目標(biāo)

　　本次實(shí)驗(yàn)的目標(biāo)是利用磁場(chǎng)生成和檢測(cè)原理去構(gòu)建簡(jiǎn)單的接近檢測(cè)器，并觀察檢測(cè)器輸出電壓是如何隨著電磁體越來(lái)越靠近傳感器而增加的。

　　背景知識(shí)

　　簡(jiǎn)單的接近傳感器可檢測(cè)物體對(duì)象之間的距離，可用于多種應(yīng)用，從簡(jiǎn)單的門窗開(kāi)關(guān)檢測(cè)到復(fù)雜的高精度絕對(duì)位置檢測(cè)器，應(yīng)用廣泛。接近傳感器可采用多種方式設(shè)計(jì)，其中一種涉及檢測(cè)磁體（通常為永磁體，但也可能是電磁體）產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。在本次實(shí)驗(yàn)中，我們使用鐵氧體磁芯螺線管產(chǎn)生磁場(chǎng)。螺線管是一種以圓柱形方式纏繞著磁芯（通常用于制造具有特定電感值的電感）或電磁體的線圈。

　　ADALP2000模擬部件套件中的100 μH電感用于產(chǎn)生足夠強(qiáng)的磁場(chǎng)，并且能夠被該套件中集成的AD22151磁場(chǎng)傳感器檢測(cè)到。AD22151是一款線性磁場(chǎng)傳感器，其輸出電壓與垂直施加于封裝上表面的磁場(chǎng)成比例。AD22151磁場(chǎng)傳感器的工作原理基于霍爾效應(yīng)。在磁場(chǎng)環(huán)境下，當(dāng)電流流經(jīng)某個(gè)導(dǎo)體時(shí)，導(dǎo)體兩端就會(huì)產(chǎn)生電壓（霍爾電壓），這種現(xiàn)象就是霍爾效應(yīng)。運(yùn)動(dòng)電荷在磁場(chǎng)中受洛倫茲力作用會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而形成電場(chǎng)，產(chǎn)生霍爾電壓。

　　材料

　　▲ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊

　　▲無(wú)焊試驗(yàn)板和跳線套件

　　▲四個(gè)100 Ω電阻

　　▲一個(gè)100 μH電感

　　▲一個(gè)AD22151磁場(chǎng)傳感器

　　▲兩個(gè)470 Ω電阻

　　▲一個(gè)100 kΩ電阻

　　▲一個(gè)0.1 μF電容

　　▲一個(gè)10 μF電容

　　▲一個(gè)200 kΩ電阻

　　▲一個(gè)LED

　　硬件設(shè)置

　　首先，在無(wú)焊試驗(yàn)板上構(gòu)建圖1所示的電磁體電路。

　　圖1.電磁體電路。

　　將包含AD22151磁場(chǎng)傳感器的霍爾效應(yīng)傳感器電路（圖2）添加到無(wú)焊試驗(yàn)板中。

　　圖2.霍爾效應(yīng)傳感器電路。

　　試驗(yàn)板連接如圖3所示。

　　圖3.磁性接近傳感器試驗(yàn)板連接。

　　程序步驟

　　使用信號(hào)發(fā)生器W1生成一個(gè)恒定的5 V信號(hào)，作為AD22151的VCC輸入。打開(kāi)至5 V的正電源，為電磁體供電。當(dāng)電磁體遠(yuǎn)離芯片且傳感器附近不存在磁場(chǎng)時(shí)，示波器的通道1將顯示AD22151的輸出。

　　此電壓相當(dāng)于零高斯點(diǎn)，理想情況下為中點(diǎn)電源電壓，采用5.0 V電源時(shí)為2.5 V，但由于傳感器和運(yùn)算放大器中的直流偏置要乘以運(yùn)算放大器的閉環(huán)增益，所以該電壓與中點(diǎn)電源電壓不同。

　　圖4.輸出失調(diào)電壓。

　　如果將電磁體更靠近芯片，輸出電壓隨磁場(chǎng)強(qiáng)度成比例地增加。在圖5中，可以看到電壓如何隨電磁體越來(lái)越靠近芯片而增大。當(dāng)電磁體離芯片較遠(yuǎn)時(shí)，電壓將再次降低，直至達(dá)到零高斯失調(diào)電壓。

