《電子技術(shù)應(yīng)用》
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ReRAM將如何影響未來的存儲格局?

2021-04-20
來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察
關(guān)鍵詞: ReRAM 存儲器

  存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一,已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來,人工智能、智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求,促使新型存儲器迅速發(fā)展,影響未來存儲器市場格局。

  我國正在大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè),除了在傳統(tǒng)存儲器上努力實(shí)現(xiàn)追趕,也在提前布局新型存儲器,這將是未來存儲產(chǎn)業(yè)生態(tài)的重要部分。

  新型存儲器究竟指什么,有哪些技術(shù)原理,競爭格局如何,未來發(fā)展前景會是怎樣?

  本期「云岫研究」,我們聚焦于新型存儲器中的阻變存儲器 (ReRAM或RRAM,Resistive RAM),并通過分析其技術(shù)、應(yīng)用場景與模式,得出如下判斷:

  1.萬物智聯(lián)時(shí)代,需要速度、功耗、容量等性能更強(qiáng)的新型存儲器;2.對比四大新型存儲器,ReRAM在密度、工藝制程、成本和良率上具備明顯優(yōu)勢;3.AIoT、智能汽車、數(shù)據(jù)中心、AI計(jì)算(存算一體)將是ReRAM的重要發(fā)展機(jī)遇;4.IDM模式是ReRAM廠商的最佳選擇;

  5.新型存儲器是中國實(shí)現(xiàn)存儲領(lǐng)域彎道超車的最佳機(jī)會。

  存儲器是半導(dǎo)體最大細(xì)分市場

  新型存儲器是未來選擇

  存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)和最大細(xì)分市場,約占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三分之一。智能時(shí)代的到來,將引起存儲行業(yè)的新一輪爆發(fā)。

  據(jù)YOLE統(tǒng)計(jì),2019年以來,存儲器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè),總體市場空間將從2019年的1110億美元增長至2025年的1850億美元,年復(fù)合增長率為9%。細(xì)分市場中,新型存儲器市場增速最快,將從5億美元增長到40億美元,年復(fù)合增長率達(dá)到42%,發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

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  圖1:全球存儲器市場規(guī)模及增速

 ?。ㄙY料來源:YOLE)

  存儲器可以按照斷電是否能保存數(shù)據(jù)分為兩類。

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  圖2:存儲器分類(云岫資本整理)

  第一類易失性存儲器是以動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)代表的易失性存儲器,二者均具備高讀寫速度。其中SRAM速度高于DRAM,但密度低于DRAM,這是因?yàn)橐粋€(gè)DRAM存儲單元僅需一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容,而每個(gè)SRAM單元需要四到六個(gè)晶體管。其共同的缺點(diǎn)是容量較低且成本高,一般分別用作主存和緩存。

  第二類非易失性存儲器包括以NOR FLASH和NAND FLASH為代表的傳統(tǒng)存儲器和四種新型存儲器。NOR FLASH的容量較小且寫入速度極低,但讀速較快,具備芯片內(nèi)執(zhí)行的特點(diǎn),適合低容量、快速隨機(jī)讀取訪問的場景;NAND FLASH的容量大成本較低,但讀寫速度極低,一般用于大容量的數(shù)據(jù)存儲。

  除FRAM以外的新型存儲器均是通過阻值高低變化實(shí)現(xiàn)“0”“1”數(shù)據(jù)存儲,四種新型存儲器均具備非易失性,斷電后仍可以保存數(shù)據(jù),相比傳統(tǒng)存儲器在讀寫速度、功耗、壽命等方面各有優(yōu)勢。

  存儲器的發(fā)展取決于應(yīng)用場景的變化。

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  圖3:存儲的過去、現(xiàn)在與未來

  ——場景應(yīng)用決定市場趨勢(云岫資本整理)

  20世紀(jì)70年代起,DRAM進(jìn)入商用市場,并以其極高的讀寫速度成為存儲領(lǐng)域最大分支市場;功能手機(jī)出現(xiàn)后,迎來NOR Flash市場的爆發(fā);進(jìn)入PC時(shí)代,人們對于存儲容量的需求越來越大,低成本、高容量的NAND Flash成為最佳選擇。

