在半導體產(chǎn)業(yè)鏈全球化的今天，某一地區(qū)能夠獨立承接全球最強的半導體產(chǎn)業(yè)鏈都是不可能的。對于高端手機來說，其軟硬件配置都需要達到世界先進水平，因此一款優(yōu)秀的旗艦手機是無法完全依賴本土產(chǎn)業(yè)。

隨著國內(nèi)手機品牌在全球占據(jù)一定份額，國內(nèi)廠商零部件供應逐步崛起，在華為事件后，國內(nèi)手機品牌也意識到芯片的重要性，開始有意識的采用國內(nèi)制造芯片。

最近日經(jīng)拆解榮耀手機，發(fā)現(xiàn)美國元器件占比大增，這不禁讓人想問：在被美國制裁的4年后，國產(chǎn)高端旗艦手機究竟還有多少國產(chǎn)元器件可用？

歷年拆解對比

2019年5月，美國商務部正式將華為列入“實體清單”，禁止美企向華為出售相關技術(shù)和產(chǎn)品，同時宣布美國進入國家緊急狀態(tài)，并禁止美國公司使用構(gòu)成國家安全風險的公司制造的電信設備。

據(jù)瑞銀、Fomalhaut Techno Solutions分析報告顯示，此前的Mate 30 4G版是華為首款實現(xiàn)無美國零件的智能手機產(chǎn)品。

2019年（制裁前）

華為在2019年3月發(fā)布了華為P30 Pro，這時的華為尚未受到美國的制裁。據(jù)東京研究機構(gòu)Fomalhaut Techno Solutions拆解了后數(shù)據(jù)顯示，從零件使用數(shù)量上來看，P30 Pro總使用零件約1631個，美國產(chǎn)15個（0．9％），中國大陸產(chǎn)80個（4．9％），日本產(chǎn)869個（53．2％），韓國產(chǎn)562個（34．4％），中國臺灣產(chǎn)83個（5．0％）。

從零件成本來看，華為P30 Pro的總零件成本約為363．83美元，美國零件59．36美元（16．3％），中國大陸零件138．61美元（38．1％），日本零件83．71美元（23．0％），韓國零件28美元（7．7％），中國臺灣零件28．85美元（7．9％）。

簡而言之，華為 P30 Pro有62％的手機零件成本來自中國大陸以外的公司。雖然在美生產(chǎn)的15個零件僅占這部手機組件的1％，但其成本約占手機成本的16％，包括使用了美國美光生產(chǎn)的DRAM芯片、思佳訊（Skyworks）和科爾沃（Qorvo）的通訊半導體、康寧的保護玻璃、德州儀器的MIPI開關。其他進口的核心零部件包括三星的NAND Flash存儲器、中國臺灣的機體面板、以及日本索尼的CMOS元器件。

2019年（制裁后）

華為mate 30 Pro在2019年9月19日上市慕尼黑，這款產(chǎn)品是距離華為被制裁的4月后發(fā)布的。

從元器件數(shù)量來看，華為Mate 30 Pro 5G有2000多個元器件來自日本，共占據(jù)手機元器件總數(shù)的88．4％；中國的元器件數(shù)量占比為8．2％；美國的元器件數(shù)量占比只有2．6％。

從元器件成本來看，占比最多的日本元器件成本占比則為31．6％，美國的成本占比僅有9．5％，中國元器件成本占比最高達到41．7％。

可以看出，在美國宣布制裁后，華為有意識的尋找國產(chǎn)元器件以擺脫美國零部件的供應。比如，前端模塊上已經(jīng)不見Qorvo、Skyworks的身影，取而代之的更多的則是海思的射頻前端器件和村田的前端模塊，美光的DRAM也換成了SK海力士的。

這款手機中從電源、音頻、RF、射頻收發(fā)器、功率放大器、SOC等都采用了海思自研芯片。而且，華為還首次在旗艦機當中引入了國產(chǎn)芯片廠商廣東希荻微電子的電池管理芯片和聯(lián)發(fā)科的包絡追蹤芯片。

