《電子技術(shù)應(yīng)用》
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三星開(kāi)發(fā)出8納米射頻工藝技術(shù):功率效率提高35%

2021-06-20
來(lái)源:微波射頻網(wǎng)
關(guān)鍵詞: 三星 8納米 射頻工藝

  6月9日消息,三星宣布開(kāi)發(fā)出新一代“8納米射頻(RF)工藝技術(shù)”,強(qiáng)化5G通信芯片的解決方案。該技術(shù)支持5G通信的多通道和多天線芯片設(shè)計(jì),有望為5G通信提供“單芯片的解決方案(OneChip Solution)”。

  據(jù)了解,三星的8納米射頻工藝技術(shù)是對(duì)目前已經(jīng)廣泛使用的包括28納米和14納米在內(nèi)的射頻相關(guān)解決方案的最新補(bǔ)充。自2017年以來(lái),三星為高端智能手機(jī)出貨了超過(guò)5億顆移動(dòng)終端射頻芯片。

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  “通過(guò)卓越的創(chuàng)新和工藝制造,我們加強(qiáng)了我們的下一代無(wú)線通信產(chǎn)品?!比请娮哟ぜ夹g(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)主管Hyung Jin Lee表示?!半S著5G毫米波的擴(kuò)展,對(duì)于那些在緊湊型移動(dòng)終端上尋求實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)電池壽命和出色信號(hào)質(zhì)量的客戶來(lái)說(shuō),三星8納米射頻將成為一個(gè)很好的解決方案。”

  三星方面表示,三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道移動(dòng)性,同時(shí)最大限度地減少了寄生效應(yīng)。由于RFeFET的性能大幅提升,射頻芯片的晶體管總數(shù)和模擬/射頻塊的面積可以實(shí)現(xiàn)減小。與14納米射頻相比,由于采用RFeFET架構(gòu)創(chuàng)新,三星的8納米射頻工藝技術(shù)將功率效率提高了35%,而射頻芯片面積減少了35%。

  三星電子希望,最新的8納米射頻工藝技術(shù)能夠增強(qiáng)其在代工芯片制造領(lǐng)域的影響力。

  市場(chǎng)研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示,就營(yíng)收而言,今年第一季度,三星在全球代工市場(chǎng)的營(yíng)收份額為17%,遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于行業(yè)領(lǐng)頭羊臺(tái)積電(占據(jù)55%的市場(chǎng)份額)。

  2021年第一季度,三星的營(yíng)收為65.39萬(wàn)億韓元(約合586億美元),同比增長(zhǎng)18.2%,環(huán)比增長(zhǎng)6%,其中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的綜合營(yíng)收為19.01萬(wàn)億韓元。

  該公司表示,盡管內(nèi)存出貨量穩(wěn)定,但其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的利潤(rùn)環(huán)比下降,主要原因是其奧斯汀工廠的生產(chǎn)中斷,以及NAND價(jià)格的下降。與此同時(shí),與先進(jìn)節(jié)點(diǎn)遷移相關(guān)的新生產(chǎn)線增加的初始成本也對(duì)該公司業(yè)績(jī)?cè)斐闪擞绊憽?/p>

  


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