  智能化時(shí)代里,萬物智聯(lián),存儲行業(yè)市場空間將進(jìn)一步加大,對數(shù)據(jù)存儲在速度、功耗、容量、可靠性層面也將提出更高要求。而DRAM雖然速度快,但功耗大、容量低、成本高,且斷電無法保存數(shù)據(jù),使用場景受限;NOR Flash和NAND Flash讀寫速度低,存儲密度受限于工藝制程。市場亟待能夠滿足新場景的存儲器產(chǎn)品,性能有著突破性進(jìn)展的新型存儲器即將迎來爆發(fā)期。

  對比四種新型存儲器

  ReRAM在密度、工藝制程、成本和良率上

  具備明顯優(yōu)勢

  目前,新型存儲器主要有4種:

  相變存儲器(PCM),以Intel和Micron聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;鐵電存儲器(FeRAM),代表公司有Ramtron和Symetrix;磁性存儲器(MRAM),代表公司是美國Everspin;阻變存儲器(ReRAM),代表公司有松下、Crossbar和昕原半導(dǎo)體。

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  表1:4種新型存儲器參數(shù)對比

 ?。ㄙY料來源:Objective Analysis)

  1.相變存儲器(PCM或PCRAM,Phase-change RAM)PCM的原理是通過改變溫度,讓相變材料在低電阻結(jié)晶(導(dǎo)電)狀態(tài)與高電阻非結(jié)晶(非導(dǎo)電)狀態(tài)間轉(zhuǎn)換。

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  圖4:PCM原理(資料來源:Intel)

  PCM雖然讀寫速度比NAND Flash有所提高,但其RESET后的冷卻過程需要高熱導(dǎo)率,會帶來更高功耗,且由于其存儲原理是利用溫度實(shí)現(xiàn)相變材料的阻值變化,所以對溫度十分敏感,無法用在寬溫場景。其次,為了使相變材料兼容CMOS工藝,PCM必須采取多層結(jié)構(gòu),因此存儲密度過低,在容量上無法替代NAND Flash。除此之外,成本和良率也是瓶頸之一。

  Intel和Samsung于2006年生產(chǎn)了第一款商用PCM芯片。2015年,Intel和Micron合作開發(fā)了名為3D XPoint的存儲技術(shù),該技術(shù)也是PCM的一種。2018年雙方結(jié)束了聯(lián)合開發(fā)工作,2021年3月,Micron宣布停止所有基于3D XPoint技術(shù)產(chǎn)品的進(jìn)一步開發(fā)。

  2.鐵電存儲器 (FRAM或FeRAM,F(xiàn)erroelectric RAM)FRAM并非使用鐵電材料,只是由于存儲機(jī)制類似鐵磁存儲的滯后行為,因此得名。FRAM晶體材料的電壓-電流關(guān)系具有可用于存儲的特征滯后回路。

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  圖5:FRAM原理(資料來源:Objective Analysis)

FRAM優(yōu)勢在于讀寫速度快、壽命良好,但其存儲單元基于雙晶體管,雙電阻器單元,單元尺寸至少是DRAM的兩倍,存儲密度受限,成本較高。并且它的讀取是破壞性的,每次讀取后必須通過后續(xù)寫入來抵消,以將該位的內(nèi)容恢復(fù)到其原始狀態(tài)。

  材料方面,目前鐵電晶體材料PZT(鋯鈦酸鉛)和SBT(鉭酸鍶鉍)都存在疲勞退化、污染環(huán)境等問題,尚未找到完美商業(yè)化的材料。

  目前,Ramtron(歸屬于Cypress)和Symetrix兩家公司正主導(dǎo)FRAM的開發(fā)。

  3.磁性存儲器 (MRAM,Magnetic RAM)

  目前主流的MRAM技術(shù)是STT MRAM,使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來讀取位單元,當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時(shí)為低電阻,當(dāng)磁性方向相反時(shí),電阻會變得很高。

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  圖6:MRAM原理

 ?。ㄙY料來源:Avalanche Technology)

  STT MRAM雖然性能較好,但臨界電流密度和功耗仍需進(jìn)一步降低,目前MRAM的存儲單元尺寸仍較大且不支持堆疊,工藝較為復(fù)雜,大規(guī)模制造難以保證均一性,存儲容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進(jìn)一步突破之前,MRAM產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域,以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域。

