2022年，智能手機(jī)、PC等消費(fèi)電子市場(chǎng)需求放緩，供需失衡之下，庫存持續(xù)上升，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不可避免受到嚴(yán)重影響。
TrendForce表示，DRAM價(jià)格自年初以來就一路走跌，下半年合約價(jià)每季跌幅更超過10%，顯見需求市場(chǎng)的嚴(yán)峻；閃存市場(chǎng)同樣呈現(xiàn)供過于求的狀態(tài)，導(dǎo)致第三季wafer價(jià)格跌幅達(dá)30%-35%，預(yù)計(jì)第四季NAND價(jià)格持續(xù)下探。
Gartner此前觀點(diǎn)表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)疲軟期至少將持續(xù)到2023 年，預(yù)計(jì)明年的半導(dǎo)體收入將下降2.5%左右。而存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的下滑勢(shì)頭會(huì)更大，可能突破10%。
世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）給出的預(yù)測(cè)更為悲觀。其表示，受到存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)急劇冷凍所拖累，2023年的全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將萎縮4.1%至5570億美元，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)則將出現(xiàn)17%的降幅。
市場(chǎng)的供過于求強(qiáng)烈推動(dòng)了存儲(chǔ)市場(chǎng)進(jìn)入下行周期，存儲(chǔ)芯片的頭部廠商正努力跨越“寒冬”。
在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)陣陣寒意再次涌上心頭之際，我們來回顧一下存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展歷程，以求從中汲取經(jīng)驗(yàn)，反哺行業(yè)發(fā)展。
以史為鏡，可以知興替。
存儲(chǔ)行業(yè)興起于上實(shí)際60年代，是半導(dǎo)體行業(yè)重要的細(xì)分領(lǐng)域，約占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的25%。DRAM和NAND閃存為存儲(chǔ)芯片行業(yè)中占比最高的兩個(gè)分支，銷售總額占據(jù)了整個(gè)存儲(chǔ)芯片行業(yè)90%以上的市場(chǎng)份額。
存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展歷程大致可分為3個(gè)階段。1990年以前，DRAM為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上主要的產(chǎn)品，且伴隨少量的EPROM和EEPROM；1990年至2000年，NOF Flash開始逐步占據(jù)一定比例的市場(chǎng)份額；2000年以后，NAND Flash開始爆發(fā)式增長(zhǎng)，其市場(chǎng)規(guī)模直逼DRAM, 而NOF Flash的市場(chǎng)規(guī)模于2006年達(dá)到頂峰后開始逐漸下滑，但于近兩年又開始有微小上升趨勢(shì)。
存儲(chǔ)行業(yè)的主要玩家伴隨歷史發(fā)展發(fā)生了顯著的變化，霸主地位由一開始的美國(guó)企業(yè)（1969-1984年）逐步轉(zhuǎn)移到日本（1985-1996年），最后再轉(zhuǎn)移到韓國(guó)企業(yè)（1996-現(xiàn)在）。
據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，目前在DRAM市場(chǎng)，三星、美光、SK海力士合計(jì)占比約94%；NAND Flash領(lǐng)域，三星、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾合計(jì)占比約98%。
DRAM產(chǎn)業(yè)“第六次大蕭條”
相比于過去兩年的“一芯難求”，隨著消費(fèi)電子市場(chǎng)進(jìn)入下滑周期，以DRAM為代表的芯片需求正在快速下滑。
