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獲中芯國際和華為哈勃投資!國內(nèi)這家半導(dǎo)體企業(yè)通過科創(chuàng)板IPO注冊

2021-12-24
來源:OFweek電子工程網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 中芯國際 華為 半導(dǎo)體

12月23日消息,近日,證監(jiān)會發(fā)布公告稱,我會按法定程序同意蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊,將與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程,并陸續(xù)刊登招股文件。

東微經(jīng)營狀態(tài)良好,凈利潤增長幅度高達(dá)504.34%

據(jù)了解,蘇州東微半導(dǎo)體最早在2021年11月19日提交了招股說明書(注冊稿),注冊申請科創(chuàng)板IPO上市。

根據(jù)招股說明書內(nèi)容,東微半導(dǎo)體擁有逾 900 種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品型號,特別適用于直流大功率新能源汽車充電樁、新能源汽車車載充電器、5G 通信電源、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、PC電源、適配器、TV 電源板、手機(jī)快速充電器等領(lǐng)域。

并且東微半導(dǎo)體的主要經(jīng)營銷售的產(chǎn)品為 MOSFET 產(chǎn)品,包括高壓超級結(jié)MOSFET 及中低壓屏蔽柵 MOSFET 等。在未來幾年里,東微半導(dǎo)體將繼續(xù)投入新型 MOSFET、IGBT 等功率器件的技術(shù)開發(fā)。

截止2021年9月30日,東微半導(dǎo)體資產(chǎn)總額為56364.37萬元,同比增長28.79%,其2021年前三季度的總營收為為55919.47萬元,同比增長183.11%,增長速度迅猛,凈利潤為9276.86萬元,同比增長504.34%,東微半導(dǎo)體表示,公司的營收和凈利潤出現(xiàn)大幅度增長,主要受益于于新能源汽車充電樁、通信電源、5G基站電源等終端市場需求快速提升,客戶對公司的采購規(guī)模得到大幅度增長。

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(圖源東微招股說明書)

本次上市成功后,東微半導(dǎo)體預(yù)計將募集到的資金在金扣除發(fā)行費(fèi)用后,繼續(xù)加碼公司主營產(chǎn)品超級結(jié)與屏蔽柵功率器件,并用于科技與發(fā)展儲備資金項目中,具體情況如下:

MOSFET市場前景良好,東微獲華為哈勃、聚源聚芯增資

據(jù)Omdia統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2020 年度全球高壓超級結(jié) MOSFET 產(chǎn)品的市場規(guī)模為 9.4 億美元,并將于 2024 年達(dá)到 10 億美元。采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓 MOSFET 相對于普通高壓MOSFET 具有更高的成長性,預(yù)計在高壓 MOSFET 市場的占比將持續(xù)提升。

目前,東微半導(dǎo)體司在高壓超級結(jié)技術(shù)領(lǐng)域擁有包括優(yōu)化電荷平衡技術(shù)、優(yōu)化柵極設(shè)計及緩變電容核心原胞結(jié)構(gòu)等行業(yè)領(lǐng)先的專利技術(shù),產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了與國際領(lǐng)先廠商可比的水平。在中低壓領(lǐng)域,公司亦積累了包括優(yōu)化電荷平衡、自對準(zhǔn)加工等核心技術(shù),產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了國內(nèi)領(lǐng)先水平。

受益于MOSFET產(chǎn)品良好的市場前景以及東微半導(dǎo)體 MOSFET 功率器件的良好表現(xiàn),中芯國際控股子公司持股的聚源聚芯及華為哈勃紛紛加碼東微半導(dǎo)體。

在2017 年 3 月 20 日,聚源聚芯與東微有限簽署《蘇州東微半導(dǎo)體有限公司投資協(xié)議》,約定由聚源聚芯向東微有限投資 2000萬元,成為東微半導(dǎo)體第四大股東,占股11.3636%。

2020 年 4 月 29 日,哈勃投資與東微有限股東簽署《增資協(xié)議》,約定哈勃投資向東微有限投資 7530萬元,自此華為哈勃成為東微半導(dǎo)體的第6大股東,占股7%。

在經(jīng)歷了多次增資之后,東微半導(dǎo)體的前10股東與股本結(jié)構(gòu)如下所示:

新興產(chǎn)業(yè)助力MOSFET器件迅猛發(fā)展

據(jù)了解,東微半導(dǎo)體是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導(dǎo)體企業(yè),其超級結(jié) MOSFET產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用于熱門領(lǐng)域如新能源汽車直流充電樁、5G 基站電源及通信電源等領(lǐng)域。

