1月19日，ASML宣布2022年一季度，其第二代High－NA光刻機TWINSCAN EXE：5200獲得了首個訂單，第二代High－NA光刻機被用于2NM制程芯片制造，有望在2024年實現(xiàn)交付。

自2017年ASML的第一臺量產(chǎn)的EUV光刻機正式推出以來，三星的7nm／5nm工藝，臺積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產(chǎn)都是依賴于0．55 數(shù)值孔徑的EUV光刻機來進行生產(chǎn)。

目前，臺積電、三星、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進的3nm、2nm技術(shù)，以滿足高性能計算等先進芯片需求。而3／2nm工藝的實現(xiàn)則需要依賴于ASML新一代High－NA EUV光刻機EXE：5000系列。

ASML目前正在開發(fā)當中的第二代High－NA EUV光刻機是基于 0．33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統(tǒng)的迭代產(chǎn)品，其具有 0．55 數(shù)值孔徑的鏡頭，分辨率為 8 納米，而現(xiàn)有的0．33 數(shù)值孔徑透鏡的 EUV 光刻系統(tǒng)的分辨率為 13 納米，使得芯片制造商能夠生產(chǎn)3／2nm及以下更先進制程的芯片，并且圖形曝光的成本更低、生產(chǎn)效率更高。

但是，0．55 NA EUV光刻系統(tǒng)造價相比第一代的EUV光刻機也更高。據(jù) KeyBanc 稱，一臺0．55 NA EUV光刻系統(tǒng)的成本預計為3．186億美元，而目前正在出貨的EUV光刻系統(tǒng)則為1．534億美元。

早在2021年7月底的“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上，英特爾已宣布將在2024年量產(chǎn)20A工藝（相當于臺積電2nm工藝），并透露其將率先獲得業(yè)界第一臺High－NA EUV光刻機。

拿下首批第二代High－NA光刻機的企業(yè)正是Intel。

2021年30年老將帕特·基辛格重回Intel擔任CEO之后，他推出了IDM 2．0戰(zhàn)略，意圖重振Intel在半導體制造上的領(lǐng)先地位。美國是半導體技術(shù)的發(fā)源地，基辛格在Intel工作的30年內(nèi)見證了美國及Intel最輝煌的時刻，然而現(xiàn)在美國公司在全球半導體生產(chǎn)中的份額已經(jīng)下滑到了12％，先進工藝生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到了亞洲地區(qū)，所以基辛格上任之后一直呼吁加大投資，讓美國重新奪回至少1／3的半導體制造份額。

這也是從戰(zhàn)略層面Intel要進軍2nm的原因。

在搭建整合先進制程方面Intel有著自己的考慮，英特爾期望能在晶圓制造領(lǐng)域超過龍頭臺積電。與此同時，英特爾還大量采用臺積電的晶圓代工服務，預期未來幾年會成為臺積電的大客戶之一。

臺積電此前已經(jīng)向ASML采購High－NA研發(fā)型EUV光刻機EXE： 5000，在Intel采購TWINSCAN EXE：5200后，臺積電預計在今年會跟進下單TWINSCAN EXE：5200。

無獨有偶，2021年三星電子半導體收入大增31．6％至759億美元（約合4815億元人民幣），超越Intel成為全球收入最高的芯片制造商。而位居第二的Intel去年半導體收入為731億美元，僅增長了0．5％，是排名前25位芯片制造商中銷售額增長最慢的一家。Intel一直把持住的服務器處理器領(lǐng)域，也被其競爭對手AMD瘋狂搶走份額，在這個領(lǐng)域，AMD市占率已從第14位飆升到第10位。

無論是在芯片制造，還是在芯片設(shè)計，Intel都有被反超落下的風險。

為此，Intel在本周五宣布將斥資200億美元推進IDM 2．0戰(zhàn)略，在美國俄亥俄州建廠。

三星、臺積電、Intel、AMD、NVIDIA等芯片領(lǐng)域的巨頭，都不約而同的在21世紀第二個十年陷入了芯片“軍備競賽”，勝者是誰？現(xiàn)在下定論還為時尚早，各位看官還請拭目以待。