DRAM產(chǎn)業(yè)正在被貼上“第六次大蕭條”、“產(chǎn)業(yè)下行”、“市場(chǎng)寒冬”的標(biāo)簽?？v觀內(nèi)存芯片全球發(fā)展史，圍繞DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展而產(chǎn)生的激烈競(jìng)爭(zhēng)此起彼伏。
1966年，來自IBM的羅伯特·登納德成功研發(fā)出MOS型晶體管+電容結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展從此開啟。
行業(yè)發(fā)展早期，Intel依靠DRAM量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)一家獨(dú)大。由于當(dāng)時(shí)大中型計(jì)算機(jī)使用的磁鼓存儲(chǔ)器笨重昂貴，Intel向計(jì)算機(jī)用戶大力宣傳DRAM，1972 年憑借 1K DRAM 取得巨大成功。服務(wù)于HP、DEC等重要客戶，IBM在新推出的S370/158大型計(jì)算機(jī)上，也開始使用DRAM內(nèi)存。
1974年，英特爾DRAM產(chǎn)品的全球市場(chǎng)份額達(dá)到驚人的82.9%。就在英特爾在DRAM領(lǐng)域賺得盆滿缽滿的同時(shí)，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也在迅速崛起。1973年，美國(guó)德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）、日本NEC等廠商先后進(jìn)入DRAM市場(chǎng)。
其中，Mostek利用技術(shù)升級(jí)成為市場(chǎng)霸主，70年代后期，Mostek一度占據(jù)了全球DRAM市場(chǎng)85%的份額?？上?，沒過多久，因遭遇資本市場(chǎng)的惡意收購，公司發(fā)展遭遇較大障礙。Mostek被UTC收購，后來又轉(zhuǎn)賣給了意法半導(dǎo)體。1978年，幾位從Mostek公司離職的技術(shù)人員，在愛達(dá)荷州一家牙科診所的地下室，共同創(chuàng)立了一家新的存儲(chǔ)技術(shù)公司，也就是后來的存儲(chǔ)巨頭——Micron（美光）。
Mostek是內(nèi)存界第一個(gè)敗退的巨頭，也為美國(guó)群雄接下來的連續(xù)崩潰埋下了伏筆。
除了國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之外，英特爾面臨的更大威脅來自國(guó)外。1970年代，經(jīng)濟(jì)高速崛起的日本看到DRAM市場(chǎng)潛力后，在70年代末期以舉國(guó)體制發(fā)展DRAM技術(shù)，成立了VLSI聯(lián)合研發(fā)體。在VLSI項(xiàng)目的幫助下，1977年日本成功研制出了64K DRAM，追平了美國(guó)公司的研發(fā)進(jìn)度。
隨后日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)進(jìn)入增長(zhǎng)爆發(fā)期。到了1980年代中期，富士通、日立、三菱、 NEC、東芝等一眾日本廠商繼續(xù)發(fā)力，憑借質(zhì)量和價(jià)格優(yōu)勢(shì)，快速占領(lǐng)全球市場(chǎng)，開始反超美國(guó)公司。
1984年，日立生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存已開始采用1.5um生產(chǎn)工藝，三菱甚至公開4M DRAM關(guān)鍵技術(shù)。到1986年，僅東芝一家，每月1M DRAM產(chǎn)量就超過100萬塊。
由于日本廉價(jià)DRAM的大量?jī)A銷，美光被迫裁員一半，只得向美國(guó)政府尋求幫助；Intel也深陷泥潭，無奈退出DRAM市場(chǎng)。
另外，1983-1985年游戲機(jī)市場(chǎng)的崩盤，市場(chǎng)銷量下降到只有之前的10%不到，也是導(dǎo)致內(nèi)存嚴(yán)重過剩，導(dǎo)致了Intel和國(guó)家半導(dǎo)體等美國(guó)廠商退出DRAM領(lǐng)域的一個(gè)重要原因。
1986年，日本存儲(chǔ)器產(chǎn)品的全球市場(chǎng)占有率上升至65%，而美國(guó)則降低至30%。
然而，就在日本半導(dǎo)體廠商橫掃存儲(chǔ)市場(chǎng)的時(shí)候，外部政治環(huán)境開始發(fā)生了微妙的變化。1985年日美關(guān)系發(fā)生轉(zhuǎn)變，美國(guó)主導(dǎo)的《廣場(chǎng)協(xié)議》以及對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)品發(fā)起反傾銷訴訟，致使日本產(chǎn)品性價(jià)比極速下降。
