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淺談半導體IGBT發(fā)展及國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈市場需求分析

2022-11-30
來源:工采網(wǎng)電子元件

    IGBT為垂直導電大功率器件它是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件,同時繼承了這兩種功率半導體的優(yōu)點:驅(qū)動功率小且飽和電壓低,適用于高壓、大電流領域;也是現(xiàn)在功率半導體的主流。

  IGBT是國家「02專項」的重點扶持項目被稱為電力電子行業(yè)里的「CPU」其直接控制直、交流電的轉(zhuǎn)換,決定了驅(qū)動系統(tǒng)的扭矩,以及最大輸出功率;從功能上來說,IGBT就是一個電路開關,用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的;被廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領域。

  自上世紀80年度IGBT開啟工業(yè)化應用以來,IGBT技術經(jīng)歷了豐富的技術演變,涌現(xiàn)出七代不同的IGBT技術方案;其主要從三方面發(fā)展演變:器件縱向結構,柵極結構以及硅片的加工工藝。

  多年以來,IGBT技術改進的追求的目標是:

  1、減小通態(tài)壓降。達到增加電流密度、降低通態(tài)功率損耗的目的。

  2、降低開關時間,特別是關斷時間。達到提高應用時使用頻率、降低開關損耗的目的。

  3、組成IGBT的大量“原胞”在工作時是并聯(lián)運行,要求每個原胞在工作溫度允許范圍內(nèi) 溫度變化時保持壓降一致,達到均流目的。否則會造成IGBT器件因個別原胞過流損壞而損壞。

  4、提高斷態(tài)耐壓水平,以滿足應用需要。

  在眾多IGBT產(chǎn)品當中,根據(jù)封裝的復雜程度可以分為四種產(chǎn)品:

 ?。ㄇ袎K)1.由晶圓切割而成的IGBT裸片DIE:將一片晶圓進行工藝加工可以生產(chǎn)出許多顆裸片,英文稱作DIE。

 ?。▎为殻?.由單顆DIE封裝而成的IGBT分立器件:DIE會對應不同的封裝形式,一種就是比較常用的針對中小功率用分立器件,里面只封裝一顆 DIE 。封裝對應電流能力較小,它適用在消費、工業(yè)家電這種領域比較多。

 ?。ê象w)3.由多顆DIE并聯(lián)封裝而成的IGBT模塊:功率更大、散熱能力更強的、適用于高壓大功率平臺的IGBT模塊?,F(xiàn)在新能源汽車、主流光伏、高鐵、電力傳輸比較多的大功率場合都是用這種模塊。

 ?。恿希?.在IGBT模塊外圍增加其他功能的智能功率模塊(IPM):把IGBT模塊加上外面的組件、散熱器、電容,就可以組成一個功能較為復雜的智能功率模塊(簡稱IPM)。

  隨著全球制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移,中國已逐漸成為全球最大的IGBT消費市場。

  作為半導體功率器件中最有潛力的IGBT,當前市場規(guī)模正快速增長。尤其在國內(nèi)供應鏈安全時常受威脅的背景下;我國還沒有一個廠家能夠?qū)崿F(xiàn)6500V IGBT芯片本土產(chǎn)業(yè)化;我國的功率半導體技術包括芯片設計、制造和模塊封裝技術目前都還處于起步階段。

  為了實現(xiàn)自主可控,國產(chǎn)廠商正在開始推進IGBT的國產(chǎn)化;2015年,由我國自主研發(fā)的IGBT變流器首次出口海外市場,奪得了印度100輛機車的訂單。

  短短3年時間,國產(chǎn)IGBT在功率器件的市場占有率從零一下攀升至60%,并且以每年200%的銷售業(yè)績增長,統(tǒng)一后的高鐵標準動車組將全部采用IGBT“中國芯”。

  目前,隨著新能源汽車的高速發(fā)展,igbt和frd等功率半導體器件的需求也越來越大;當下,新能源汽車行業(yè)臨近拐點之年,高端車與低端車雙雙加速放量,預計2025年銷量有望達505萬輛。在新能源汽車等下游應用市場蓬勃發(fā)展的拉動下, IGBT供不應求;

  IGBT大約占電機驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,占到整車成本的5%是整部電動車成本第二高的元件(成本第一高的是電池)。毫不夸張地說,是電動車領域的“核心技術”

  在光伏領域應用情況,光伏逆變器分為分布式和集中式,分布式中功率相對較低的場景如入戶式、微逆中IGBT單管用的較多,集中式逆變器和高功率分布式中常用的是IGBT模塊。

  臺灣茂硅晶圓及生產(chǎn)代工廠推出了幾款適用于中壓范圍6寸晶圓片;與行業(yè)同類產(chǎn)品相比,溫升更低、可靠性更高。

  由工采網(wǎng)代理的臺灣茂硅生產(chǎn)的IGBT晶圓FS工藝6寸IGBT晶圓片P81MV022NL0013P、P81MV020NL0011P、P81MV023NL0014P這三款主要有以下特性:

  1、1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術 2、低開關損耗 3、正溫度系數(shù)  4、簡易平行)可應用于中等功率驅(qū)動器;不間斷電源。

  臺灣茂矽IGBT產(chǎn)品已經(jīng)逐步進入新能源汽車、充電樁、電池管理以及光伏逆變器等領域,并受到客戶青睞,擁有一整套完整的解決方案。



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