4月20日，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技股份有限公司(以下簡稱“拓荊科技”)正式登陸上海證券交易所科創(chuàng)板。

發(fā)行價格為71.88元/股，發(fā)行數(shù)量為3,161.9800萬股，成功募資約22.73億元(扣除發(fā)行費用后募集資金凈額約為21.28億元)，相比之前的計劃超募了12億元。

根據(jù)此前的招股計劃，拓荊科技擬募資月10億元，主要用于先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項目及補充流動資金。

拓荊科技今日開盤后，股價一度大漲46%，漲至104.96元/股，截至收盤股價回落至92.30元/股，漲幅28.41%，市值116.74億元。

助力半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化

據(jù)招股書顯示，拓荊科技成立于2010年4月，主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成晶圓制造三大核心設(shè)備，也是目前國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商。

拓荊科技主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個產(chǎn)品系列，并已廣泛應(yīng)用于中芯國際、華虹集團(tuán)、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，在不同種類芯片制造產(chǎn)線的多道工藝中得到商業(yè)化應(yīng)用，同時公司已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試，公司在研產(chǎn)品已發(fā)往國際領(lǐng)先晶圓廠參與其先進(jìn)制程工藝研發(fā)。

憑借長期的技術(shù)研發(fā)和工藝積累，拓荊科技成為較早打破國際巨頭技術(shù)壟斷局面的企業(yè)。公司100%自主知識產(chǎn)權(quán)研制的PECVD設(shè)備，是國內(nèi)唯一能夠應(yīng)用于大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線的12英寸全自動PEVCD設(shè)備，已用于28nm的集成電路的批量生產(chǎn)，同時具有14-10nm的技術(shù)的延展性，產(chǎn)品性能指標(biāo)表現(xiàn)達(dá)到了世界先進(jìn)水平。

此外，拓荊科技還建成了我國首個半導(dǎo)體薄膜設(shè)備生產(chǎn)基地，總建筑面積40,000平方米，包括研發(fā)及生產(chǎn)用十級，百級和千級無塵潔凈間。按照發(fā)展規(guī)劃，公司將開展配適10nm以下制程的PECVD產(chǎn)品研發(fā);開發(fā)Thermal ALD 和大腔室PE ALD;同時升級SACVD設(shè)備，研發(fā)12英寸滿足28nm以下制程工藝需要的SACVD設(shè)備。

不過，需要指出的是，與中國大陸半導(dǎo)體專用設(shè)備企業(yè)相比，國際巨頭企業(yè)擁有客戶端先發(fā)優(yōu)勢，產(chǎn)品線豐富、技術(shù)儲備深厚、研發(fā)團(tuán)隊成熟、資金實力較強(qiáng)等優(yōu)勢，國際巨頭還能為同時購買多種產(chǎn)品的客戶提供捆綁折扣。

從全球市場份額來看，薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競爭局面，行業(yè) 基本由應(yīng)用材料(AMAT)、ASMI、泛林半導(dǎo)體(Lam)、東京電子(TEL)等國際巨頭壟斷。2019 年，ALD 設(shè)備龍頭東京電子(TEL)和先晶半導(dǎo)體(ASMI) 分別占據(jù)了 31%和 29%的市場份額，剩下 40%的份額由其他廠商占據(jù);而應(yīng)用 材料(AMAT)則基本壟斷了 PVD 市場，占 85%的比重，處于絕對龍頭地位;在 CVD 市場中，應(yīng)用材料(AMAT)全球占比約為 30%，連同泛林半導(dǎo)體(Lam) 的 21%和 TEL 的 19%，三大廠商占據(jù)了全球 70%的市場份額。