  商業(yè)上,Everspin與Global Foundries合作,UMC與Avalanche Technology合作,推廣STT-MRAM。

  4.阻變存儲器 (ReRAM或RRAM,Resistive RAM)阻變存儲器全稱是電阻式隨機(jī)存取存儲器,是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。ReRAM包括許多不同的技術(shù)類別,比如氧空缺存儲器(OxRAM,Oxygen Vacancy Memories)、導(dǎo)電橋存儲器 (CBRAM,Conductive Bridge Memories)、金屬離子存儲器(Metal Ion Memories)以及納米碳管 (Carbon Nano-tubes)。

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  圖7:ReRAM原理

 ?。ㄙY料來源:Objective Analysis)

  ReRAM的單元面積極小,可做到4F?,讀寫速度是NAND FLASH的1000倍,同時(shí)功耗下降15倍。

  ReRAM工藝也更為簡單。以Crossbar和昕原半導(dǎo)體為例,其采用對CMOS友善的材料,能夠使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝與設(shè)備,對產(chǎn)線無污染,整體制造成本低,可以很容易地讓半導(dǎo)體代工廠具備ReRAM的生產(chǎn)制造能力,這對于量產(chǎn)和商業(yè)化推動有很大優(yōu)勢。

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  圖8:Crossbar的電阻切換機(jī)制和新型3D堆疊ReRAM(資料來源:Crossbar官網(wǎng))

  上圖是Crossbar的ReRAM結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),大致分為頂部電極,開關(guān)介質(zhì)和底部電極三層結(jié)構(gòu),其電阻切換機(jī)制是:兩個(gè)電極之間施加電壓時(shí),切換材料中將形成納米細(xì)絲,通過細(xì)絲連接上下兩個(gè)電極,改變轉(zhuǎn)換層的電阻,細(xì)絲相連代表存儲值“1”,細(xì)絲斷裂代表存儲值“0”。

  由于電阻切換機(jī)制基于金屬導(dǎo)絲,因此Crossbar ReRAM單元非常穩(wěn)定,能夠承受從-40°C到125°C的溫度波動,寫周期為1M +,在85°C的溫度下可保存10年。

  從密度、能效比、成本、工藝制程和良率各方面綜合衡量,ReRAM存儲器在目前已有的新型存儲器中具備明顯優(yōu)勢。

  ReRAM國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀

  在商業(yè)化上,Crossbar、昕原半導(dǎo)體、松下、Adesto、Elpida、東芝、索尼、美光、海力士、富士通等廠商都在開展ReRAM的研究和生產(chǎn),其中專注IP授權(quán)的Crossbar對于ReRAM的基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)走在了前列。

  Crossbar研發(fā)了兩種存儲架構(gòu)——1T1R和3D堆疊式架構(gòu),3D堆疊技術(shù)可實(shí)現(xiàn)存儲級內(nèi)存,內(nèi)置選擇器允許多種存儲陣列配置,單個(gè)晶體管可以驅(qū)動數(shù)千個(gè)存儲單元,可以組織成超密集的3D交叉點(diǎn)陣列,可堆疊并能夠擴(kuò)展到10nm以下,從而為單個(gè)裸片上的TB級存儲鋪平了道路。

  在代工廠方面,中芯國際(SMIC)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)都已經(jīng)將ReRAM納入自己未來的發(fā)展版圖中。

  根據(jù)公開信息,已量產(chǎn)的海外ReRAM存儲器主要有Adesto的130nm CBRAM和松下的180nm ReRAM。松下(Panasonic)在2013年開始出貨ReRAM,成為了世界第一家出貨ReRAM的公司。接著,松下與富士通聯(lián)合推出了第二代ReRAM技術(shù),基于180nm工藝。而Adesto 一直在緩慢地出貨低密度 CBRAM。

