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三星將于2029年推出DDR6內(nèi)存:帶寬將超100GB/s

2021-12-17
來源:芯智訊
關(guān)鍵詞: 三星 DDR6 100Gbs

今年11月份,隨著Intel的12代酷睿處理器發(fā)布上市,DDR5內(nèi)存也閃亮登場(chǎng),未來幾年里就要接替DDR4了,不過三星也在準(zhǔn)備下一代的DDR6內(nèi)存了,頻率有望再次翻倍,預(yù)計(jì)2029年問世。

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DDR6內(nèi)存現(xiàn)在肯定沒什么規(guī)范之說,可以確定的是性能還會(huì)再次提升,我們知道DDR4內(nèi)存主流是2400-3200MHz,DDR5是4800-6400MHz,而DDR6內(nèi)存的上限至少是12.8GHz,比目前翻倍。

不過DDR5內(nèi)存已經(jīng)規(guī)劃到了8400MHz,DDR6內(nèi)存的17GHz也是有希望的。

頻率提升使得DDR6內(nèi)存的帶寬水漲船高,DDR4-3200單通道是25.6GB/s,DDR5-6400帶寬可達(dá)51.2GB/s,DDR6輕松突破100GB/s,首次沖上三位數(shù),PC上的雙通道就能有200GB/s帶寬,這個(gè)速度比得上現(xiàn)在很多片上內(nèi)存系統(tǒng)的,蘋果的M1 Pro/Max內(nèi)存帶寬就是200GB/s到400GB/s。

按照三星的計(jì)劃,DDR6內(nèi)存要到2029年才能問世,還有七八年時(shí)間,現(xiàn)在先等著DDR5成為主流再說吧。




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