但同時來自日韓以及歐洲的元器件占比也在增加，日本村田的前端模塊、韓國矽致微電源管理IC、歐洲依法半導體的無線充電芯片似乎都是首次進入華為的旗艦機型當中。

并且某些核心零部件上，依然存在著美國器件，比如來自德州儀器的芯片和高通的射頻前端模塊以及美國凌云邏的輯音頻放大器。

2021年

華為5G手機Mate 40E在2021年3月發(fā)布，也就是美國宣布制裁后的第3年。

從核心零部件來看，華為Mate 40E采用了海思半導體研發(fā)設計的麒麟990E芯片作為5G應用處理器。OLED 面板供應商從三星顯示轉(zhuǎn)為京東方，部分通信開關部件、電源管理芯片以及指紋傳感器和電池等采用國產(chǎn)產(chǎn)品。

但Mate 40相較30 Pro來說，仍然是選擇了美國高通的射頻芯片。內(nèi)存方面，則由轉(zhuǎn)向了韓國的三星電子。其CMOS依舊由日本索尼制造，并且信號處理相關零部件則是采用日本村田制作所、TDK、太陽誘電、旭化成等生產(chǎn)的零部件。

在這款手機中，Mate40E 使用的零部件總成本約367美元，其中大陸制造的零部件用比例高達56．6％，比2019年9月上市的Mate30 Pro的8．2％高出近5倍。美國制造的零部件份額為5．2％，高于Mate30 Pro的2．6％。日本制造的零部件比重約15．9％，僅次于中國大陸。

2022年

華為在2020年將榮耀拆分，斷臂自保，以在美國制裁的大刀下最大程度保全火苗。最近，日經(jīng)拆解了榮耀X30手機。

根據(jù)拆解顯示，X30 的大部分核心組件，包括處理器和 5G 芯片組，都是由高通等美國制造商提供的，而不是由華為的芯片開發(fā)部門海思等中國供應商提供。

通信半導體的變化，則由曾經(jīng)的中日結(jié)合，采用海思半導體、村田制作所、太陽誘電、TDK轉(zhuǎn)變?yōu)椴捎酶咄ê兔绹鳴orvo的零部件。中國零部件僅被用于上一代標準通信采用的信號放大器。

從成本占比來看，榮耀的大眾市場智能手機X30的估計生產(chǎn)成本為 217 美元，美國組件占總成本的 39％，占據(jù)了成本的最大份額，相較與華為2020年春季上市的“30S”相比，美國零部件的份額增加29個百分點。與此同時，中國零部件的份額下降了 27 個百分點，降至 10％ 左右。

高低端零部件供應變化

從手機零部件的劃分來看，對于手機較為核心的零部件包括處理器、內(nèi)存、攝像、屏幕、射頻，而相對來說金屬外殼、PCB載板等屬于成本占比較低的零部件。

先來看手機處理器，華為在尚未宣布制裁前就已經(jīng)開始搭載華為海思自研的麒麟芯片；內(nèi)存方面，華為一直在三星、SK海力士、以及美光中選擇；CMOS方面，日本索尼是其第一選擇的；射頻是卡住華為5G的根源，而這方面華為只能選擇美國高通和Qorvo；但在屏幕方面，隨著國產(chǎn)屏幕逐漸追趕國際大廠，華為也在積極與本土廠商合作，華為OLED的面板供應商也從三星轉(zhuǎn)向了京東方。

對于其他成本較低的零部件來說，信號方面的零部件，大多采用日本村田制作所、TDK、太陽誘電、旭化成等生產(chǎn)的零部件。

在高端手機領域，國產(chǎn)企業(yè)能提供多少零件？

移動CPU

在高端手機芯片上，最重要的移動CPU方面，國內(nèi)最扛打的就是華為海思研發(fā)的麒麟旗艦系列芯片，例如麒麟9000和驍龍888相比不相上下，從參數(shù)看驍龍888要勝過麒麟9000，但從穩(wěn)定性、散熱控制和均衡性來看，麒麟9000要超越驍龍888。

