護島神山出決勝新武器。臺積電先進制程晶圓廠根留臺灣，其中2納米Fab 20超大型晶圓廠已選定建廠地點為新竹寶山，2納米之后的更先進制程已進入埃米（angstorm）時代，預(yù)期臺積電將推進到18埃米（1.8納米），雖然尚未決定設(shè)廠地點，但據(jù)設(shè)備業(yè)者指出，臺積電18埃米先進制程晶圓廠可望落腳臺中，現(xiàn)在中科Fab 15廠旁的高爾夫球場已被納入考慮。

　　隨著半導(dǎo)體制程將于2024年進入埃米時代，臺積電的建廠動向受到業(yè)界及市場矚目，市場傳出臺積電下一座先進制程晶圓廠可望落腳臺中，現(xiàn)在中科Fab 15廠旁的興農(nóng)高爾夫球場及軍方用地已納入考慮，臺積電若取得用地，將用于建置2奈米以下先進制程的超大型晶圓廠區(qū)，并分為第一期到第四期建廠計劃，等于會在當?shù)嘏d建4座12吋晶圓廠。

　　臺積電表示，設(shè)廠地點選擇有諸多考量因素，臺積公司以臺灣作為主要基地，不排除任何可能性，維持過去擴廠步調(diào)持續(xù)與管理局合作評估適合半導(dǎo)體建廠之用地，包含新竹、臺中及高雄。目前尚無具體定案，一切以公司對外公告為主。

　　臺積電已確認的先進制程晶圓廠建廠計畫，包括南科Fab 18超大型晶圓廠（GigaFab）將建置P1～P4共4座5納米晶圓廠，P5～P8共4座3納米晶圓廠。其中P1～P3廠已進入量產(chǎn)，P4～P6廠正在興建中，未來將再擴建P7～P8廠。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠將擴建P8廠為特殊制程生產(chǎn)基地。

　　臺積電竹科Fab 12超大型晶圓廠將擴建P8～P9廠為研發(fā)中心，P8廠將在今年完成。臺積電預(yù)計在竹科寶山興建Fab 20超大型晶圓廠，將在完成土地取得后啟動建廠計劃，未來將成為2納米生產(chǎn)重鎮(zhèn)。

　　臺積電Fab 20廠區(qū)將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠，預(yù)計2024年下半年進入量產(chǎn)。臺積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構(gòu)，技術(shù)開發(fā)進度符合預(yù)期。

　　設(shè)備業(yè)者表示，臺積電2納米之后的先進制程節(jié)點，將推進到1.8納米（18埃米），預(yù)計2026～2027年進入量產(chǎn)。臺積電先進制程晶圓廠根留臺灣，但適合建廠地點并不好找，而位于臺積電中科Fab 15廠區(qū)旁的高爾夫球場及周邊軍方用地已納入考慮，倘若環(huán)評通過并順利取得用地，臺積電可能會在當?shù)嘏d建18埃米先進制程晶圓廠。