  國內(nèi),昕原半導(dǎo)體在Crossbar的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了技術(shù)核心升級和工藝制程的改進(jìn),實(shí)現(xiàn)28nm量產(chǎn),并且已建成自己的首條量產(chǎn)線,擁有了垂直一體化存儲器設(shè)計(jì)加制造的能力。兆易創(chuàng)新和Rambus宣布合作建立合資企業(yè)合肥睿科微(Reliance Memory),進(jìn)行ReRAM技術(shù)的商業(yè)化,但目前還無量產(chǎn)消息。

  ReRAM迎來四大發(fā)展機(jī)遇:

  AIoT、智能汽車、數(shù)據(jù)中心、AI計(jì)算

  1.AIoT

  AIoT指人工智能技術(shù)與物聯(lián)網(wǎng)在實(shí)際應(yīng)用中的落地融合。根據(jù)艾瑞咨詢數(shù)據(jù),2019 年中國 AIoT 產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值為3808 億元,預(yù)計(jì)2022年將達(dá)7509億元,年復(fù)合增長率達(dá)25.4%。

  AIoT需要數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)交互,因此不僅要求存儲器低功耗,也需要高讀寫和低延遲。目前的NOR Flash存儲密度低、容量小、功耗高,無法實(shí)現(xiàn)高寫入速度。而ReRAM在保證讀性能的情況下,寫入速度可提升1000倍,同時(shí)可實(shí)現(xiàn)更高存儲密度和十分低的功耗,未來將會是取代NOR Flash成為萬物智聯(lián)時(shí)代存儲器的最佳選擇。

  隨著人與物交互信息越來越多,很多私人信息會被存儲記錄,物聯(lián)網(wǎng)在帶來生活便利的同時(shí),也帶來了潛在的數(shù)據(jù)安全隱患,針對物聯(lián)網(wǎng)的攻擊甚至可以通過設(shè)備傳遞到現(xiàn)實(shí)生活中帶來難以想象的破壞。AIoT應(yīng)用越來越多要求具備安全屬性。然而,目前普遍的安全芯片+Nor Flash方案存在成本高、空間受限等痛點(diǎn)。PUF(Physically Unclonable Function,物理不可克隆函數(shù))+新型存儲器芯片有望成為解決智能設(shè)備存儲與安全問題的主流方案。

  PUF是一種利用芯片在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的工藝波動性來生成芯片唯一函數(shù),能夠做到一芯一密,可稱之為“芯片指紋”。目前,昕原半導(dǎo)體設(shè)計(jì)了基于ReRAM存儲器的PUF芯片,可以同時(shí)具備存儲加安全兩個(gè)功能。

  2.智能汽車

  汽車電子根據(jù)功能可分為車身控制系統(tǒng)(ECU)、安全系統(tǒng)、娛樂設(shè)備、底盤控制、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等,都需要半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)相關(guān)功能,包括存儲器、傳感器、光電器件、射頻器件、功率器件等。

  根據(jù)Counterpoint Research預(yù)測,未來單車存儲容量將達(dá)到2TB-11TB,一輛L4/L5級自動駕駛汽車至少需要74GB DRAM和1TB NAND。據(jù)IHS預(yù)測,全球汽車存儲IC市場規(guī)模2025年約為83億美元。

  智能汽車對存儲器的要求不僅在于溫度和可靠性??刂葡到y(tǒng)需要智能化實(shí)時(shí)決策;ADAS系統(tǒng)時(shí)刻產(chǎn)生大量圖像數(shù)據(jù);娛樂系統(tǒng)需要更加智能來提升用戶體驗(yàn);能耗對于智能汽車也是關(guān)鍵性因素……這些都要求存儲器具備大量的數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)吞吐能力,保證存儲穩(wěn)定性和高能效比。

  傳統(tǒng)的NOR Flash無法滿足未來智能汽車對讀寫速度(特別是XIP程序執(zhí)行效率)的要求;NAND Flash難以實(shí)現(xiàn)XIP片上的程序執(zhí)行并且極慢;DRAM和SRAM容量有限,斷電數(shù)據(jù)會丟失。新型存儲器中,ReRAM不僅滿足高讀寫速度和存儲密度的要求,同時(shí)延遲可降低1000倍,可滿足未來智能駕駛高實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)吞吐量。

