據(jù)外媒消息稱，自今年年初以來，一直在上漲的DRAM存儲器的交易價格僅在10月份就下跌了近10％。

　　這一點在市場研究機構TrendForce的數(shù)據(jù)上也能看到印證：10月份PC用DRAM通用產(chǎn)品（DDR4 8GB）成交價為3.71美元，環(huán)比降價0.39美元，比上一季度下降9.51％，這一跌幅達到自2019年7月以來的最高跌幅，當時價格暴跌一度至11.18%。DRAM自今年1月份起一直保持價格上升趨勢，此次是全年首次降價。

　　據(jù)其最新研究數(shù)據(jù)顯示，2022年的DRAM供給位元成長率約18.6%，然而由于目前買方庫存水位已偏高，加上2022年需求位元成長率僅17.1%，明年DRAM產(chǎn)業(yè)將由供不應求轉(zhuǎn)至供過于求。盡管DRAM價格將因供過于求而出現(xiàn)下滑，但在寡占市場型態(tài)下，整體產(chǎn)值并不會大幅下跌，預估2022年的DRAM總產(chǎn)值將達915.4億美元，年增微幅上升0.3%。

　　2019-2022年DRAM產(chǎn)值與年增長率（單位：百萬美元）

　　從DRAM方面的資本支出來看，近年來其整體資本支出對營收占比逐漸升高，主要有兩大原因：

　?。?）由于DRAM的制程微縮已經(jīng)逐漸面臨物理極限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1α nm仍造就有近30%的單晶圓位元成長外，其他從1Xnm轉(zhuǎn)至1Ynm、或者1Ynm轉(zhuǎn)至1Znm制程，成長已經(jīng)收斂至15%以內(nèi)。2022年三星（Samsung）與SK海力士（SK hynix）的最先進制程將正式導入關鍵機臺EUV，而該機臺的生產(chǎn)交期長且造價高昂，使得三大原廠紛紛提前提撥大筆的資本支出，以因應EUV的前置訂單。

　?。?）由于DRAM已形成寡占市場型態(tài)，即便偶爾出現(xiàn)均價下跌周期，也因為供應商的生產(chǎn)秩序形成，銷售均價難以跌破總生產(chǎn)成本，故DRAM原廠能夠逐漸累積來自該產(chǎn)品的生產(chǎn)獲利。由于制程轉(zhuǎn)進不易，除三大原廠以外，市占較小的南亞科（Nanya Tech）、華邦（Winbond）等廠商皆有實際擴產(chǎn)計劃，成為DRAM 市場CAPEX to sales ratio持續(xù)升高的另一大原因。

　　2021年，芯片產(chǎn)能緊缺席卷全球，半導體產(chǎn)業(yè)迎來結構性轉(zhuǎn)變，存儲行業(yè)亦面臨著巨大的挑戰(zhàn)。面對發(fā)展良機與各種不確定性因素，三星和SK海力士等國外存儲大廠紛紛展開動作。

　　據(jù)報道，因DRAM價格下行，雖然對存儲后市表示看好，但三星和SK海力士也在針對庫存進行調(diào)整。據(jù)悉，三星和SK海力士將啟動出貨控制計劃，控制其DRAM供應量。此舉將于今年第四季度正式啟動，同時兩家公司都在計劃增加晶圓代工產(chǎn)能。

　　對于未來市場走勢，以明年各季度的供過于求比例作為預測基礎，TrendForce預計 DRAM 平均銷售單價將年減 15%，價格下滑幅度在上半年較為明顯。此外，報告預計明年下半年起，受益于 DDR5 的滲透率提升與旺季需求效應帶動，DRAM 均價跌幅將收斂，不排除有持平或漲價的可能性。

　　三星電子計劃，為應對內(nèi)存不確定性，通過14納米DRAM、第7代176層NAND Flash生產(chǎn)線，進一步提高半導體成本競爭力。

　　三星電子最近投入量產(chǎn)的業(yè)界最小線寬14納米DRAM，共5個層應用了EUV（極外線）工藝，實現(xiàn)了業(yè)界領先的晶圓密度。一片晶圓的DRAM數(shù)量比前幾代增加約20%，大大降低了晶圓成本。

　　SK海力士也表示：“短期內(nèi)DRAM市場的不確定性很高。” 并推進了以收益性為中心的經(jīng)營，而不是通過規(guī)模經(jīng)濟進行占有率競爭。