中國北京2021年12月16日 –日前，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）主辦、泰克科技（中國）有限公司和北京博電新力電氣股份有限公司協(xié)辦的“2021 第三代半導(dǎo)體標準與檢測研討會”在深圳召開。來自國內(nèi)材料、器件、設(shè)備、應(yīng)用以及檢測領(lǐng)域60余人出席了此次會議。會議主題圍繞功率器件測試、產(chǎn)品評價與標準制定面臨的問題等展開。

　　作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的理事單位，泰克科技與高校、科研機構(gòu)攜手努力，站在產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的前沿，參與標準的討論制定，通過領(lǐng)先的測試測量解決方案，解決工程師的困擾，以破解產(chǎn)業(yè)難題為己任?！　?/p>

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山與安世半導(dǎo)體全球研發(fā)副總裁、I&M事業(yè)部總經(jīng)理姜克共同主持了研討會，并與參會嘉賓現(xiàn)場交流答疑。本次研討會共邀請了7個主題報告，一個互動環(huán)節(jié)的引言報告。來自高校、企業(yè)、檢測機構(gòu)的8名專家就所在領(lǐng)域的技術(shù)與標準研究進展做了匯報，分享了研究成果。

　　重慶大學(xué)鐘笑寒博士分享了碳化硅MOSFET動態(tài)閾值電壓穩(wěn)定性研究，東南大學(xué)魏家行副研究員分享了SiC功率MOSFET器件退化表征方法研究，北京工業(yè)大學(xué)郭春生副教授分享了反并聯(lián)FRD的SiC MOSFET模塊熱阻測試方法研究，重慶大學(xué)曾正副教授分享了SiC器件開關(guān)動態(tài)測試的挑戰(zhàn)與應(yīng)對，合肥工業(yè)大學(xué)趙爽副研究員分享了10kV碳化硅MOSFET的測試以及挑戰(zhàn)，泰克科技（中國）有限公司業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理孫川分享了第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測試方法和實現(xiàn)，工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師彭超博士分享了SiC MOS器件輻射可靠性及失效機理研究。在互動討論環(huán)節(jié)，中國電子科技集團第五十五研究所高級工程師劉奧做關(guān)于SiC MOSFET標準制定的幾點討論的引言報告。

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“聯(lián)盟”）是在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導(dǎo)體相關(guān)的科研機構(gòu)、高等院校、龍頭企業(yè)自愿發(fā)起并在民政部門正式注冊成立的社團法人，是為第三代半導(dǎo)體及相關(guān)新興產(chǎn)業(yè)提供全方位創(chuàng)新服務(wù)的新型組織。聯(lián)盟通過在全球范圍內(nèi)集成和共享創(chuàng)新資源，構(gòu)建以市場為牽引、研發(fā)、產(chǎn)業(yè)、資本深度融合的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新體系，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體的跨區(qū)域、跨學(xué)科、跨行業(yè)的協(xié)同發(fā)展。

　　關(guān)于泰克科技

　　泰克公司總部位于美國俄勒岡州畢佛頓市，致力提供創(chuàng)新、精確、操作簡便的測試、測量和監(jiān)測解決方案，解決各種問題，釋放洞察力，推動創(chuàng)新能力。70多年來，泰克一直走在數(shù)字時代前沿。