  安全性方面,ReRAM具備寬溫和可靠性。未來有望出現(xiàn)高性能、高集成度、高穩(wěn)定性和低功耗的車規(guī)ReRAM存儲器。

  3.數(shù)據(jù)中心

  AI時(shí)代,數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長,越來越多的數(shù)據(jù)將在云端進(jìn)行處理,根據(jù)思科預(yù)測,2021年全球?qū)⒂?327EB數(shù)據(jù)存儲在數(shù)據(jù)中心,6年復(fù)合增長率率高達(dá)41%。根據(jù)《2019-2020年中國IDC產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報(bào)告》預(yù)測,2022年中國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模將超過3200億元。

  數(shù)據(jù)量的爆發(fā)催生對存儲器新的增量市場和性能要求,據(jù)SUMCO預(yù)測,數(shù)據(jù)中心對SSD存儲的需求將在2019年到2023年之間實(shí)現(xiàn)46%的復(fù)合增長。但目前數(shù)據(jù)中心存儲器性能發(fā)展速度無法跟上計(jì)算需求,并且功耗仍是數(shù)據(jù)中心成本最高的因素之一。

  傳統(tǒng)機(jī)械硬盤雖然壽命長成本低,但是讀寫速度極低且發(fā)熱和噪聲明顯。DRAM雖速度較快但為易失性存儲器,斷電無法保存數(shù)據(jù)且成本極高,無法作為大量存儲數(shù)據(jù)使用。而NAND讀寫速度仍較慢,另一方面功耗較高,性能和容量與工藝制程強(qiáng)相關(guān)?,F(xiàn)有存儲器無法跟上未來對數(shù)據(jù)高讀寫速度,低延遲,低功耗的需求。

  ReRAM相較NAND可提升100倍的讀寫性能,同時(shí)保持更低的功耗和高存儲密度,有望解決未來數(shù)據(jù)中心高能效比,低延遲的需求,實(shí)現(xiàn)更高性能的AI數(shù)據(jù)中心。

  4.AI計(jì)算(存算一體)

  人工智能是目前技術(shù)發(fā)展的重要趨勢,根據(jù)沙利文咨詢數(shù)據(jù),2016-2024年人工智能的年均增長率達(dá)到33.98%,預(yù)計(jì)2024年將超過6157億美元。而我國人工智能產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計(jì)2024年將逼近8000億元,約占全球總體產(chǎn)業(yè)規(guī)模的20%,復(fù)合增長率達(dá)到48.97%,大大超過全球平均水平。

  算力、算法、數(shù)據(jù)量是人工智能發(fā)展的三大基礎(chǔ)要素,它們決定了AI計(jì)算的性能,這其中的兩點(diǎn)都與存儲相關(guān):數(shù)據(jù)由存儲器承載,數(shù)據(jù)量決定了AI計(jì)算模型的準(zhǔn)確度;算力方面,未來對芯片計(jì)算性能和延遲性都提出了更高要求。

  目前的馮諾依曼架構(gòu),存儲單元和計(jì)算單元獨(dú)立分開,搬移數(shù)據(jù)的過程需要消耗大量時(shí)間和能量,并且由于處理器和存儲器的工藝路線不同,存儲器的數(shù)據(jù)訪問速度難以跟上CPU的數(shù)據(jù)處理速度,性能已遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于處理器。所以,馮諾依曼架構(gòu)在數(shù)據(jù)處理速度和能效比等方面存在天然限制,這被稱為“存儲墻”。

  存算一體架構(gòu)通過將存儲單元和計(jì)算單元融為一體,消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗,可以突破“存儲墻”,實(shí)現(xiàn)更高的算力和更高的能效比。

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  圖9:存算一體突破存儲墻(云岫資本整理)

  目前存算一體有兩種實(shí)現(xiàn)方式,第一種是基于易失性存儲器DRAM和SRAM,但由于存儲器制造工藝和邏輯計(jì)算單元的制造工藝不同,無法實(shí)現(xiàn)良好的融合,目前只能實(shí)現(xiàn)近存計(jì)算,仍存在存儲墻問題,甚至因?yàn)榛ミB問題可能還會帶來性能損失。并且,因?yàn)镾RAM和DRAM是易失性存儲器,需要持續(xù)供電來保存數(shù)據(jù),仍存在功耗和可靠性的問題。

