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兆易創(chuàng)新業(yè)界最小塑封封裝產(chǎn)品面世

3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH
2023-05-17
來源:兆易創(chuàng)新

  中國北京(2023年5月16日) —— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度僅為0.4mm,容量高達(dá)128Mb,是目前業(yè)界在此容量上能實現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品,可在應(yīng)對大容量代碼存儲需求的同時,提供極大限度的緊湊型設(shè)計自由。

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  近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展,市場需求變化多樣,不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中提供豐富的功能,還要具有極低功耗,以保障產(chǎn)品的長時間工作。而SPI NOR Flash作為這些設(shè)備中重要的代碼存儲單元,需提供更小、更薄、更輕的產(chǎn)品選擇來滿足這些不斷變化的應(yīng)用需求。

  GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易創(chuàng)新旗艦型低功耗產(chǎn)品,此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH產(chǎn)品延續(xù)了LE系列的優(yōu)異性能,其最高時鐘頻率133MHz,數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)532Mbit/s,極大提升了客戶的系統(tǒng)訪問速度和開機效率,同時在4通道133MHz時,讀功耗僅為6mA,與行業(yè)同類產(chǎn)品相比,降低了45%的功耗,有效延長設(shè)備的續(xù)航時間。并且,更為重要的是GD25LE128EXH實現(xiàn)了128Mb容量產(chǎn)品上的超小尺寸,此前,業(yè)界128Mb容量產(chǎn)品的主流封裝為6mm×5mm×0.8mm WSON8,而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封裝,面積縮小達(dá)70%,厚度減薄50%,能夠顯著節(jié)省85%的空間體積,并節(jié)省材料成本。

  除了尺寸優(yōu)勢顯著提升之外,3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH與64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封裝產(chǎn)品引腳兼容,無需調(diào)整PCB布局即可快速升級容量至128Mb,對于不同容量需求的方案,進(jìn)一步簡化了其兼容性要求的設(shè)計。

  兆易創(chuàng)新存儲事業(yè)部執(zhí)行總監(jiān)陳暉先生表示:“作為業(yè)界領(lǐng)先的Fabless芯片供應(yīng)商,兆易創(chuàng)新不僅是創(chuàng)新技術(shù)的提倡者,同時也是先進(jìn)技術(shù)的踐行者。此次率先推出超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的128Mb SPI NOR Flash,完美匹配了業(yè)界對小型化和高集成度的要求,并且基于此封裝技術(shù)落地的首款產(chǎn)品GD25LE128EXH所具備的低功耗特性也使其適用于任何以電池供電的產(chǎn)品設(shè)計中。未來隨著智能設(shè)備的不斷升級,兆易創(chuàng)新預(yù)見大容量、小尺寸、低功耗的SPI NOR Flash產(chǎn)品將持續(xù)被業(yè)界需要。針對這一趨勢,公司正在規(guī)劃通過先進(jìn)封裝和存儲技術(shù)開發(fā)其它容量、更小尺寸的存儲產(chǎn)品,為客戶提供更多樣化的選擇。”

  GD25LE128EXH現(xiàn)已量產(chǎn),客戶可聯(lián)絡(luò)銷售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)信息。另外,同系列3mm×2mm×0.4mm FO-USON8封裝產(chǎn)品GD25LE64E也即將在5月底提供樣片,具體詳情請聯(lián)絡(luò)銷售代表。



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