中國上海，2023年8月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L（X）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的^[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設備應用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。

　　新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L（X）封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響，從而提高高速開關性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%，關斷損耗降低了約34%^[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。

　　使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。

　　東芝將繼續(xù)擴大自身產(chǎn)品線，進一步契合市場趨勢，并助力用戶提高設備效率，擴大功率容量。

　　使用新型SiC MOSFET的3相逆變器

　　使用SiC MOSFET的3相逆變器

　　簡易方框圖

　　▲應用：

　　-開關電源（服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等）

　　-電動汽車充電站

　　-光伏變頻器

　　-不間斷電源（UPS）

　　▲特性：

　　-4引腳TO-247-4L（X）封裝：

　　柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接，可降低開關損耗

　　-第3代碳化硅MOSFET

　　-低漏源導通電阻×柵漏電荷

　　-低二極管正向電壓：V_DSF＝-1.35V（典型值）（V_GS＝-5V）

▲主要規(guī)格：

　　注：

　　[1] 截至2023年8月

　　[2] 截至2023年8月，東芝測量值（測量條件：V_DD＝800V、V_GG＝+18V／0V、I_D＝20A、R_G＝4.7Ω、L＝100μH、T_a＝25℃）

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