  第二種是結(jié)合非易失性新型存儲器,可以利用歐姆定律和基爾霍夫定律在陣列內(nèi)完成矩陣乘法運(yùn)算,而無需向芯片內(nèi)移入和移出權(quán)重。新型存儲器是通過阻值變化來存儲數(shù)據(jù),而存儲器加載的電壓等于電阻和電流的乘積,相當(dāng)于每個(gè)單元可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)乘法運(yùn)算,再匯總相加便可以實(shí)現(xiàn)矩陣乘法,所以新型存儲器天然具備存儲和計(jì)算的屬性。在這種情況下,同一單元就可以完成數(shù)據(jù)存儲和計(jì)算,消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗,是真正意義上的存算一體。

  新型存儲器中,ReRAM具有高集成密度、高開關(guān)比、高計(jì)算精度、高能效比和制造兼容CMOS工藝等優(yōu)良特性,被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)存算一體的最佳選擇之一。

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  圖10:新型存儲器實(shí)現(xiàn)存算一體

  (Nature Nanotechnology)

  IDM模式是ReRAM廠商的最佳選擇

  存儲行業(yè)中,純芯片設(shè)計(jì)公司難以擺脫對代工廠的依賴,不僅生產(chǎn)周期長、成本高,而且無法根據(jù)生產(chǎn)工藝做出適配性設(shè)計(jì);而純代工企業(yè)利潤較低無法享受更多新技術(shù)紅利。因此,目前世界前十大半導(dǎo)體公司中的4家存儲公司,全部為IDM模式,擁有存儲芯片設(shè)計(jì)加制造的全套能力。

  對于以ReRAM為代表的新型存儲器而言,IDM模式不僅工藝和產(chǎn)能自主可控,同時(shí)可以不斷進(jìn)行迭代優(yōu)化,通過高良率和高性能迅速筑起行業(yè)壁壘,是存儲器行業(yè)發(fā)展最佳的商業(yè)模式。

  新型存儲器是

  中國實(shí)現(xiàn)存儲領(lǐng)域彎道超車的最佳機(jī)會

  目前中國存儲器市場國產(chǎn)化率極低,傳統(tǒng)存儲器先進(jìn)技術(shù)均掌握在美國、韓國和日本手中,中國在最新產(chǎn)品性能上落后5-10年。三星、海力士和美光壟斷了以DRAM為代表的易失性存儲器市場,而以NAND為代表的非易失性存儲器也被三星、鎧俠、閃迪、美光和海力士壟斷。

  而在ReRAM等新型存儲器的發(fā)展上,中國與其他國家站在同一起跑線,都有機(jī)會出現(xiàn)下一個(gè)三星和海力士。

  在這中國存儲產(chǎn)業(yè)突圍的關(guān)鍵時(shí)期,一系列相關(guān)政策陸續(xù)出臺,重點(diǎn)支持存儲行業(yè)。

  國家“十四五”規(guī)劃綱要中,在加強(qiáng)原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)方面,“先進(jìn)存儲技術(shù)升級”被列入“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”重點(diǎn)領(lǐng)域;在加快推動數(shù)字產(chǎn)業(yè)化方面,《綱要》提到,培育壯大人工智能、大數(shù)據(jù)、區(qū)塊鏈、云計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)安全等新興數(shù)字產(chǎn)業(yè),提升通信設(shè)備、核心電子元器件、關(guān)鍵軟件等產(chǎn)業(yè)水平。

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  圖11:“十四五”規(guī)劃綱要

  專欄2 科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)

  2021年3月,臨港新片區(qū)發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)規(guī)劃(2021-2025),提到要“在阻變存儲器(ReRAM)等新興領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)增量發(fā)展”。

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  圖12:節(jié)選自

  《臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)規(guī)劃(2021-2025)》

  目前,很多曾在世界頂尖企業(yè)擔(dān)任高管的產(chǎn)業(yè)專家紛紛回國創(chuàng)業(yè),不僅帶來了先進(jìn)技術(shù)和經(jīng)驗(yàn),也吸引了一批有志之士共同打造中國芯。天時(shí)地利人和之下,中國新型存儲器未來可期!



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