　　圖5.輸出電壓變化。

　　我們可以在5.0 V電源和引腳6的運(yùn)算放大器求和節(jié)點(diǎn)之間添加一個(gè)電阻R4，以改變輸出失調(diào)電壓。這樣在無(wú)外加磁場(chǎng)的情況下，能夠使傳感器輸出電壓盡可能接近其線性范圍的下限。接下來(lái)，我們來(lái)計(jì)算R4值。

　　我們指定VCC為AD22151的電源電壓，VMID為中點(diǎn)電源電壓。

　　在通道2使用電壓表工具測(cè)量VCC。要計(jì)算R4，必須清楚運(yùn)算放大器求和節(jié)點(diǎn)的輸入和輸出電流。通過(guò)R2的電流定義為IR2。在理想情況下，此電流為零，因?yàn)槠涿總?cè)的電壓為VMID，但零場(chǎng)內(nèi)部霍爾效應(yīng)傳感器輸出電壓與內(nèi)部緩沖電壓VREF之間會(huì)存在一個(gè)較小的失調(diào)電壓。對(duì)于低增益電路，此電壓在許多情況下可忽略不計(jì)，但在高增益電路中（如本例）我們必須加以考慮。

　　使用電壓表測(cè)量并記錄引腳7處的電壓，并將其定義為VREF。使用電壓表測(cè)量并記錄引腳6處的電壓，并將其定義為VCM；此為運(yùn)算放大器輸入端的共模電壓，并且由負(fù)反饋驅(qū)動(dòng)至非常接近內(nèi)部霍爾效應(yīng)傳感器的輸出。計(jì)算R2兩端的電壓：

　　VR2 = VREF – VCM                                                                             （1）

　　流經(jīng)R2的電流為：

　　IR2 = VR2/235 Ω                                                                                （2）

　　計(jì)算流經(jīng)反饋電阻R3的電流時(shí)可考慮電磁體遠(yuǎn)離芯片時(shí)的傳感器輸出電壓，相當(dāng)于傳感器的零高斯點(diǎn)。將此電壓定義為VOUT,Z，然后計(jì)算電流：

　　IR3 = （VCM – VOUT,Z）/100 kΩ                                                       （3）

　　計(jì)算將VOUT,Z從其當(dāng)前電平降至較低電平（本例中為0.5 V）所需的電壓偏移量。請(qǐng)注意，這是一個(gè)負(fù)值，計(jì)算公式如下：

　　VSHIFT = 0.5 V – VOUT,Z                                                                    （4）

　　通過(guò)反饋電阻R3使VOUT,Z偏移至0.5 V所需的額外電流ISHIFT的計(jì)算公式如下：

　　ISHIFT = VSHIFT/100 kΩ                                                                     （5）

　　請(qǐng)注意，這是一個(gè)負(fù)值，因?yàn)閂SHIFT為負(fù)數(shù)。通過(guò)R4（用于產(chǎn)生所需失調(diào)電壓）流入求和節(jié)點(diǎn)的電流（IR4）與ISHIFT的方向相反，因此可以寫成IR4 = –ISHIFT，為正值。

　　計(jì)算R4的值，注意R4兩端電壓為VCC與VCM之差，計(jì)算公式如下：

　　R4 = （VCC – VCM）/IR4                                                                     （6）

　　圖6.包含電阻R4（可改變失調(diào)電壓）的電路。

　　從套件中選擇一個(gè)最接近R4計(jì)算值的電阻。四舍五入產(chǎn)生的誤差會(huì)導(dǎo)致更高的輸出電壓。將R4置于電路中，如圖6中的原理圖所示。此外，圖8中也顯示了如何將此電阻置于試驗(yàn)板中。在這種情況下，套件中可用的最接近阻值為200 kΩ。在示波器的通道1，可以看到輸出失調(diào)電壓已降至其線性范圍的下限，接近所需的0.5 V電平。

　　圖7.輸出失調(diào)電壓已降低。

　　帶LED指示燈的磁性接近傳感器

　　可將接近傳感器輸出端的LED用作視覺(jué)指示器。可按照?qǐng)D8中所示進(jìn)行連接。將100 Ω電阻置于LED的陽(yáng)極和傳感器輸出端之間。這可以限制通過(guò)LED的電流。將陰極連接至GND。您會(huì)發(fā)現(xiàn)，電磁體越靠近芯片，LED燈越亮，因?yàn)榇艌?chǎng)會(huì)使傳感器的輸出電壓升高。

　　圖8.帶LED指示燈的磁性接近傳感器。

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