除了海思研發(fā)的麒麟旗艦系列芯片，還有紫光展銳的唐古拉芯片T770。紫光展銳推出的唐古拉芯片基于臺積電6nm工藝的EUV 5G芯片，但性能仍然落后于目前主流的5nm工藝。

存儲芯片

從存儲芯片來看，國內(nèi)生產(chǎn)存儲芯片的廠商有長江存儲、合肥長鑫。對于高端機型，目前長江存儲推出可用于高端旗艦手機的設計有長江存儲UC023，基于Xtacking 2．0 TLC 3D NAND技術(shù)，兼容JEDEC最新協(xié)議UFS 3．1。

合肥長鑫最先進技術(shù)是推出LPDDR4X 內(nèi)存芯片，這相較于高端旗艦機型所需要的LPDDR5來說，還有相當長的一段距離。

這也是為何在華為幾番更換存儲芯片廠商時都沒有選擇國內(nèi)廠商，而是盡量避免了美國美光、西部數(shù)據(jù)等。高端機型上，只能選擇韓國的三星、SK海力士或者是日本的東芝。

同時，擺在國內(nèi)廠商面前還有一個考驗，如果為華為供貨有可能被“連坐”，導致一同被美國制裁。為華為供貨不僅需要實力，還需要勇氣。

射頻前端芯片

在射頻芯片方面，高端手機大部分使用的是高通、Qorvo、村田、Avago等。而國產(chǎn)生產(chǎn)射頻的廠商有卓勝微、無錫好達、紫光展銳、昂瑞微、唯捷創(chuàng)新。

目前國內(nèi)的京信通信、信維通信和碩貝德都可以量產(chǎn)5G天線；卓勝微也可以量產(chǎn)5G射頻開關；麥捷科技可以量產(chǎn)應用于5G LTCC濾波器以及4G SAW濾波器。實際上，華為P50的供應商名單里，射頻天線由信維通信、碩貝德供貨，射頻前端由卓勝微供貨，濾波器由麥捷科技供貨。

中國何時能搭建高端手機全供應鏈？

高端手機供應鏈的搭建絕不是靠一家而言，正如華為反復強調(diào)，華為不會建立自家芯片廠，而是認為產(chǎn)業(yè)分工是有要求的。

中國半導體行業(yè)協(xié)會副理事長、清華大學教授魏少軍曾談到，中國成長為全球最大的半導體市場，消耗了全球約三分之一的半導體，雖然從基本面上看，中國半導體的增速是喜人的，但具體到細分領域，尤其是在一些高端芯片方面的競爭力，中國半導體的差距是相當明顯的。

我國集成電路產(chǎn)業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)是產(chǎn)業(yè)鏈太長、太寬，例如我國在裝備領域，光刻機尚需攻關，在多個關鍵材料方面仍依賴進口。后摩爾時代技術(shù)發(fā)展趨緩，追趕者機會大。商業(yè)成功是檢驗技術(shù)創(chuàng)新的唯一標準。

供應鏈成本非常高，芯片自給自足的趨勢不僅會導致成本提升，以及技術(shù)的進步可能放緩。在短時間內(nèi)就將半導體產(chǎn)業(yè)鏈所有方面都發(fā)展到全球頂尖水平肯定是天方夜譚，世界上沒有一個國家可以單獨運行整個供應鏈。

全球合作是半導體行業(yè)成功的最重要因素之一。美國已經(jīng)從中受益，而隨著中韓兩國對前沿技術(shù)研究的投入越來越大，這也使得知識和技術(shù)不再是單向流動，全球合作已被證明是創(chuàng)造經(jīng)濟價值和促進行業(yè)增長的最有效方式。