在接二連三的打擊下，日本半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)份額一落千丈，很快喪失了主導(dǎo)權(quán)。
此時(shí)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)向了韓國(guó)，韓國(guó)三星、LG、現(xiàn)代、大宇等財(cái)閥集團(tuán)也看中了半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)前景，通過購買、引進(jìn)技術(shù)專利及加工設(shè)備，對(duì)其進(jìn)行消化吸收，積蓄技術(shù)力量。其中，三星通過購買專利疊加自研的方法迅速崛起，隨后在 DRAM領(lǐng)域繼續(xù)保持著高投入研發(fā)，最終實(shí)現(xiàn)技術(shù)超越成為新巨頭。
1998年韓企在DRAM份額超過日本企業(yè)。
DRAM產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了幾十多年的發(fā)展，如果用一個(gè)詞來形容這四十年，那就是——“腥風(fēng)血雨”。
2001年，因?yàn)楝F(xiàn)代電子從現(xiàn)代集團(tuán)中拆分，公司改名為海力士。同年美光完成收購德州儀器的內(nèi)存部門，隨著1999年到2001年內(nèi)存行業(yè)整合結(jié)束，三星、美光、海力士、英飛凌四家掌握有全球近八成的DRAM市場(chǎng)份額。
在經(jīng)過日韓兩國(guó)之間不斷的價(jià)格戰(zhàn)，激烈競(jìng)爭(zhēng)的大浪淘沙后，DRAM市場(chǎng)玩家剩下三星、SK海力士、奇夢(mèng)達(dá)、美光、爾必達(dá)這五家。
2007年微軟推出Vista系統(tǒng)，提高了對(duì)內(nèi)存的消耗，各大廠商紛紛擴(kuò)大產(chǎn)能以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求，結(jié)果Vista銷量平淡，供過于求的DRAM價(jià)格便一路下滑，并在2008年全球金融危機(jī)中跌破材料成本。
此時(shí)的三星為了提高市場(chǎng)占有率，不惜虧本擴(kuò)大產(chǎn)能加劇行業(yè)虧損，導(dǎo)致奇夢(mèng)達(dá)和爾必達(dá)接連被淘汰。在歷經(jīng)多年搏殺后，全球DRAM廠商逐漸從“群雄逐鹿”變成“三足鼎立”。
2016年手機(jī)內(nèi)存需求的快速增長(zhǎng)導(dǎo)致全球內(nèi)存芯片缺貨，而內(nèi)存條價(jià)格也跟著水漲船高。據(jù)Business korea報(bào)道，內(nèi)存價(jià)格大漲的背后可能不全是市場(chǎng)因素，是三星、美光等存儲(chǔ)公司通過削減產(chǎn)量、減少供應(yīng)的方式，抬高了DRAM的價(jià)格。
可見，商業(yè)世界里，一個(gè)行業(yè)高度壟斷可能造成的結(jié)果是：頭部廠商有可能操縱產(chǎn)量和價(jià)格，用低價(jià)來擠垮競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，或用漲價(jià)來謀取暴利。
DRAM產(chǎn)業(yè)最大的特點(diǎn)就是其周期性規(guī)律。業(yè)內(nèi)人士曾指出：DRAM存儲(chǔ)，每賺錢一年，就要虧錢兩年，所謂“賺一虧二”。
在這種強(qiáng)烈的周期性規(guī)律下，想要長(zhǎng)期生存下去，是一件非常困難的事情。DRAM廠商需要有強(qiáng)大的現(xiàn)金流和融資能力，能夠維持高強(qiáng)度的研發(fā)支出，保持團(tuán)隊(duì)的穩(wěn)定。
在虧損周期，DRAM廠商需要更多的錢，才能夠活下去。在繁榮周期，也不能大意。廠商在選擇擴(kuò)充產(chǎn)能時(shí)機(jī)時(shí)，需要非常謹(jǐn)慎。不然就可能導(dǎo)致供大于求，盈利變虧損。
“逆周期投資”法寶
四十年前，全球大概有幾十家DRAM廠商。如今，只剩下三家，競(jìng)爭(zhēng)之殘酷，由此可見一斑。這四十年里，有一家企業(yè)不僅堅(jiān)持活了下來，還干掉無數(shù)對(duì)手，長(zhǎng)期占據(jù)霸主地位。這家企業(yè)，就是前面提到的三星。
三星這家公司，就是靠著韓國(guó)的舉國(guó)之力，接二連三地采用“逆周期投資”策略，干掉了無數(shù)對(duì)手，成為了半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域的老大。
