《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動態(tài) > 芯和半導體獲2022年度創(chuàng)新EDA公司獎

芯和半導體獲2022年度創(chuàng)新EDA公司獎

2022-08-19
來源:芯和半導體

2022年8月18日,中國上?!獓鴥?a class="innerlink" href="http://ihrv.cn/tags/EDA" target="_blank">EDA、IPD行業(yè)領導者,芯和半導體科技(上海)有限公司(以下簡稱“芯和半導體”)宣布,經過IC產業(yè)人士、系統(tǒng)設計工程師以及媒體分析師團隊歷時超過半年的層層選拔,憑借先進、高效的EDA解決方案及亮眼的市場表現,芯和半導體喜獲2022年度中國IC設計成就獎之“年度創(chuàng)新EDA公司獎”。

中國IC設計成就獎是中國電子業(yè)界最重要的技術獎項之一,是中國IC產業(yè)的最高殊榮。獎項由AspenCore旗下《電子工程專輯》、《電子技術設計》和《國際電子商情》聯(lián)合舉辦,旨在表彰在中國IC設計鏈中占據領先地位或展現卓越設計能力與技術服務水平、或具極大發(fā)展?jié)摿Φ淖罴压?、團體,同時也表彰他們在協(xié)助工程師開發(fā)電子系統(tǒng)產品方面所作的貢獻。

隨著芯片制造工藝不斷接近物理極限,芯片的布局設計——異構集成的3DIC Chiplets設計已經成為延續(xù)摩爾定律的最佳途徑之一。3DIC Chiplets將不同工藝制程、不同性質的芯片以三維堆疊的方式整合在一個封裝體內,提供性能、功耗、面積和成本的優(yōu)勢,能夠為5G移動、HPC、AI、汽車電子等領先應用提供更高水平的集成、更高性能的計算和更多的內存訪問。

芯和半導體在去年年底通過自主創(chuàng)新的核心求解器技術,推出了“3DIC先進封裝設計分析全流程”EDA平臺。這是業(yè)界首個用于3DIC多芯片系統(tǒng)設計分析的統(tǒng)一平臺,為用戶構建了一個完全集成、性能卓著且易于使用的環(huán)境,提供了從開發(fā)、設計、驗證、信號完整性仿真、電源完整性仿真到最終簽核的3DIC全流程解決方案,全面支持2.5D Interposer、3DIC和Chiplet設計。這一代表異構集成領域國際最高水平的EDA平臺,為國內外高性能計算HPC產品的設計賦能和加速,有效地緩解國內半導體行業(yè)卡脖子的現狀。

芯和半導體創(chuàng)始人、高級副總裁代文亮博士表示:“我們非常榮幸再次得到中國IC設計成就獎組委會、設計工程師和媒體分析師的認可,評選芯和半導體為2022年度創(chuàng)新EDA公司。芯和半導體通過不斷地技術創(chuàng)新,已經成為國內唯一覆蓋半導體全產業(yè)鏈的仿真EDA公司,產品從芯片、封裝、系統(tǒng)到云端,打通了整個電路設計的各個仿真節(jié)點,以系統(tǒng)分析為驅動,支持先進工藝和先進封裝,全面服務后摩爾時代異構集成的芯片和系統(tǒng)設計。我們期待通過不斷地迭代和優(yōu)化,為國內半導體設計產業(yè)的蓬勃發(fā)展做出貢獻?!?/p>

關于芯和半導體

芯和半導體是國產EDA行業(yè)的領軍企業(yè),提供覆蓋IC、封裝到系統(tǒng)的全產業(yè)鏈仿真EDA解決方案,致力于賦能和加速新一代高速高頻智能電子產品的設計。

芯和半導體自主知識產權的EDA產品和方案在半導體先進工藝節(jié)點和先進封裝上不斷得到驗證,并在5G、智能手機、物聯(lián)網、人工智能和數據中心等領域得到廣泛應用,有效聯(lián)結了各大IC設計公司與制造公司。

芯和半導體同時在全球5G射頻前端供應鏈中扮演重要角色,其通過自主創(chuàng)新的無源芯片IPD和系統(tǒng)級封裝設計平臺為手機和物聯(lián)網客戶提供無源芯片和模組,并被Yole評選為全球IPD濾波器領先供應商。

芯和半導體創(chuàng)建于2012年,運營及研發(fā)總部位于上海張江,在蘇州、武漢、西安、深圳設有分部,并在美國硅谷、北京、成都等地設有銷售和技術支持部門。




更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<


本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。