3 月 6 日消息，固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì) JEDEC 今日正式發(fā)布 JESD239 GDDR7 顯存標(biāo)準(zhǔn)（Graphics Double Data Rate），JESD239 GDDR7 提供的帶寬是 GDDR6 的兩倍，每臺(tái)設(shè)備最高可達(dá) 192 GB/s。

據(jù)介紹，JESD239 GDDR7 是第一個(gè)使用脈幅調(diào)制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口進(jìn)行高頻操作的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) DRAM。其 PAM3 接口提高了高頻操作的信噪比（SNR），同時(shí)提高了能源效率。通過使用 3 個(gè)級(jí)別（+1，0，-1）在 2 個(gè)循環(huán)上傳輸 3 個(gè)比特，而傳統(tǒng)的 NRZ（不歸零）接口在 2 個(gè)周期上傳輸 2 個(gè)比特，PAM3 提供了更高的每循環(huán)數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提高了性能。

JESD239 GDDR7 的其他高級(jí)功能包括：

具有眼圖掩蔽和錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器的核心獨(dú)立 LFSR（線性反饋移位寄存器）訓(xùn)練模式，可提高訓(xùn)練準(zhǔn)確性，同時(shí)減少訓(xùn)練時(shí)間。

獨(dú)立通道數(shù)量翻倍，從 GDDR6 中的 2 個(gè)增加到 GDDR7 中的 4 個(gè)。

支持 16 Gbit 至 32 Gbit 密度，包括支持 2 通道模式以使系統(tǒng)容量加倍。

通過整合最新的數(shù)據(jù)完整性功能，包括帶實(shí)時(shí)報(bào)告的片上 ECC（ODECC）、數(shù)據(jù)中毒、錯(cuò)誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(yàn)（CAPARBLK），滿足 RAS（可靠性、可用性、可維護(hù)性）的市場需求。

JEDEC 董事會(huì)主席 Mian Quddus 表示：“JESD239 GDDR7 標(biāo)志著高速顯存設(shè)計(jì)的重大進(jìn)步。隨著向 PAM3 信號(hào)的轉(zhuǎn)變，顯存行業(yè)有了一條新的途徑來擴(kuò)展 GDDR 設(shè)備的性能，并推動(dòng)圖形和各種高性能應(yīng)用的不斷發(fā)展。”

JEDEC GDDR 小組委員會(huì)主席 Michael Litt 說道：“GDDR7 是首款不僅專注于帶寬，而且通過整合最新數(shù)據(jù)完整性功能來滿足 RAS 市場需求的 GDDR，這些功能使 GDDR 設(shè)備能夠更好地服務(wù)云游戲和計(jì)算等現(xiàn)有市場，并擴(kuò)展到 AI。”

從公告中獲悉，AMD、美光、英偉達(dá)、三星、SK 海力士都對(duì)該標(biāo)準(zhǔn)表示了支持。此外，三星和美光都已經(jīng)制定了下一代 GDDR7 模塊的開發(fā)計(jì)劃。三星的目標(biāo)是 32 Gbps 速度，實(shí)現(xiàn) 1.6 倍的性能提升；而美光的目標(biāo)也是 24 Gb+ 32 Gbps 芯片。美光在最新的路線圖中還表示，到 2026 年，將推出高達(dá) 36 Gbps 和 24Gb+ 的顯存芯片。