第一次“逆周期投資”
三星的第一次“反周期投入”，就發(fā)生在前文所說的1980年代中期。
彼時(shí)，日美激戰(zhàn)正酣，DRAM市場(chǎng)普遍不景氣，價(jià)格大跌，從1984年初的每片4美元下降到1985年的30美分。而三星推出64K DRAM時(shí)，生產(chǎn)成本是1.3美元/片。
面對(duì)行業(yè)寒冬，三星不僅沒有收縮投資，反而開始逆向投資，擴(kuò)大產(chǎn)能，并開發(fā)更大容量的DRAM。到1986年底，三星半導(dǎo)體累積虧損3億美元，股權(quán)資本完全虧空，接近破產(chǎn)。
關(guān)鍵時(shí)期，韓國(guó)政府出手“救市”，總共投入近3.5億美金，并且以政府名義背書，給三星拉來了20億美元的個(gè)體募資。并且趕上日本半導(dǎo)體被美國(guó)壓制，加上PC電腦進(jìn)入熱銷期帶來的行業(yè)繁榮，使得三星順利翻盤，迎來業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。
不久后，以三星為代表的韓系DRAM廠商，逐漸蠶食了日本半導(dǎo)體企業(yè)讓出的市場(chǎng)份額，占據(jù)了市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。
第二次“逆周期投資”
1992年，日本住友樹脂廠發(fā)生爆炸，導(dǎo)致原材料供應(yīng)緊張，內(nèi)存價(jià)格暴漲。這一年，三星率先推出世界上第一個(gè)64M DRAM。
1993年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)又開始轉(zhuǎn)弱。這時(shí)，三星故技重施，采取了第二次“反周期投入”，投資興建8英寸硅片生產(chǎn)線來生產(chǎn)DRAM。
1995年，微軟公司W(wǎng)indows95視窗操作系統(tǒng)發(fā)布，極大地刺激了內(nèi)存的需求，帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格大幅上揚(yáng)，三星的投資獲得回報(bào)。全球各大廠商后知后覺，紛紛投資擴(kuò)大產(chǎn)能。
然而，到了1995年底，各廠商8英寸晶圓廠投產(chǎn)后，導(dǎo)致產(chǎn)能急劇增加，使得DRAM供大于求。于是，賣方市場(chǎng)又變成了買方市場(chǎng)，價(jià)格又開始下跌。在此情況下，廠商們被迫削減產(chǎn)量，減小投資規(guī)模。
三星繼續(xù)擴(kuò)大投資。1996年，三星推出世界上第一個(gè)1GB DRAM，奠定了行業(yè)領(lǐng)軍地位。
直到1999年，DRAM價(jià)格下跌的趨勢(shì)有所緩解。因?yàn)榛ヂ?lián)網(wǎng)泡沫的出現(xiàn)，DRAM行業(yè)進(jìn)入了短暫的繁榮階段。
同年，在激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下，DRAM行業(yè)發(fā)生了若干重大變化：
韓國(guó)現(xiàn)代內(nèi)存與LG半導(dǎo)體合并，成立現(xiàn)代半導(dǎo)體，后來，又從現(xiàn)代集團(tuán)拆分（2001年），改名海力士（Hynix）；美國(guó)存儲(chǔ)廠商美光收購德州儀器內(nèi)存部門；日本方面，日立、NEC、三菱電機(jī)的DRAM業(yè)務(wù)整合，抱團(tuán)成立了爾必達(dá)。
歐洲方面，西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門獨(dú)立，成立了億恒科技，2002年改名為英飛凌。再后來，2006年英飛凌科技存儲(chǔ)器事業(yè)部拆分獨(dú)立，變成了奇夢(mèng)達(dá)。
然而好景不長(zhǎng)，隨著互聯(lián)網(wǎng)泡沫破碎，2000年全球遭遇互聯(lián)網(wǎng)危機(jī)。PC市場(chǎng)遭受重創(chuàng)，DRAM的市場(chǎng)需求也急速下降，而三星、美光、海力士、英飛凌等龍頭企業(yè)剛經(jīng)歷擴(kuò)產(chǎn)，價(jià)格又迎來了跳水，DRAM市場(chǎng)規(guī)模從288億美元腰斬至110億美元。
經(jīng)濟(jì)危機(jī)過后，DRAM市場(chǎng)從低谷中逐漸恢復(fù)。2006年，三星開發(fā)出世界上第一個(gè)50nm工藝的1GB DRAM；海力士則開發(fā)出當(dāng)時(shí)世界上最高速的200MHz 512MB Mobile DRAM。
那一時(shí)期，DRAM市場(chǎng)逐漸形成了五強(qiáng)格局：三星（韓）、SK海力士（韓）、奇夢(mèng)達(dá)（德）、美光（美）和爾必達(dá)（日）。
