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東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

2023-09-01
來(lái)源:東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社

  中國(guó)上海,2023年8月31日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。

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  新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品,其封裝支持柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源極端使用開爾文連接,有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響,從而提高高速開關(guān)性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%,關(guān)斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設(shè)備功率損耗。

  使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設(shè)計(jì)已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。

  東芝將繼續(xù)擴(kuò)大自身產(chǎn)品線,進(jìn)一步契合市場(chǎng)趨勢(shì),并助力用戶提高設(shè)備效率,擴(kuò)大功率容量。

  使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

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  使用SiC MOSFET的3相逆變器

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  簡(jiǎn)易方框圖

  ▲應(yīng)用:

  -開關(guān)電源(服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等)

  -電動(dòng)汽車充電站

  -光伏變頻器

  -不間斷電源(UPS)

  ▲特性:

  -4引腳TO-247-4L(X)封裝:

  柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源極端使用開爾文連接,可降低開關(guān)損耗

  -第3代碳化硅MOSFET

  -低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷

  -低二極管正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)

▲主要規(guī)格:

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  注:

  [1] 截至2023年8月

  [2] 截至2023年8月,東芝測(cè)量值(測(cè)量條件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25℃)



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