的三倍多,且 Qrr(typ)降低了 89%,使開關(guān)和 EMI 性能均得到明顯改善。該技術(shù)還提升了寄生電容線性度(Coss 和 Crss),減少了開關(guān)期間的振蕩并降低了電壓過沖。更緊密的 VGS(th) 分布和低跨導(dǎo)特性有助于MOSFET并聯(lián)和電流共享,使溫度變得更加均勻且減少了并聯(lián)MOSFET的數(shù)量。

OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品具有更出色的SOA并達(dá)到J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)中的MSL 1等級。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合符合RoHS規(guī)范且不含鉛,滿足當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

 

供貨情況

OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)品提供多種封裝,包括PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P,適用于各種應(yīng)用。所有型號目前均可訂購。

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