第三次“逆周期投資”
2007年，微軟推出Vista系統(tǒng)。該系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存消耗較大，DRAM廠商預(yù)期內(nèi)存需求大增，于是紛紛增加產(chǎn)能。但實(shí)際上，Vista銷量很差，沒有帶動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)，導(dǎo)致產(chǎn)能再次過剩。
更殘酷的是，2008年金融危機(jī)爆發(fā)，導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)雪上加霜。內(nèi)存價(jià)格一路下跌，甚至跌破材料成本，行業(yè)面臨洗牌。
就在眾廠商哀鴻遍野時(shí)，三星第三次舉起了“反周期”屠刀，決定將三星電子總利潤(rùn)的118%投入DRAM擴(kuò)張業(yè)務(wù)，進(jìn)而加劇行業(yè)虧損，給艱難度日的對(duì)手們壓上最后一根稻草。
當(dāng)年排名第三的德系廠商奇夢(mèng)達(dá)成為倒在2009年春天的第一個(gè)大廠。自此，歐洲玩家正式退出DRAM 市場(chǎng)。2012年初，曾經(jīng)的DRAM頭部廠商爾必達(dá)也支撐不下去了，宣布破產(chǎn)，曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場(chǎng)50%以上份額的日本，也輸?shù)袅俗詈笠粡埖着啤?/p>
總結(jié)來看，三星充分利用了存儲(chǔ)器行業(yè)的強(qiáng)周期特點(diǎn)，在價(jià)格下跌，生產(chǎn)過剩，其他企業(yè)削減投資的時(shí)候，逆勢(shì)瘋狂擴(kuò)產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進(jìn)一步下殺產(chǎn)品價(jià)格，從而逼競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手退出市場(chǎng)甚至直接破產(chǎn)，世人稱之為“逆周期投資”。
三星的逆周期投資已經(jīng)成為半導(dǎo)體界的一段傳奇故事。
至此，DRAM領(lǐng)域形成了三星、SK海力士、美光“三足鼎立”的局面。2011年之后，DRAM內(nèi)存的市場(chǎng)格局沒有發(fā)生什么重大變化。但是，DRAM的用戶需求和市場(chǎng)環(huán)境，變化很大。
之后，三大DRAM廠商為提高自身市占率 ，繼續(xù)大打價(jià)格戰(zhàn)，DRAM價(jià)格不斷下跌。2017-2018年，受益于數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)市場(chǎng)需求，DRAM市場(chǎng)迎來增長(zhǎng)。服務(wù)器DRAM、移動(dòng)DRAM需求成長(zhǎng)，DRAM廠商的供應(yīng)量增長(zhǎng)低于市場(chǎng)需求量，DRAM價(jià)格一路上揚(yáng)。此外，運(yùn)算加密貨幣所需的繪圖型DRAM推動(dòng)了市場(chǎng)供不應(yīng)求加劇。
2019 年，由于前期產(chǎn)能擴(kuò)張和去庫存因素，存儲(chǔ)芯片價(jià)格下跌較多。加密貨幣市場(chǎng)價(jià)格崩塌、智能手機(jī)市場(chǎng)進(jìn)入成熟期，驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)進(jìn)一步需求疲軟，DRAM價(jià)格跌幅最高達(dá)37%。
1994年以來，DRAM江湖經(jīng)歷了五次大蕭條。目前，DRAM行業(yè)又處于多周期疊加下的“寒冬”，DRAM產(chǎn)業(yè)的第六次蕭條或許正在路上。
DRAM江湖：從群雄割據(jù)，到三分天下
總體上來說，DRAM產(chǎn)業(yè)每3-5年都經(jīng)歷“需求提出-供不應(yīng)求-價(jià)格上漲-擴(kuò)充產(chǎn)能-產(chǎn)能過剩-價(jià)格下跌-重新洗牌”的過山車，如此不斷循環(huán)。
縱觀 DRAM發(fā)展歷史，DRAM產(chǎn)業(yè)具備成長(zhǎng)和周期雙重屬性，圍繞成本、技術(shù)、品質(zhì)等為核心競(jìng)爭(zhēng)要素，而背后需要企業(yè)在融資能力、產(chǎn)業(yè)鏈配套及人才梯隊(duì)等全方位儲(chǔ)備，考驗(yàn)企業(yè)系統(tǒng)性的資源調(diào)動(dòng)能力。
