本文來(lái)自方正證券研究所2021年12月22日發(fā)布的報(bào)告《半導(dǎo)體2022年展望：國(guó)產(chǎn)化＋電動(dòng)化》，欲了解具體內(nèi)容，請(qǐng)閱讀報(bào)告原文

展望半導(dǎo)體2022年投資方向，我們認(rèn)為有兩條相對(duì)確定的主線：國(guó)產(chǎn)化和電動(dòng)化。

一、國(guó)產(chǎn)化：逐步深化，分為四個(gè)階段：

1、國(guó)產(chǎn)1．0：2019年5月，限制華為終端的上游芯片供應(yīng)，目的是卡住芯片下游成品，直接刺激了對(duì)國(guó)產(chǎn)模擬芯片、國(guó)產(chǎn)射頻芯片、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片、國(guó)產(chǎn)CMOS芯片的傾斜采購(gòu)，這是第一步。

2、國(guó)產(chǎn)2．0：2020年9月，限制海思設(shè)計(jì)的上游晶圓代工鏈，目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴(yán)重依賴(lài)美國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備（PVD、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、測(cè)試機(jī)等），海思只能轉(zhuǎn)移到備胎代工鏈，直接帶動(dòng)了中芯國(guó)際等國(guó)產(chǎn)晶圓廠和封測(cè)廠的加速發(fā)展。

3、國(guó)產(chǎn)3．0：2020年12月，中芯國(guó)際進(jìn)入實(shí)體名單，限制的是芯片上游半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，本質(zhì)是卡住芯片上游設(shè)備。想要實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈安全，必須做到對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體材料的逐步突破，由于DUV不受美國(guó)管轄，此階段的關(guān)鍵是針對(duì)刻蝕等美系技術(shù)的替代。

2022年，國(guó)產(chǎn)化路徑將順著四條主線繼續(xù)推進(jìn)到4．0時(shí)代。

國(guó)產(chǎn)4．0：

1）半導(dǎo)體設(shè)備：將在2022年實(shí)現(xiàn)1－10的放量，優(yōu)先關(guān)注成熟工藝國(guó)產(chǎn)化設(shè)備（130／90／65／40／28nm）。

2）芯片材料：將在設(shè)備后，接力進(jìn)行0－1的突破，優(yōu)先推薦黃光區(qū)材料和具備材料上游制備能力的相關(guān)公司。

3）EDA／IP將登陸資本市場(chǎng)，成為底層硬科技的全新品類(lèi)。

4）設(shè)備零部件：國(guó)產(chǎn)化的縱向推進(jìn)使得產(chǎn)業(yè)地位凸顯，板塊將迎來(lái)歷史級(jí)的發(fā)展窗口。

二、電動(dòng)化：電動(dòng)化2．0 ＋ 智能化1．0時(shí)代，電車(chē)有兩顆大腦，一個(gè)用來(lái)控制能源（電力），另外一個(gè)用來(lái)處理信息。

1、電動(dòng)化：電動(dòng)化最大的增量是電控，電控中最大壁壘和成本來(lái)自于功率半導(dǎo)體。

1）傳統(tǒng)硅基：IGBT和傳統(tǒng)MOS，將持續(xù)在中低壓和傳統(tǒng)場(chǎng)景占據(jù)主導(dǎo)地位。由于缺芯疊加行業(yè)景氣度加速，新能源相關(guān)的IGBT和MOSFET將迎來(lái)機(jī)遇期。

2）碳化硅：SiC將在高壓平臺(tái)和高端應(yīng)用場(chǎng)景發(fā)力。外延、襯底、制造、設(shè)備、IDM領(lǐng)域都將迎來(lái)行業(yè)景氣＋國(guó)產(chǎn)替代＋份額提升的三重推動(dòng)。

2、智能化：

1）傳統(tǒng)座艙：本質(zhì)是手機(jī)的衍生，是非實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)在三屏合一趨勢(shì)下的場(chǎng)景擴(kuò)張，傳統(tǒng)SoC廠商將繼續(xù)主導(dǎo)座艙市場(chǎng)。

2）智能駕駛：本質(zhì)上全新的異質(zhì)計(jì)算架構(gòu)，實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)將結(jié)合FPGA＋GPU＋ASIC＋CPU異構(gòu)芯片，共同實(shí)現(xiàn)無(wú)人駕駛。

結(jié)論：2022年半導(dǎo)體投資方向建議關(guān)注下列標(biāo)的。

建議關(guān)注：

1）半導(dǎo)體設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司、盛美半導(dǎo)體、萬(wàn)業(yè)企業(yè)、芯源微、沈陽(yáng)拓荊（待上市）、屹唐公司（待上市）、華海清科（待上市）、光力科技、華卓精科（待上市）；

2）半導(dǎo)體材料：中環(huán)股份、晶瑞電材、滬硅產(chǎn)業(yè)、立昂微、神工股份、華懋科技（徐州博康）、彤程新材、鼎龍股份、安集科技、江豐電子、江化微、中晶科技；

3）EDA／IP ：華大九天（待上市）、概倫電子（待上市）、芯愿景（IPO終止）、廣立微（待上市）、芯禾科技（未上市）、寒武紀(jì)、芯原股份、思爾芯（待上市）；

4）IGBT：華虹半導(dǎo)體、士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)體、時(shí)代電氣、華潤(rùn)微、新潔能、揚(yáng)杰科技、宏微科技；

5）SiC：三安光電、鳳凰光學(xué)、山東天岳、天科合達(dá)、東莞天域、瀚天天成；

6）GPU／FPGA／ASIC／CIS：韋爾股份、安路科技、格科微、芯原股份、紫光國(guó)微、景嘉微、思特威（待上市）；

7）設(shè)備零部件：北方華創(chuàng)（MFC產(chǎn)品）、神工股份（硅電極）、萬(wàn)業(yè)企業(yè)、新萊應(yīng)材、和林微納、華卓精科（待上市）、蘇州珂瑪（未上市）、富創(chuàng)精密（待上市）、石英股份；

風(fēng)險(xiǎn)提示：半導(dǎo)體景氣度不及預(yù)期；半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代不及預(yù)期；電動(dòng)化和智能化不及預(yù)期

CPU l 面板 l RF l CMOS l FPGA l 光刻機(jī) l EDA

封測(cè) l OLED l LCD l 設(shè)備 l 材料 l IP l 功率 l SiCGaN l 第三代 l 汽車(chē)半導(dǎo)體 l 濾波器 l 模擬 l 射頻 基帶 l 大硅片 l PA l MOSFET l 光刻膠 l RISC－VIGBT l NOR l Mini－LED l 代工 l 偏光片 l ODM華為 l 特斯拉 l 小米 l 刻蝕機(jī) l MLCC l 電源管理 高通 l 被動(dòng)元器件 l CREE l 三星 l MCU l 臺(tái)積電DRAM l AIoT l MLCC l 儲(chǔ)能 l 鈉離子 l 電子氣體