2023年10月19日，中國(guó)上海 —— Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已將業(yè)界領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb容量版本的 DDR5內(nèi)存。美光1β DDR5 DRAM在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達(dá)7,200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場(chǎng)的所有客戶出貨?；?β節(jié)點(diǎn)的美光DDR5內(nèi)存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)^[1]，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達(dá)50%^[2]，每瓦性能提升33%^[3]。

　　隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加以滿足數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載需求，系統(tǒng)對(duì)更高的內(nèi)存帶寬與容量的需求也顯著增長(zhǎng)，從而在應(yīng)對(duì)“內(nèi)存墻”挑戰(zhàn)的同時(shí)優(yōu)化客戶的總體擁有成本。美光1β DDR5 DRAM支持計(jì)算能力向更高的性能擴(kuò)展，能支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺(tái)上的人工智能（AI）訓(xùn)練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)（IMDB）等應(yīng)用。全新1β DDR5 DRAM產(chǎn)品線提供速率從4,800 MT/s到7,200 MT/s的現(xiàn)有模塊密度，能夠滿足數(shù)據(jù)中心和客戶端的應(yīng)用需求。

　　美光核心計(jì)算設(shè)計(jì)工程部門企業(yè)副總裁Brian Callaway表示：“面向客戶端和數(shù)據(jù)中心平臺(tái)的1β DDR5 DRAM量產(chǎn)及出貨，標(biāo)志著行業(yè)的一個(gè)重要里程碑。我們與生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及客戶緊密合作，將推動(dòng)高性能內(nèi)存產(chǎn)品的市場(chǎng)普及?！?/p>

　　美光的1β技術(shù)已應(yīng)用至公司廣泛的內(nèi)存解決方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。全新的美光16Gb DDR5內(nèi)存將通過(guò)直銷及渠道合作伙伴供貨。

　　行業(yè)引語(yǔ)：

　　華碩消費(fèi)性產(chǎn)品事業(yè)處協(xié)理陳奕彰表示：“華碩是消費(fèi)類和游戲應(yīng)用領(lǐng)域高性能筆記本電腦的領(lǐng)導(dǎo)廠商。內(nèi)存子系統(tǒng)向DDR5過(guò)渡是華碩重點(diǎn)關(guān)注的領(lǐng)域。我們很高興推出搭載美光1β DDR5內(nèi)存的華碩和ROG筆記本電腦，從而為客戶提供卓越的用戶體驗(yàn)?！?/p>

　　Ampere Computing首席產(chǎn)品官Jeff Wittich表示：“Ampere的云原生處理器搭載美光領(lǐng)先的1β DDR5提供了一流的計(jì)算解決方案，能夠滿足超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的性能、可擴(kuò)展性和功耗需求。在AmpereOne?平臺(tái)上使用速率高達(dá)7,200MT/s的美光1β DDR5，將持續(xù)推動(dòng)人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和所有高性能計(jì)算應(yīng)用的發(fā)展。”

　　Cadence 高級(jí)副總裁兼IP事業(yè)部總經(jīng)理Boyd Phelps表示：“我們很高興與美光合作，利用我們業(yè)界領(lǐng)先的DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3 IP系統(tǒng)解決方案搭配美光先進(jìn)的內(nèi)存產(chǎn)品組合，為針對(duì)特定應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化的下一代平臺(tái)提供支持。通過(guò)搭載美光先進(jìn)的1β DDR5內(nèi)存，我們?cè)u(píng)估和驗(yàn)證了高性能DDR5 IP速率可高達(dá)7,200MT/s?！?/p>

　　[1] JEDEC可選的SRX/NOP時(shí)鐘同步（CLK_SYNC）功能旨在減輕美光1βnm器件支持的四相時(shí)鐘架構(gòu)中主處理器與DRAM之間的工作周期失真效應(yīng)。

　　[2] 基于理論最大帶寬，器件級(jí)性能提升為（7200-4800）/4800。

　　[3] 每瓦性能（理論最大帶寬，器件級(jí)）：Y52K 7200MT/s與Y32A 4800MT/s。根據(jù)預(yù)測(cè)的Gstress總線利用率7200MT/s（58%）計(jì)算，并在SPR E-step系統(tǒng)中測(cè)量。

更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<