DRAM行業(yè)早期競(jìng)爭(zhēng)激烈，參與者眾多，70 年代是市場(chǎng)分水嶺。1972 年，Intel 憑借 1K DRAM研發(fā)取得成功，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)。同時(shí)期，IBM 和德州儀器也開始入局。1973 年，PC 需求放緩對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成沖擊。德州儀器和各大日本廠商抓住時(shí)機(jī)進(jìn)入內(nèi)存市場(chǎng)，Intel 市場(chǎng)份額快速下降。80 年代，日本廠商憑借低價(jià)的優(yōu)勢(shì)份額持續(xù)提升，韓國(guó)三星也在此時(shí)開始布局DRAM。1984 年，Intel 開始退出市場(chǎng)；1998 年，德州儀器將存儲(chǔ)業(yè)務(wù)出售給美光；1999年 IBM 也將合資工廠出售給東芝并退出市場(chǎng)。
過去50多年的發(fā)展歷程中，存儲(chǔ)企業(yè)間搏殺慘烈，王朝幾經(jīng)更替。美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣的選手，懷揣巨額籌碼，興高采烈地走進(jìn)來，卻在輸光之后黯然離場(chǎng)。無數(shù)名震世界的產(chǎn)業(yè)巨頭轟然倒地，就連開創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM，也在商業(yè)廝殺中含恨退出了DRAM市場(chǎng)。
經(jīng)過大浪淘沙后，英特爾、IBM、英飛凌、Motorola、德州儀器、日立、三菱、東芝、松下、現(xiàn)代、LG等廠商紛紛退出了DRAM江湖。
近10年來DRAM市場(chǎng)集中度逐漸上升，當(dāng)前全球DRAM廠商的數(shù)量不到10家，形成了三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局，在DRAM市場(chǎng)呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿。2021年，三巨頭總共占有94%的DRAM市場(chǎng)份額。
NAND閃存，35年跌宕起伏
另一邊，NAND閃存市場(chǎng)同樣激烈。
在日美激戰(zhàn)正酣的1984年，東芝（2017年4月東芝存儲(chǔ)器集團(tuán)從東芝公司剝離，并于2019年10月正式更名為KIOXIA，中文名為鎧俠）跨時(shí)代地提出了“閃存”概念，宣告一個(gè)新時(shí)代的到來。
遺憾的是，F(xiàn)lash閃存并沒有得到東芝公司的充分重視。相比已經(jīng)開跑多年的DRAM，以及日本DRAM正強(qiáng)勢(shì)碾壓美國(guó)，剛面世的NAND閃存在東芝眼里瞬間黯然失色。
直到三年之后，東芝才根據(jù)閃存的概念發(fā)明出了全球第一塊NAND閃存芯片，為之后的電腦、智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心等許多新應(yīng)用奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。
整個(gè)90年代末，受益于手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式攝像機(jī)、MP3播放器等消費(fèi)數(shù)碼產(chǎn)品的爆發(fā)，F(xiàn)lash市場(chǎng)規(guī)模迅猛提升。當(dāng)時(shí)，市場(chǎng)一片繁榮，參與的企業(yè)也數(shù)量眾多。
此時(shí)的閃存市場(chǎng)，競(jìng)爭(zhēng)開始加劇，英特爾、三星、東芝等廠商互不相讓地追逐NAND閃存的制高點(diǎn)。
進(jìn)入21世紀(jì)，NAND Flash崛起的勢(shì)頭更加迅猛。
在互聯(lián)網(wǎng)泡沫與美國(guó)的圍追堵截之下，2001財(cái)年，東芝在巨額虧損之下徹底剔除DRAM，將DRAM業(yè)務(wù)賣給了美光。之后便決意重拾此前不被自己重視的NAND閃存業(yè)務(wù)。
三星則一路披荊斬棘，將NAND閃存的容量從1G升到2GB、4Gb、8Gb、16Gb、32Gb、64Gb，在工藝方面，三星成功開發(fā)出90nm、70nm、50nm、40nm、30nm。
雖然退出DRAM市場(chǎng)，但在閃存領(lǐng)域，英特爾并未放棄。1992年，英特爾第一款NAND閃存產(chǎn)品姍姍來遲，容量為12MB。
在這場(chǎng)技術(shù)競(jìng)賽中，單打獨(dú)斗不是市場(chǎng)的主旋律。東芝聯(lián)手閃迪，英特爾則選擇了美光。
