荷蘭埃因霍溫——2021年7月5日——恩智浦半導(dǎo)體（ NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克代碼：NXPI）宣布，將氮化鎵（GaN）技術(shù)集成至其多芯片模塊平臺(tái)中，這是5G能效領(lǐng)域的一個(gè)重要行業(yè)里程碑。恩智浦位于亞利桑那州的GaN晶圓廠是美國(guó)最先進(jìn)的專業(yè)生產(chǎn)射頻功率放大器的晶圓廠，基于公司對(duì)該晶圓廠的大量投資，恩智浦率先推出5G大規(guī)模MIMO射頻解決方案。該解決方案結(jié)合了GaN的高效率與多芯片模塊的緊湊性。 

減少能耗是電信基礎(chǔ)設(shè)施的一個(gè)主要目標(biāo)，其中每一點(diǎn)效率都至關(guān)重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%，比公司上一代模塊高出8個(gè)百分點(diǎn)。恩智浦通過(guò)在單個(gè)器件中采用專利組合LDMOS和GaN技術(shù)，進(jìn)一步提高了性能，可提供400 MHz的瞬時(shí)帶寬，僅用一個(gè)功率放大器即可完成寬帶射頻設(shè)計(jì)。

恩智浦小尺寸5G多芯片模組現(xiàn)在可實(shí)現(xiàn)上述能效和寬帶性能。新的產(chǎn)品組合將助力射頻開(kāi)發(fā)人員減少基站射頻單元的尺寸和重量，幫助移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商降低在蜂窩塔和屋頂部署5G的成本。在單個(gè)封裝中，模組集成了多級(jí)發(fā)射鏈、50歐姆輸入/輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和Doherty設(shè)計(jì)，并且恩智浦現(xiàn)在使用其最新的SiGe技術(shù)添加了偏置控制。這一新的集成步驟使得無(wú)需再使用單獨(dú)的模擬控制IC，即可對(duì)功率放大器性能提供更嚴(yán)密的監(jiān)控和優(yōu)化。

恩智浦執(zhí)行副總裁兼無(wú)線電功率業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Paul Hart 表示：“恩智浦開(kāi)發(fā)了專用于5G基礎(chǔ)設(shè)施的獨(dú)特技術(shù)工具箱，包括專有的LDMOS、GaN和SiGe以及先進(jìn)封裝和射頻設(shè)計(jì)IP。這讓我們能夠利用每個(gè)元件的優(yōu)勢(shì)并針對(duì)每個(gè)用例以最優(yōu)方式將這些優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起?！?nbsp;

與上一代模塊一樣，新的器件均引腳兼容。射頻工程師可以在多個(gè)頻段和功率級(jí)擴(kuò)展單個(gè)功率放大器設(shè)計(jì)，縮短設(shè)計(jì)周期時(shí)間，從而在全球加速推出5G。

供貨時(shí)間

恩智浦新型5G多芯片模塊將在第三季度供應(yīng)樣品，并在今年晚些時(shí)候開(kāi)始量產(chǎn)。恩智浦將推出基于這些產(chǎn)品的RapidRF系列射頻模擬前端（參考）設(shè)計(jì)，有助于加快5G系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 

恩智浦的5G接入邊緣技術(shù)產(chǎn)品組合

從天線到處理器，恩智浦提供了強(qiáng)大的技術(shù)產(chǎn)品組合以加快5G部署，為基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用提供一流的性能和安全性。其中包括恩智浦的Airfast射頻功率解決方案系列，以及Layerscape系列多核處理器，適用于無(wú)線數(shù)據(jù)鏈路、固定無(wú)線接入和小型基站設(shè)備。