《電子技術應用》
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S頻段500 W高穩(wěn)相固態(tài)功放設計
電子技術應用 2023年7期
李成虎
(中國西南電子技術研究所,四川 成都 610036)
摘要: 介紹了一種S頻段500 W高穩(wěn)相固態(tài)功放的工程實現(xiàn)。根據(jù)實際工程需求,采用4片功率芯片進行大功率合成,在2 025 MHz~2 120 MHz頻率范圍內實現(xiàn)輸出功率大于600 W的固態(tài)功率放大器。采用了低附加相移電路設計、微波板材模塊化設計、功率回退等措施,實現(xiàn)了在0℃~30℃的環(huán)境溫度條件下,輸出功率在1 W~500 W功率范圍內,功放輸出端相位變化小于11.5°,滿足了厘米級擴頻測控系統(tǒng)對S頻段固態(tài)功放的工程技術要求。
中圖分類號:TN722.7
文獻標志碼:A
DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.223447
中文引用格式: 李成虎. S頻段500 W高穩(wěn)相固態(tài)功放設計[J]. 電子技術應用,2023,49(7):7-10.
英文引用格式: Li Chenghu. Design of an S-band 500 W high phase-stable solid-state power amplifier[J]. Application of Electronic Technique,2023,49(7):7-10.
Design of an S-band 500 W high phase-stable solid-state power amplifier
Li Chenghu
(Southwest China Institute of Electronic Technology,Chengdu 610036,China)
Abstract: This paper introduces an engineering realization of an S-band 500 W high phase-stable solid-state power amplifier.According to the engineering requirement,four power chips are used for high powersynthesis,and the solid-state power amplifier with output power>600 W is realized in the frequency range of 2 025 MHz~2 120 MHz.Under the environment temperature condition of 0℃~30℃,the phase change of 1 W~500 W output power is <11.5° by the low additional phase shift design,modular design of diffirent microwave plate units,power back-off and other measures,which achieved the engineering and technical requirement of the centimeter-level TT&C for S-band solid state power amplifier.
Key words : S-band;solid-state power amplifier;stability of phase;low additional phase shift

0 引言

目前,地面測控系統(tǒng)的測距精度為米量級,若將測距精度提高到厘米量級,地面設備在工作期間引起的距離零值漂移是影響厘米級測距系統(tǒng)測距精度的一個重要因素。文獻[1]對模擬信道中放大器等主要器件對距離零值的影響進行了分析,文獻[2]對放大器的相位穩(wěn)定性進行了初步分析,均未給出具體的實現(xiàn)方案。在已發(fā)表的S固態(tài)功放相關文獻中亦未對功放相位穩(wěn)定性進行具體的設計。

針對在厘米級測距系統(tǒng)中對S固態(tài)功放相位穩(wěn)定性的具體要求,即要求功放在不同環(huán)境溫度、不同輸出功率條件下具有較高的相位穩(wěn)定性,本文介紹了一種S頻段500 W高穩(wěn)相固態(tài)功放的設計方法,其在不同工作條件下具有良好的相位穩(wěn)定性,滿足了厘米級測距系統(tǒng)對S固態(tài)功放的工程技術要求。



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作者信息:

李成虎

(中國西南電子技術研究所,四川 成都 610036)


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