在DRAM爭(zhēng)霸賽中發(fā)展良好的美光，在NAND閃存領(lǐng)域比其余幾家存儲(chǔ)企業(yè)出發(fā)都晚。2005年，英特爾與美光成立合資公司IM Flash，珠聯(lián)璧合一方面是抵御三星與東芝的沖擊，另一方面則是押注未來，全力進(jìn)軍3D NAND。
2007年，手機(jī)進(jìn)入智能機(jī)時(shí)代，喬布斯在舊金山的馬士孔尼會(huì)展中心，從口袋中掏出了那款影響世界的iPhone，再次對(duì)閃存市場(chǎng)技術(shù)格局造成影響。
基于芯片性能和應(yīng)用需求，NOR Flash的市場(chǎng)份額開始被NAND Flash大量取代。NAND閃存迎來黃金期，同時(shí)各家企業(yè)在新技術(shù)上的競(jìng)賽也更加激烈。
也是在這一年，2D NAND走到頭。這一次東芝又引領(lǐng)了潮頭，獨(dú)辟蹊徑發(fā)布基于BiCS技術(shù)的3D NAND。而三星并沒有借鑒東芝的結(jié)構(gòu)，反而另辟蹊徑選擇了VG垂直柵極結(jié)構(gòu)的V-NAND閃存。
閃存行業(yè)進(jìn)入3D時(shí)代。此后數(shù)年，英特爾與美光、東芝（鎧俠）、SK海力士以及三星走在在追逐更高密度，更高層數(shù)的道路上。
產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，朝氣蓬勃，各家企業(yè)都能找到屬于自己的生態(tài)位，產(chǎn)業(yè)一旦進(jìn)入成熟期，并購加劇，馬太效應(yīng)之下生態(tài)位要么擴(kuò)張，要么被蠶食。2010年之后，整個(gè)閃存行業(yè)動(dòng)蕩不安，收購事件此起彼伏，一方面鞏固自身優(yōu)勢(shì)，另一方面彌補(bǔ)短板。
LSI收購Sandforce、閃迪收購IMFT、 蘋果收購Anobit、Fusion-io收購IO Turbine。其中美光與SK海力士是最為活躍的兩家企業(yè)。
據(jù)統(tǒng)計(jì)，美光在2010完成對(duì)閃存制造商N(yùn)umonyx的并購，2012年收購PCle虛擬化解決方案供應(yīng)商Virtensys，2015年收購SSD控制器初創(chuàng)公司Tidal，2019年正式收購IM Flash。SK海力士則在2012年收購意大利NAND閃存開發(fā)商Ideaflash，并在2021年拿下英特爾的NAND閃存業(yè)務(wù)。
而英特爾與美光這一對(duì)戰(zhàn)友對(duì)技術(shù)路線出現(xiàn)了分歧。2019年，英特爾與美光正式結(jié)束了在NAND Flash技術(shù)方面長(zhǎng)達(dá)14年的合作關(guān)系。最終美光收購了IM Flash，英特爾則獨(dú)自建立了NAND Flash和3D XPoint存儲(chǔ)器研發(fā)團(tuán)隊(duì)，但沒多久，英特爾就徹底放下了NAND Flash，如同其當(dāng)年放下DRAM一樣。這一決定算是宣告英特爾對(duì)NAND閃存的告別，同時(shí)也切斷了基于3D XPoint技術(shù)打造出傲騰（Optane）產(chǎn)品線，同時(shí)也為英特爾的存儲(chǔ)之路徹底地畫上句號(hào)。
英特爾告別賽場(chǎng)之后，將一部分財(cái)產(chǎn)留給了昔日戰(zhàn)友美光，另外的場(chǎng)地留給了后起之秀SK海力士。2021年12月底，SK海力士以90億美元的價(jià)格接手了英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)及SSD業(yè)務(wù)，后在美國(guó)成立NAND閃存解決方案提供商Solidigm。2021年第四季度，海力士加上Solidigm的市場(chǎng)總份額來到了全球第二，僅次于三星。
通過市場(chǎng)博弈和整合并購，NAND Flash領(lǐng)域的玩家數(shù)量越來越少。最終，形成了由三星、SK海力士、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光等巨頭為主導(dǎo)的集中型市場(chǎng)。
NAND的江湖春秋
自1987年發(fā)明NAND閃存以來，經(jīng)過了35年的跌宕起伏，有前浪退出，也有后浪涌進(jìn)。東芝雄霸市場(chǎng)、三星一躍龍門、美光與SK海力士強(qiáng)勢(shì)突圍，以及退出賽場(chǎng)的英特爾，都為NAND Flash市場(chǎng)演繹了一場(chǎng)橫跨時(shí)空的精彩劇情，并創(chuàng)寫了屬于自己的江湖春秋。
