隨著技術的發(fā)展，芯片的地位也越來越重要，甚至被稱為科技產(chǎn)業(yè)的“糧食”。也正是如此重要的芯片成為了某些西方國家手中的武器，試圖利用斷供的手段來掐斷“糧食”供應，從而阻礙和遲緩國內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
不可否認這種“斷供”的手段確實在早期起到了作用，例如華為的市場份額就從2020年度的全球第一下滑到如今十名開外，也讓華為的消費電子業(yè)務遭受到重創(chuàng)，營收也從2020年的8914億下降到2021年的6368億，這個教訓可謂十分慘痛。
但是任何決策都并非沒有代價，對于“斷供”這種舉措來說更是一柄雙刃劍。中國是全球最大的芯片需求國，2021年芯片進口量高達6355億個，進口金額也達到了創(chuàng)紀錄的2.8萬億人民幣。芯片已經(jīng)遠超包括石油在內(nèi)的其他資源，成為單一進口額最大的產(chǎn)品。
過度依賴進口也讓芯片在使用中存在不小的風險，特別是用在部分核心設備以及機構中的芯片更是成為了安全隱患。那么為何進口芯片有諸多弊端之下，國產(chǎn)芯片的發(fā)展卻依舊緩慢呢?
一個很重要的原因就是外企利用先發(fā)優(yōu)勢已經(jīng)完成了特定芯片的量產(chǎn)，從而使得成本控制處于領先位置。國產(chǎn)企業(yè)如果想要實現(xiàn)研發(fā)突破必須從零開始，不但前期需要大量的資金投入，在實現(xiàn)生產(chǎn)之后由于量產(chǎn)不足依然難以匹敵。
國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)，因為發(fā)展快，進度喜人，所以被老美盯上，利用流氓協(xié)定對國內(nèi)部分頭部企業(yè)進行封鎖和打壓。比如說中芯國際此前購買了一臺EUV光刻機，結果卻不能出貨，再比如說華為麒麟無法被代工，5G芯片也被斷供。
雖然壞消息不斷傳來，但與之相對的好消息也不少。在新賽道RISC-V架構領域，我們已經(jīng)獲得了主動權，阿里發(fā)布了無劍600平臺，一個好的生態(tài)正在形成;在光量子芯片領域，我們是佼佼者，就連美都眼紅，想要我們分享這項技術。
除此之外，國內(nèi)半導體還有很多其他的重要突破，涵蓋了光刻機，封測，制造，設計等產(chǎn)業(yè)重要階段。而今天我們要說的就是國產(chǎn)芯的驕傲——長江存儲。
根據(jù)外媒透露的消息，蘋果在近幾個月一直在對長江存儲生產(chǎn)的芯片進行評估，未來將有可能在iPhone 上搭載。
眾所周知，蘋果智能手機，走高端路線，所采用的元器件都是供應鏈頂尖的產(chǎn)品。尤其是iPhone 14，今年用上了最新的臺積電4nm工藝，是當之無愧的性能怪獸。
同理，長江存儲的芯片能夠被庫克看上，足以證明其產(chǎn)品出類拔萃，達到了世界先進水平。當然了，蘋果雖然看上了長江存儲芯片，但最終是否真的使用，還是個未知數(shù)。最起碼當下，已經(jīng)有人站出來給庫克“上眼藥”了。
6年時間完成9年的技術升級
當然，很多人會好奇：長江存儲到底是何方神圣，其水平又如何?別著急，往下看。
長江存儲所涉及的領域——存儲芯片，是電子終端產(chǎn)品必需的芯片之一，也是國內(nèi)嚴重依賴進口的芯片種類。據(jù)悉，存儲芯片占到每年半導體進口的1/3，花費約1500億美元。再具體一些，長江儲存所專注的NAND閃存，是存儲芯片的重要部分。
但和大多數(shù)國內(nèi)企業(yè)一樣，長江存儲剛建立的時候，并沒有多少先進設備和技術，和世界龍頭企業(yè)的技術相比，有3年左右的差距。但是長江存儲經(jīng)過不懈努力，在6年的時間里，完成了頭部企業(yè)9年的技術升級。
今年的閃存峰會上，長江儲存發(fā)布了基于晶棧(Xtacking)3.0技術的第四代3D TLC閃存X3-9070。據(jù)悉，這一產(chǎn)品的堆疊次數(shù)達到232層，可比肩三星，美光。這意味著長江存儲首次在技術上達到了世界先進水平。
8月9日，美國總統(tǒng)拜登正式簽署《2022芯片與科技法案》。經(jīng)過數(shù)年的博弈，這一將對全球芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)生深遠影響的法案靴子落地。盡管從表面上看，法案實施的核心目的是為了增強美國本土半導體產(chǎn)業(yè)的競爭力，推動芯片制造產(chǎn)能“回流”，但其更深層的目的，是要限制和削弱中國先進半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，逼迫全球芯片企業(yè)在中美之間“二選一”。
根據(jù)法案條款，未來美國將為本土發(fā)展芯片制造及研發(fā)的企業(yè)提供527億美元的緊急補充撥款，以及一項大約價值240億美元的稅收抵免，預計將惠及英特爾、美光、臺積電、三星等相關企業(yè)。然而，一旦接受聯(lián)邦激勵基金，就不能在中國大陸等特定國家或地區(qū)建設某些先進半導體的工廠或擴大產(chǎn)能，以十年為期。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，該舉措必將重塑全球芯片產(chǎn)業(yè)格局;而對中國來說，受法案補貼政策的吸引，原先考慮在中國投資的國際企業(yè)，很可能也會轉(zhuǎn)而在美國市場發(fā)力，這對于中國半導業(yè)產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能建設、價值提升、人才招募以及我國在全球半導體產(chǎn)業(yè)的話語權都十分不利。
目前，臺積電在南京建有28納米、16納米制程的芯片制造廠，三星在西安擁有存儲芯片的制造工廠，SK海力士的近一半產(chǎn)能也在中國。而就在近期，SK海力士已經(jīng)決定投資220億美元在美國建廠。
更糟糕的是，法案的出臺可能會推動CHIP4聯(lián)盟的組建，加速日本、韓國和中國臺灣等形成一個相對封閉的“造芯”小圈子，從而進一步影響中國大陸的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
對此，多名半導體資深人士公開表示，破局的唯一方法只有“加速國產(chǎn)化”。資料顯示，目前制造14納米以下先進制程工藝芯片的設備，我國除在刻蝕機、清洗設備上能實現(xiàn)一定程度的國產(chǎn)替代外，在薄膜設備、離子注入、光刻機、爐管等領域幾乎是一片空白，一旦被“卡脖子”，就會嚴重拖緩AI、超算、通用芯片等需要使用先進工藝的芯片的生產(chǎn)進程。
為此，我國可考慮重點加強28納米及以下先進工藝的布局，盡快補足集成技術等領域的“洞”，推動原材料、元器件等國產(chǎn)設備供應商的發(fā)展;與此同時，也不要放棄對28納米以上“成熟工藝”的投資。數(shù)據(jù)顯示，到2025年，成熟工藝的市場份額仍在50%以上，這對于本土企業(yè)意味著廣闊的機會?！皩?8納米作為100%國產(chǎn)芯片的起點，再聚焦14納米、12納米、10納米……我們可以采用退回策略，用時間換取半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主化的空間?！庇袑＜抑赋?。
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