在業(yè)界頻傳NAND閃存價(jià)格迅猛下滑之際，作為市占率近34%的全球最大閃存供應(yīng)商三星電子，卻仍在逆勢(shì)增加投資，并官宣其閃存產(chǎn)品將漲價(jià)10%。目前，這一漲價(jià)幅度，已為中國部分廠商接受。 1月12日，華爾街見聞獲悉，三星電子在西安的一個(gè)三期NAND閃存項(xiàng)目，進(jìn)入了蘋果智能手機(jī)NAND閃存供應(yīng)鏈。此前，三星電子已是蘋果公司最大的DRAM芯片供應(yīng)商。 但是，提價(jià)10%很可能并非三星電子的主要訴求。從各種跡象看，三星將于年內(nèi)開啟其閃存大幅降價(jià)的大幕。從逆勢(shì)增資擴(kuò)產(chǎn)，到大幅降價(jià)，個(gè)中原因，不問可知。 逆勢(shì)增資：三星心路人知

受低迷的存儲(chǔ)芯片市場影響，三星電子利潤受到打擊，但三星電子半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)卻沒有停滯。

全球存儲(chǔ)器市場結(jié)構(gòu)怎樣？

據(jù)英國市場追蹤機(jī)構(gòu)Omdia統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至2021年，三星在DRAM市場份額為42.7%，其次是SK海力士的28.6%和美光的22.8%；NAND閃存方面，截至2022年Q2，三星電子擁有33.9%的市場份額，位列全球第一；通過收購Intel NAND Flash閃存業(yè)務(wù)，SK海力士組建了新公司Solidigm，市場份額升至19.9％，緊隨三星電子之后排名第二。 值得一提的是，三星電子在NADA閃存市場獲得全球第一的市場地位，源自在2006-2009年一系列NADA閃存詭譎風(fēng)云中三星的逆勢(shì)增資擴(kuò)張。 這是一次極為成功的逆勢(shì)“加倉”之后的驚人逆襲。三星電子在行業(yè)低迷期擴(kuò)大投資規(guī)模，最終擊敗當(dāng)時(shí)市場份額領(lǐng)先于三星電子的對(duì)手，比如德國奇夢(mèng)達(dá)、日本“國家隊(duì)”爾必達(dá)和東芝。 這次成功經(jīng)驗(yàn)，充分解釋了三星電子再次遇到行業(yè)低迷期，為何仍敢于逆勢(shì)增資擴(kuò)產(chǎn)的信心迷局。

2022年，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下行周期，存儲(chǔ)市場占據(jù)半導(dǎo)體約30%的比例，故受到較大行業(yè)下行影響：包括三星電子、美光和SK海力士在內(nèi)的多家存儲(chǔ)廠商均出現(xiàn)虧損。 因此，行業(yè)風(fēng)格保守，一眾巨頭也開始收縮業(yè)務(wù)。比如美光計(jì)劃將2023財(cái)年投資額，從2022財(cái)年的120億美元，下調(diào)至70億-75億美元；同時(shí)，還將大幅減少2024財(cái)年的資本支出；SK海力士也在2022年10月宣布，2023年的設(shè)備投資預(yù)算幅度，將比2022年減少超過50%。

但是三星例外，其投資風(fēng)格極為激進(jìn)，這與美光和SK海力士因市場低迷而收縮業(yè)務(wù)規(guī)模的做法，顯得格外與眾不同。 公開消息顯示，三星電子已決定，在2023年提升其存儲(chǔ)器和晶圓廠10%的產(chǎn)能。這些產(chǎn)能也有部分來自中國的三星新投資項(xiàng)目。

1月12日，華爾街見聞從供應(yīng)鏈了解到，三星西安三期項(xiàng)目12寸（300mm）晶圓廠將于2月中旬開工。這個(gè)項(xiàng)目原本定于2022年12月啟動(dòng)，但受內(nèi)外多種因素影響，故而有所延期。 三星電子西安三期項(xiàng)目總投資高達(dá)3000億元人民幣。目前，這個(gè)工廠的定位是三星電子NAND閃存半導(dǎo)體的生產(chǎn)基地，與前兩期項(xiàng)目的產(chǎn)能合并后，將占據(jù)三星電子NAND全球總產(chǎn)能的40%。前兩期項(xiàng)目已達(dá)產(chǎn)，每月生產(chǎn)12英寸晶圓量達(dá)25萬張，年?duì)I收高達(dá)1000億元人民幣。

與臺(tái)積電或英特爾均已做出的減產(chǎn)計(jì)劃相比，三星電子同樣屬于逆勢(shì)“加倉”。此舉說明三星電子野心極大，既想稱霸存儲(chǔ)器市場，也想在晶圓代工領(lǐng)域反超臺(tái)積電。 除了中國項(xiàng)目，三星電子將對(duì)在韓國京畿道平澤市第一工廠（P1）的NAND閃存設(shè)備做升級(jí)。