從WSTS公布的出貨量數(shù)據(jù)來看，NAND閃存的發(fā)展大致可以分為三個(gè)階段。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現(xiàn)線性增長(zhǎng)趨勢(shì)；2016年至2018年，出貨量相對(duì)穩(wěn)定；2018年之后，受益于數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)增長(zhǎng)，NAND閃存出貨量隨之增加。
從NAND閃存市場(chǎng)的角度看，隨著2001年以后音樂播放器、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)等領(lǐng)域疾速增長(zhǎng)，NAND閃存市場(chǎng)需求持續(xù)上揚(yáng)，出貨量以線性趨勢(shì)持續(xù)增加。
發(fā)展至今，大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、元宇宙等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)NAND產(chǎn)品的容量、性能、功耗提出了更高的要求。在技術(shù)沒有代際差異的情況下，NAND產(chǎn)品趨于標(biāo)準(zhǔn)化同質(zhì)化，成本、堆疊層數(shù)和市場(chǎng)規(guī)模正在成為NAND產(chǎn)業(yè)接下來的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。一系列閃存廠商再次紛紛加速技術(shù)演進(jìn)和市場(chǎng)布局，以爭(zhēng)奪NAND閃存市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)。
寫在最后
回顧存儲(chǔ)行業(yè)的發(fā)展歷史，應(yīng)用市場(chǎng)的更迭、供需關(guān)系的改變和存儲(chǔ)芯片的價(jià)格波動(dòng)主導(dǎo)了眾多存儲(chǔ)公司的命運(yùn)，催生了市場(chǎng)新格局。
行業(yè)廠商的起起伏伏也展示了市場(chǎng)判斷對(duì)于企業(yè)經(jīng)營(yíng)的重要性。存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)由于其周期性和產(chǎn)線投產(chǎn)時(shí)間長(zhǎng)等緣故，扎堆投資，就容易造成供過于求，進(jìn)而使半導(dǎo)體公司出現(xiàn)虧損、生產(chǎn)線荒廢、人員解散，又會(huì)導(dǎo)致市場(chǎng)緊缺，價(jià)格上升，又開始建立新的或者改善原生產(chǎn)線。這種情況下，如何對(duì)市場(chǎng)周期進(jìn)行預(yù)判，又如何度過低迷期，都對(duì)各家存儲(chǔ)企業(yè)提出了極高的要求。
當(dāng)前，存儲(chǔ)市場(chǎng)再次吹起下行的寒風(fēng)，存儲(chǔ)廠商在先進(jìn)技術(shù)方面的競(jìng)爭(zhēng)不見頹靡。
無論是第五代10nm級(jí)DRAM技術(shù)，還是更高層數(shù)堆疊的NAND Flash，存儲(chǔ)大廠都在積極發(fā)力，以保持市場(chǎng)領(lǐng)先地位，并滿足市場(chǎng)對(duì)高容量、高性能產(chǎn)品需求，呈現(xiàn)出持續(xù)發(fā)展的潛能。
與此同時(shí)，存儲(chǔ)廠商們也在布局未來的潛力市場(chǎng)。雖然移動(dòng)、PC等消費(fèi)市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)，但云、服務(wù)器、高性能運(yùn)算、車用與工控等領(lǐng)域結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)需求不減，半導(dǎo)體市場(chǎng)結(jié)構(gòu)化增長(zhǎng)的特征，為存儲(chǔ)原廠的增長(zhǎng)提供了堅(jiān)實(shí)后盾。
盡管存儲(chǔ)市場(chǎng)需求近期疲軟，但長(zhǎng)期需求趨勢(shì)依然強(qiáng)勁，數(shù)字化的浪潮已經(jīng)不可逆轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)久來看必然是向更高更大的格局邁進(jìn)。
回顧過往幾十年存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展脈絡(luò)，起起伏伏正如傳奇投資人John Templeton所言：“牛市在悲觀中萌生，在懷疑里成長(zhǎng)，在樂觀中登頂，在亢奮里寂滅”。
存儲(chǔ)市場(chǎng)的興衰也大抵如此。
