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日本研發(fā)新一代光刻機,佳能3.6億美元東京建廠

2022-12-13
來源:21ic

佳能正在東京以北的栃木縣宇都宮建廠,估計耗資 500 億日元(約合 3.66 億美元)。

該工廠將用于制造 KrF 和 i-line 光刻機,還將用于增加納米壓印光刻 (NIL) 機的產量。計劃于 2025 年開始運營。

KrF 和 i-line 光刻是成熟的技術,但它們仍被廣泛用于定義眾多 IC 類型、MEMS 和平板顯示器。

NIL 也可用于這些寬松的幾何形狀,但可以在 10 納米及以下定義更精細的結構尺寸。

佳能董事長兼首席執(zhí)行官御手洗富士夫在伴隨佳能 22 財年第 3 季度財務業(yè)績向分析師發(fā)表的演講中表示,該公司正處于針對在大規(guī)模生產中使用 NIL 進行調整的最后階段。

Mitarai 表示,自 2021 年 3 月 NIL 被選為研發(fā)項目以來,佳能一直與國家研發(fā)機構新能源和工業(yè)技術開發(fā)組織 (NEDO) 合作。

佳能于 2014 年通過收購成立于2001年的Molecular Imprints Inc.(德克薩斯州奧斯汀),將其更名為 Canon Nanotechnologies Inc.,從而進入 NIL市場。

該公司聲稱其技術版本可以以非常低的成本將納米壓印功能降至 10 納米及以下。

這可能使該技術成為臺積電、三星和其他公司正在使用的非常昂貴的極紫外 (EUV) 光刻技術的替代品。



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