當(dāng)前，量產(chǎn)的晶體管已經(jīng)進入4nm尺度，3nm研發(fā)也已經(jīng)凍結(jié)進入試產(chǎn)。

在11月于日本舉辦的線上ITF大會上，半導(dǎo)體行業(yè)大腦imec（比利時微電子研究中心）公布了未來十年的技術(shù)藍圖。

據(jù)悉，2025年后，晶體管微縮化進入埃米尺度（?，angstrom，1埃 ＝ 0．1納米），時間節(jié)點的規(guī)劃是，2025年A14（14?＝1．4納米）、2027年為A10（10?＝1nm）、2029年為A7（7?＝0．7納米）。

微觀晶體管結(jié)構(gòu)層面，imec試圖在14?節(jié)點使用Forksheet結(jié)構(gòu)（p型和n型納米片晶體管成對排列，類似于用餐的叉子），10?節(jié)點試圖采用CEFT結(jié)構(gòu)，1納米（10?）以下計劃采用原子形狀的溝道，依賴Mo（鉬）、W（鎢）、X為硫、Se硒、Te（碲）等2D材料和High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機來實現(xiàn)。

說到High NA EUV光刻機（0．55NA），一號原型機（EXE：5000）將在2023年由ASML提供給imec的聯(lián)合實驗室，2026年量產(chǎn)，從而服務(wù)1nm及更先進的節(jié)點。