《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術 > 業(yè)界動態(tài) > 意法半導體ST-ONEMP數字控制器簡化高能效雙端口USB-PD適配器設計

意法半導體ST-ONEMP數字控制器簡化高能效雙端口USB-PD適配器設計

2023-02-09
來源:意法半導體

2023 年 2 月 7 日,中國 —— 意法半導體的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數字控制器新增一個支持雙充電口的ST-ONEMP芯片。

3.jpg

ST-ONEMP數字控制器基于市場首個ST-ONE架構,在一個封裝內集成Arm? Cortex?-M0+ 微控制器、高能效非互補有源鉗位反激式控制器和USB-PD 3.1接口。ST-ONE 架構的初級側和次級側電路之間電流隔離,極大地簡化了USB-PD電源適配器的設計和組裝。

現(xiàn)在,通過增加電能共享支持功能,最新的ST-ONEMP簡化了在USB-PD 輸出外再增加一個輸出的雙充電口設計,提高終端用戶的充電靈活性和便利性。

在ST-ONEMP內部,Cortex-M0+ MCU微控制器位于充電器次級側,片上64KB閃存用于保存定制USB-PD協(xié)議和電源轉換固件。微控制器預裝USB-PD 3.1 PPS 認證固件,準許開發(fā)者為標準應用提供總包方案。MCU 控制同步整流器和反激式轉換器,并針對零電壓開關非互補有源鉗位拓撲優(yōu)化了微控制器,因為在高功率時,零電壓開關非互補有源鉗位能效高于傳統(tǒng)準諧振反激式變換拓撲。

ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術配套使用。MasterGaN技術包含意法半導體的集成柵極驅動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術的開關頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設計規(guī)范的高能效。

意法半導體用 ST-ONEMP 和 MASTERGAN4開發(fā)了EVLONEMP 65W + 10W AC/DC適配器參考設計,適配器的重量和體積與20W單端口智能手機充電器相當。峰值能效為 94%,比同類傳統(tǒng)雙口適配器高 2%,而 PCB 面積僅為傳統(tǒng)適配器的四分之一。因此,原始設備制造商可以縮減外殼尺寸,節(jié)省能源,減少塑料使用,提供更環(huán)保的產品。


本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。