中國上海，2023年6月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路^[1]等應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

　　TPH3R10AQM具有業(yè)界領先的^[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“TPH3R70APL”低16%^[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%^[3]，使其適合線性模式工作。而且降低導通電阻和擴大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。

　　新產(chǎn)品采用高度兼容的SOP Advance（N）封裝。

　　未來，東芝將繼續(xù)擴展其功率MOSFET產(chǎn)品線，通過減少損耗來提高電源效率，并幫助降低設備功耗。

　　▲應用

　　-數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設備的電源

　　-開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

　　▲特性

　　-具有業(yè)界領先的^[2]低導通電阻：RDS（ON）＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）

　　-寬安全工作區(qū)

　　-高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃

　　▲主要規(guī)格

　　注：

　　[1] 在設備運行時，在不關閉系統(tǒng)的情況下導通和關斷系統(tǒng)部件的電路。

　　[2] 截至2023年6月的東芝調查。

　　[3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48V

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