針對近期一些不實(shí)傳聞，英特爾澄清并表示不會(huì)放棄3D XPoint，并開發(fā)支持Sapphire Rapids的第三代英特爾傲騰產(chǎn)品。

自美光退出3D XPoint市場、帕特·基辛格接任英特爾首席執(zhí)行官，及該公司把NAND非易失性存儲器業(yè)務(wù)出售給SK海力士以來，外界對于英特爾其它非易失性存儲器業(yè)務(wù)的未來充滿疑慮。

英特爾現(xiàn)存的存儲相關(guān)業(yè)務(wù)主要是基于3D XPoint技術(shù)的傲騰固態(tài)盤和持久內(nèi)存業(yè)務(wù)。其相關(guān)產(chǎn)品由美光在猶他州 Lehi的工廠制造，XPoint研發(fā)則由英特爾位于新墨西哥州的Rio Rancho工廠開展。目前正在出貨的是第二代XPoint產(chǎn)品，第三代及第四代產(chǎn)品已經(jīng)在2020年英特爾產(chǎn)品路線圖上，雖然沒有注明日期。

傲騰持久內(nèi)存

然而，英特爾過去幾個(gè)月并未談及其對傲騰的承諾和計(jì)劃。從產(chǎn)品策略的角度來看，傲騰持久內(nèi)存僅限于與至強(qiáng)CPU連接，一直被視為英特爾至強(qiáng)CPU比AMD服務(wù)器CPU更具競爭優(yōu)勢的一大特性，它通過有效的為至強(qiáng)提供更多的內(nèi)存加速應(yīng)用程序運(yùn)行。

在基辛格的領(lǐng)導(dǎo)下，英特爾正在尋求重新獲得對AMD處理器的領(lǐng)導(dǎo)地位，在高帶寬內(nèi)存的幫助下，Xeon DRAM的容量限制正在被消除。這意味著，將Optane PMem作為至強(qiáng)助力的戰(zhàn)略必要性正在減少。

今年2月，英特爾數(shù)據(jù)中心內(nèi)存和存儲解決方案部門（包含傲騰業(yè)務(wù)）副總裁兼總經(jīng)理Alper Ilkbahar已辭職。此外，還有消息稱英特爾傲騰3D XPoint業(yè)務(wù)在2020年虧損超過5億美元。

英特爾在最近的投資者大會(huì)中并沒有提及或推廣傲騰。Objective Analysis的Jim Handy表示：“很難判斷英特爾對3D XPoint/傲騰的承諾有多大。自從帕特·基辛格掌舵以來，英特爾管理層在講話中從未提及傲騰，這種沉默很容易引起外界的遐想。英特爾肯定不是在大力推動(dòng)傲騰?！?/p>

2月24日，在Ben Thompson的Stratechery博客中發(fā)表了對帕特·基辛格的采訪?；粮裨诓稍L中表示：“我從未想過涉足內(nèi)存業(yè)務(wù)，可以看到我在盡力退出我們的存儲業(yè)務(wù)?！?/p>

緊隨其后，2月28日分析師Tom Coughlin在福布斯上發(fā)表了一篇名為“英特爾會(huì)放棄傲騰么？”的文章，其中，他指出：“英特爾很可能會(huì)出售當(dāng)前傲騰產(chǎn)品的剩余庫存，但不會(huì)為CXL和第五代PCIe開發(fā)新產(chǎn)品。”

他補(bǔ)充說，“有很多傳言稱，該公司不會(huì)開發(fā)新的傲騰產(chǎn)品”，并總結(jié)道，“英特爾一年多來并未發(fā)布新的傲騰內(nèi)存產(chǎn)品，并且自從美光在2021年關(guān)閉Lehi工廠以來，也沒有明顯增加3D XPoint的產(chǎn)能。這種非易失性存儲技術(shù)曾經(jīng)前途光明，但其相關(guān)產(chǎn)品可能是最后一代了?！?/p>

英特爾投資者大會(huì)演講中有關(guān)Sapphire Rapids的信息

基于以上種種，我們詢問英特爾是否仍致力于開發(fā)傲騰和3D XPoint。對此，英特爾全球傳播事業(yè)部的Ann Goldman答復(fù)稱：“我們將持續(xù)與客戶和合作伙伴在內(nèi)存和存儲技術(shù)領(lǐng)域展開密切合作，其中包括支持Sapphire Rapids的第三代英特爾傲騰產(chǎn)品。與此同時(shí)，我們也正在賦能生態(tài)系統(tǒng)，為實(shí)現(xiàn)基于CXL互連技術(shù)的內(nèi)存分層等關(guān)鍵技術(shù)做好準(zhǔn)備?！?/p>

這會(huì)將傲騰持久內(nèi)存放置在CXL總線上，以供在連接到CXL 總線的服務(wù)器中運(yùn)行的應(yīng)用程序用作快速、非易失性內(nèi)存。

因此，我們認(rèn)為英特爾仍將持續(xù)推動(dòng)3D XPoint的進(jìn)一步發(fā)展。

注解

傲騰是英特爾的品牌名稱，適用于采用3D XPoint介質(zhì)的產(chǎn)品。這是相變存儲器的一種實(shí)現(xiàn)方式。其中，使用電流將硫?qū)俨ＡР牧系臓顟B(tài)從晶體變?yōu)榉蔷w并再次變回晶體。這兩種狀態(tài)的電阻不同，即分別用于表示二進(jìn)制的1和0。每個(gè)狀態(tài)都是持久的，即非易失的。

XPoint介質(zhì)在單元中制造，這些單元以2層交叉點(diǎn)陣列布局。訪問速度比NAND閃存快，但比DRAM慢，寫入時(shí)間大約是讀取時(shí)間的三倍。