P1的NAND線預(yù)計(jì)將改造為V8（238層）NAND量產(chǎn)線，可加工約3萬張晶圓。此前，有消息稱，三星電子可能會(huì)在2023年下半年，投資已完成外裝工程的平澤4號(hào)廠房（P4）一期工程新的NAND生產(chǎn)線。

據(jù)中國臺(tái)灣市場研究公司Trend Force的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，截至2022年底，三星電子NAND晶圓月產(chǎn)量約為64.5萬張。就半導(dǎo)體投資而言，三星電子決定在所有領(lǐng)域都保持2021年的水平。 另據(jù)英國市場研究公司Omdia的數(shù)據(jù)顯示，NAND市場價(jià)值約為665億美元。鑒于此等規(guī)模的市場前景，三星或許想通過增加NAND產(chǎn)能，以擠壓或吞并規(guī)模較小的行業(yè)企業(yè)。目前，在NAND領(lǐng)域，仍有6-7家企業(yè)在爭奪全球范圍內(nèi)的市場份額。 手段：提價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)、降價(jià)

1月6日，這家韓國市值最高的公司對(duì)外表示，2022年10月-12月季度營業(yè)利潤可能同比下降 69%，低于市場預(yù)期的38%降幅，創(chuàng)下2008年同季度以來的最大降幅紀(jì)錄。 與2022年三季度相比，用于智能手機(jī)和其他設(shè)備的NAND閃存基準(zhǔn)在2022年四季度期間，跌幅達(dá)到14%。 可以說，三星電子面臨行業(yè)低迷和公司業(yè)績下滑的雙重壓力，卻仍在逆勢(shì)增資擴(kuò)產(chǎn)。這家公司表示，將繼續(xù)從中長期的角度為市場復(fù)蘇做準(zhǔn)備。

由上文可知，三星對(duì)逆勢(shì)投資有過成功經(jīng)驗(yàn)。多年來，三星常常在行業(yè)不景氣時(shí)期做巨額投資，以在下一個(gè)繁榮時(shí)期擊敗競爭對(duì)手，從而引領(lǐng)全球內(nèi)存市場。

俗話說，手中有糧，心中才能不慌。 三星敢于逆勢(shì)大舉增資，底氣來自其擁有的規(guī)模龐大的現(xiàn)金儲(chǔ)備。截至2022年9月底，三星持有約128.8萬億韓元（約合1010億美元）現(xiàn)金，約是其競爭對(duì)手SK海力士或美光的10倍。 韓國政府也很給力。韓國在2023年1月3日宣布，計(jì)劃將半導(dǎo)體和電池等戰(zhàn)略技術(shù)資本支出的稅收減免，從8%擴(kuò)大到15%，接近翻倍。

除了想靠技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)能規(guī)模壓制對(duì)手，復(fù)制2006-2009年的那次成功逆襲，還有個(gè)重要原因，即三星電子已成功進(jìn)入蘋果NAND閃存供應(yīng)鏈。此事得益于中國本土一家NAND閃存巨頭遇到的眾所周知的技術(shù)限制。 這家中國公司在遭遇技術(shù)約束后，三星電子成為了蘋果公司在中國的NAND存儲(chǔ)芯片替代供應(yīng)商。華爾街見聞獲悉，三星電子位于西安的NAND閃存工廠將為蘋果供應(yīng)NAND閃存。目前，這個(gè)工廠的三期工程將于2月動(dòng)工。

值得一提的是，不久前，三星電子官宣其閃存產(chǎn)品將提價(jià)10%，而部分中國公司已接受這一報(bào)價(jià)。 但是，據(jù)公開報(bào)道顯示，三星電子可能會(huì)于2023年開啟包括NAND閃存在內(nèi)的大幅降價(jià)，以進(jìn)一步提高在全球存儲(chǔ)芯片市場的份額。

對(duì)NAND技術(shù)、產(chǎn)能和價(jià)格三者之間關(guān)系的理解，也能從另一個(gè)角度解釋三星電子為何逆勢(shì)增資的意圖。 在NAND領(lǐng)域，NAND制造商做的激烈技術(shù)角逐，集中在增加垂直層數(shù)方面。SK海力士和美光都已推出200多層的NAND技術(shù)，但三星認(rèn)為，“重要的不是層數(shù)，而是產(chǎn)能以及專注于提供具有價(jià)格競爭力的更優(yōu)解決方案”。 說是這么說，但三星并沒有放松NAND的技術(shù)迭代，其技術(shù)水平也極為高超。 目前，三星電子生產(chǎn)的第八代V-NAND高達(dá)230層；第9代V-NAND也已在研發(fā)過程中，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)。2030年，三星將推出高達(dá)1000層的V-NAND產(chǎn)品。

鑒于DRAM的對(duì)于消費(fèi)電子級(jí)的重要性，三星也在重兵布局這個(gè)方向。 為推進(jìn)10nm范圍以外的微縮，三星電子正在開發(fā)圖案、材料和架構(gòu)方面做持續(xù)突破。

2022年底，三星官方透露，其即將推出的DRAM解決方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到了HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解決方案。此外，三星計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)亞納米DRAM。

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