新能源汽車充電樁

近年來,國內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)持續(xù)火熱,在2020年,新能源汽車充電樁更是被列入國家七大“新基建”領(lǐng)域之一。2020 年 5 月兩會期間,《政府工作報告》中強(qiáng)調(diào)“建設(shè)充電樁,推廣新能源汽車,激發(fā)新消費(fèi)需求、助力產(chǎn)業(yè)升級”。

近幾年來,國內(nèi)充電站保有量已由 2015 年 1069 座增加到 2019 年的 35849 座,復(fù)合年增長率為 140.64%。

而充電站所需要用到的功率器件主要以高壓MOSFET 為主。超級結(jié) MOSFET 因其更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應(yīng)用產(chǎn)品。

5G基站

目前全球范圍內(nèi)正火熱興起的5G基站建設(shè)同樣需要用到MOSFET功率器件。

2019年中央經(jīng)濟(jì)工作會議提出要加快5G商用步伐;2020年3月中央政治局常委會會議突出強(qiáng)調(diào),要加快5G網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)度;

到了今年的12月20日,全國工業(yè)和信息化工作會議在北京召開。會議介紹,今年以來,我國已建成開通5G基站超過130萬個,5G終端用戶達(dá)到4.97億戶,居于全球第一。

因為5G基站的功率要求較高,且建設(shè)密度密集,需要大量的電源供應(yīng)需求及性能強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件,所以5G基站事業(yè)的發(fā)展,將進(jìn)一步拉動功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

據(jù)了解,4G 基站所需功率為 6.877kW,而 5G 基站所需功率為 11.577kW,提升幅度達(dá)到 68%。對于多通道基站,功率要求甚至可能達(dá)到 20kW。更高的覆蓋密度、更大的功率需求對 MOSFET 等功率器件產(chǎn)生了更大的需求。

其中,東微半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品超結(jié)級MOSFET功率器件使用了電荷平衡理論,能夠顯著降低高電壓下 MOSFET 單位面積的導(dǎo)通電阻,并且超級結(jié) MOSFET 擁有極低的 FOM 值,可實現(xiàn)極低的開關(guān)能量損耗和驅(qū)動能量損耗,這就使超級結(jié) MOSFET 可以很好地滿足 5G 基站建設(shè)需求。

新能源汽車

同樣的,隨著現(xiàn)在汽車行業(yè)正逐步向著智能化方向推進(jìn),新能源汽車的發(fā)展勢頭不止,而相較于傳統(tǒng)燃油車,新能源汽車對于車規(guī)級功率器件的需求量更大。

根據(jù)2020 年 11 月國務(wù)院印發(fā)的《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2021-2035 年)》數(shù)據(jù)顯示,2025年新能源汽車新車銷售量達(dá)到汽車新車銷售總量的20%左右,年總銷量將達(dá)到500-600 萬輛。以2025年年總銷量600萬輛測算,未來5年新能源汽車新車銷售復(fù)合年均增長率為 34%左右。

新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,代表著汽車行業(yè)對于半導(dǎo)體芯片的需求增加,根據(jù)Strategy Analytics 提供的數(shù)據(jù)分析,傳統(tǒng)燃料汽車中功率半導(dǎo)體芯片的占比僅為 21.0%,而新能源汽車中功率半導(dǎo)體芯片的占比高達(dá) 55%。而IGBT、MOSFET等多項功率半導(dǎo)體是源汽車價值量提升最多的部分。

綜上所述,新能源汽車、5G 通信基站建設(shè)、充電樁等行業(yè)的迅猛發(fā)展,將帶來巨大的功率半導(dǎo)體旗艦需求。

全球功率半導(dǎo)體市場潛力巨大

眾所周知,近幾年來,全球的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展勢頭良好,半導(dǎo)體芯片市場普遍處于供不應(yīng)求狀態(tài),多家半導(dǎo)體廠商受益于此,營收大增。根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)顯示,2019 年全球功率分立器件市場規(guī)模約為 160 億美元。MOSFET器件是功率分立器件領(lǐng)域中占比最大的產(chǎn)品,全球市場份額達(dá)到 52.51%;

目前,國內(nèi)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還在持續(xù)發(fā)展,市場規(guī)模龐大,是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國,2019 年國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到 177 億美元,增速為-3.3%,占全球市場比例高達(dá) 38%。預(yù)計未來國內(nèi)功率半導(dǎo)體市場將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長,2024 年市場規(guī)模有望達(dá)到 206 億美元,

如今,東微半導(dǎo)體即將上市,將募集到大量資金,再加上其自有的高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù),將為其帶來強(qiáng)勁的核心競爭力,在全球及國內(nèi)的功率器件市場里占據(jù)一席之地。




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