11月3日，Qorvo宣布收購碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC，對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長的電動汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎設施和國防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務之一。

據(jù)官方資料顯示，UnitedSiC由Rutgers大學的一個小型研究團隊于 1999 年創(chuàng)立，2009年公司被DOLCE收購。2010年，UnitedSiC在新澤西州普林斯頓附近建造了一個試生產(chǎn)潔凈室，以將 SiC 工藝提升到可以直接部署至商業(yè)代工廠中。至此，UnitedSiC 成為一家無晶圓廠公司。2011年公司開始與代工廠合作4寸晶圓代工業(yè)務，2014年開始進入6寸晶圓，并于同年實現(xiàn)4英寸650V/1200V SiC二極管及1200V JFET量產(chǎn)。2015年公司開發(fā)了剪薄技術。2017年6英寸二極管量產(chǎn)，2019年宣布與ADI達成戰(zhàn)略投資和長期供應協(xié)議。

公司的產(chǎn)品系列現(xiàn)在涵蓋了80多個SiC FET、JFET和肖特基二極管器件?；讵毺氐募壜?lián)配置，其最近發(fā)布的第4代SiC FET在5.9毫歐的RDS(on)下達到了業(yè)界領先的750V，使SiC的效率和性能達到了新的水平，這對電動車充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引驅(qū)動，以及電信/服務器電源、變速電機驅(qū)動和太陽能光伏（PV）逆變器等等都至關重要。

UnitedSiC高性能 FET 基于獨特的共源共柵配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 與共源共柵優(yōu)化的 Si-MOSFET 共同封裝，從而可以確保柵極驅(qū)動兼容典型的SiC MOSFET，Si IGBT 以及Si MOSFET驅(qū)動，因此設計改動較小，可以支持快速靈活的產(chǎn)品替代。

自從2019年起，Qorvo陸續(xù)收購了五家公司，包括電源管理供應商Active-Semi、RF MEMS 天線調(diào)諧應用技術供應商 Cavendish Kinetics、UWB芯片供應商Decawave、UWB 軟件供應商 7Hugs Labs S.A.S.以及GaAs 和 GaN 單芯片微波集成電路(MMIC)供應商Custom MMIC。

談及收購UnitedSiC的緣由，Qorvo表示，Qorvo將利用自有渠道及客戶關系，擴大UnitedSiC的銷售覆蓋范圍。通過與UnitedSiC的結(jié)合，Qorvo可以長期掌握SiC的技術。不光是在傳統(tǒng)的服務器和工業(yè)電源市場，還可以擴展至新能源汽車及充電站和可再生能源系統(tǒng)等基礎設施領域中。

Qorvo2021財年年報顯示，MP業(yè)務總營收為28.6億美元，增長19.1%，利潤率為35.3%。IDP業(yè)務營收為11.6億美元，增長37.7%，利潤率為24.5%。