IC設計大廠聯(lián)發(fā)科(26)日召開法說會,執(zhí)行長蔡力行表示,首顆采用臺積電4納米制程芯片將在明年首季正式放量,且受惠進入旗艦手機市場,預期明年5G芯片出貨量及平均單價皆可持續(xù)提升。
蔡力行指出,旗艦機種對聯(lián)發(fā)科來說是全新的市場,但憑借獨特設計架構、優(yōu)異的低功耗設計,以及臺積電4納米制程,首款旗艦產品效能領先業(yè)界,有助聯(lián)發(fā)科提升市占率。
聯(lián)發(fā)科該款5G旗艦芯片已獲所有主要的中國大陸品牌采用,預計年底就會開始貢獻營收,明年第一季則可進入放量階段,未來也將推出更多旗艦級產品,進一步拓展市場。
此外,5G通訊商轉邁入第三年,今年全球5G滲透率約為35-40%,蔡力行看好,明年5G滲透率將超過50%,聯(lián)發(fā)科目前已在全球手機市占取得領先,可持續(xù)受惠,也會搶進毫米波產品升級潮。
市場方面,蔡力行補充,今年除了持續(xù)布局中國大陸市場,也與全球品牌在美洲、歐洲、印度及其他新興市場導入5G,且導入動能相當強勁,預期成長動能也將一路延續(xù)至明年。
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