當(dāng)前，量產(chǎn)的晶體管已經(jīng)進(jìn)入4nm尺度，3nm研發(fā)也已經(jīng)凍結(jié)進(jìn)入試產(chǎn)。
在11月于日本舉辦的線上ITF大會(huì)上，半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec（比利時(shí)微電子研究中心）公布了未來(lái)十年的技術(shù)藍(lán)圖。
據(jù)悉，2025年后，晶體管微縮化進(jìn)入埃米尺度（?，angstrom，1埃 ＝ 0．1納米），時(shí)間節(jié)點(diǎn)的規(guī)劃是，2025年A14（14?＝1．4納米）、2027年為A10（10?＝1nm）、2029年為A7（7?＝0．7納米）。
微觀晶體管結(jié)構(gòu)層面，imec試圖在14?節(jié)點(diǎn)使用Forksheet結(jié)構(gòu)（p型和n型納米片晶體管成對(duì)排列，類(lèi)似于用餐的叉子），10?節(jié)點(diǎn)試圖采用CEFT結(jié)構(gòu)，1納米（10?）以下計(jì)劃采用原子形狀的溝道，依賴(lài)Mo（鉬）、W（鎢）、X為硫、Se硒、Te（碲）等2D材料和High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
說(shuō)到High NA EUV光刻機(jī)（0．55NA），一號(hào)原型機(jī)（EXE：5000）將在2023年由ASML提供給imec的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，2026年量產(chǎn)，從而服務(wù)1nm及更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題，請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。