2023 年以碳化硅 （SiC） 半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車(chē) （EV） 牽引逆變器中的兩項(xiàng)重大設(shè)計(jì)勝利開(kāi)始，牽引逆變器位于 EV 中的高壓電池和電動(dòng)機(jī)之間，可將來(lái)自電池的直流電轉(zhuǎn)換為 EV 電動(dòng)機(jī)使用的交流電。   首先，2023 年 1 月 4 日，onsemi 宣布其 SiC 模塊將為起亞 EV6 GT 車(chē)型的牽引逆變器供電，實(shí)現(xiàn)從 800 V 直流電池到后橋交流驅(qū)動(dòng)的高效功率轉(zhuǎn)換。值得一提的是，2022年12月，意法半導(dǎo)體宣布其SiC模組已納入現(xiàn)代電動(dòng)全球模組平臺(tái)（E-GMP），起亞EV6等多款車(chē)型共享。   后來(lái)，2023年1月10日，2010年開(kāi)始量產(chǎn)SiC MOSFET 的Rohm Semiconductor 宣布其 SiC MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 將為日本汽車(chē)零部件供應(yīng)商 Hitachi Astemo 開(kāi)發(fā)的 EV 逆變器提供動(dòng)力。柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 是 EV 逆變器中的重要組件，它在逆變器控制微控制器 （MCU） 和向逆變器供電的 SiC MOSFET 之間提供接口。柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 在低壓域中接收來(lái)自 MCU 的控制信號(hào)，并傳輸這些信號(hào)以快速打開(kāi)和關(guān)閉高壓域中的功率器件。   SiC 半導(dǎo)體在DC/DC 轉(zhuǎn)換器、牽引逆變器和車(chē)載充電器 （OBC） 等電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)中得到廣泛采用 。本文將解釋 SiC 半導(dǎo)體和模塊如何重振牽引逆變器，這是車(chē)輛電氣化的基本組成部分。根據(jù) Research and Markets 的數(shù)據(jù)，到 2028 年，全球牽引逆變器行業(yè)預(yù)計(jì)將達(dá)到 390 億美元。

　　800 伏系統(tǒng)逆變器中的碳化硅

　　雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來(lái)巨大好處，但對(duì)于依賴(lài)硅 （Si） MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來(lái)說(shuō)，在更高電壓下的性能會(huì)受到影響。因此，汽車(chē)設(shè)計(jì)企業(yè)正在用 SiC 取代傳統(tǒng)的 Si 功率器件。SiC 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可以實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度并且可以在更高的溫度下工作。與對(duì)應(yīng)的 Si 器件相比，SiC 器件更小并且可以承受更高的工作電壓。   以汽車(chē)解決方案供應(yīng)商 Delphi Technologies 為例，該公司在轉(zhuǎn)向 800 V 電池系統(tǒng)時(shí)，在 EV 逆變器中采用了Wolfspeed的 SiC MOSFET。這使得Delphi能夠開(kāi)發(fā)出比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的逆變器輕 40%、緊湊 30% 的逆變器。   SiC 功率開(kāi)關(guān)是Delphi逆變器設(shè)計(jì)的核心，有助于實(shí)現(xiàn)更高水平的雙面冷卻集成。這顯著降低了 SiC 組件與冷卻系統(tǒng)設(shè)計(jì)之間的熱阻。這是電動(dòng)汽車(chē)等高功率應(yīng)用的一個(gè)重要方面，在這些應(yīng)用中，功率模塊的散熱至關(guān)重要。   與硅基逆變器相比，冷卻系統(tǒng)與 SiC MOSFET 的高效接口導(dǎo)致功率系統(tǒng)更輕、更小、成本更低。因此，在 EV 逆變器中，基于 Si IGBT 的功率開(kāi)關(guān)正越來(lái)越多地被 SiC MOSFET 取代，SiC MOSFET 可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 70%，從而提高電氣化推進(jìn)系統(tǒng)的性能并降低成本。   除了更高的開(kāi)關(guān)效率和更高的結(jié)溫能力外，SiC MOSFET 還提供改進(jìn)的短路耐受時(shí)間和更低的導(dǎo)通電阻。與 Si IGBT 相比，這進(jìn)一步降低了功耗。Rohm聲稱(chēng)，根據(jù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)WLTC燃油效率測(cè)試計(jì)算，其第四代SiC MOSFET與主逆變器中的IGBT相比，功耗降低了6%。

　　從 Si IGBT 到 SiC MOSFET

　　在牽引逆變器（電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)中的一個(gè)重要組成部分）中，像 IGBT 這樣的開(kāi)關(guān)設(shè)備最初管理電源，因?yàn)槟孀兤鲗⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)的交流電。多年來(lái)，工程師們意識(shí)到逆變器在 EV 性能和續(xù)航里程方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在這里，節(jié)能組件可以以更高的效率從電池中提取更多能量，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車(chē)載電池的尺寸。   接下來(lái)，雖然電動(dòng)汽車(chē)的續(xù)航里程以及電池尺寸和重量一直是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，但當(dāng)電動(dòng)汽車(chē)從 400V 電池系統(tǒng)轉(zhuǎn)向 800V 電池系統(tǒng)時(shí)，汽車(chē)工程師開(kāi)始尋找能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。就在那時(shí)，SiC MOSFET 成為牽引逆變器等電動(dòng)汽車(chē)構(gòu)建模塊的首選技術(shù)。   據(jù)Delphi科技首席執(zhí)行官 Richard F. Dauch 稱(chēng)，與 400 V 系統(tǒng)相比，基于 SiC 的逆變器可使高達(dá) 800 V 的電氣系統(tǒng)顯著延長(zhǎng) EV 續(xù)航里程并將充電時(shí)間減半?！皩㈦妷簭?400 V 提高一倍可以為汽車(chē)用戶(hù)和制造商帶來(lái)廣泛的好處，”他說(shuō)。   onsemi 執(zhí)行副總裁兼電源解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 Simon Keeton 詳細(xì)闡述了基于 SiC 的動(dòng)力牽引解決方案的優(yōu)勢(shì)?！案呙芏?SiC 器件最大限度地減少了寄生效應(yīng)和熱阻，”他說(shuō)?！斑@會(huì)減少與直流到交流轉(zhuǎn)換相關(guān)的功率損耗，同時(shí)減小牽引逆變器的尺寸和重量?！?nbsp;  根據(jù)行業(yè)研究公司 IHS Markit 的數(shù)據(jù)，到 2025 年，全球高達(dá) 45% 的汽車(chē)生產(chǎn)將實(shí)現(xiàn)電氣化，每年將售出約 4600 萬(wàn)輛電動(dòng)汽車(chē)。據(jù)估計(jì)，到 2030 年，這些數(shù)字將上升到 57%，每年的電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量約為 6200 萬(wàn)輛。   雄心勃勃的汽車(chē)電氣化之路首先需要高壓功率器件。在這里，SiC 半導(dǎo)體因其更快的開(kāi)關(guān)速度和支持更高的電壓和溫度而被公認(rèn)為一種技術(shù)選擇。   隨著全球?qū)ζ?chē)電氣化的推動(dòng)，這使得 SiC 成為 2023 年及以后值得關(guān)注的技術(shù)。

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