存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯(lián)時代的到來，人工智能、智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來存儲器市場格局。

　　我國正在大力發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)，除了在傳統(tǒng)存儲器上努力實現(xiàn)追趕，也在提前布局新型存儲器，這將是未來存儲產(chǎn)業(yè)生態(tài)的重要部分。

　　新型存儲器究竟指什么，有哪些技術(shù)原理，競爭格局如何，未來發(fā)展前景會是怎樣？

　　本期「云岫研究」，我們聚焦于新型存儲器中的阻變存儲器 （ReRAM或RRAM，Resistive RAM），并通過分析其技術(shù)、應(yīng)用場景與模式，得出如下判斷：

　　1.萬物智聯(lián)時代，需要速度、功耗、容量等性能更強(qiáng)的新型存儲器；2.對比四大新型存儲器，ReRAM在密度、工藝制程、成本和良率上具備明顯優(yōu)勢；3.AIoT、智能汽車、數(shù)據(jù)中心、AI計算（存算一體）將是ReRAM的重要發(fā)展機(jī)遇；4.IDM模式是ReRAM廠商的最佳選擇；

　　5.新型存儲器是中國實現(xiàn)存儲領(lǐng)域彎道超車的最佳機(jī)會。

　　存儲器是半導(dǎo)體最大細(xì)分市場

　　新型存儲器是未來選擇

　　存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)和最大細(xì)分市場，約占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三分之一。智能時代的到來，將引起存儲行業(yè)的新一輪爆發(fā)。

　　據(jù)YOLE統(tǒng)計，2019年以來，存儲器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場空間將從2019年的1110億美元增長至2025年的1850億美元，年復(fù)合增長率為9%。細(xì)分市場中，新型存儲器市場增速最快，將從5億美元增長到40億美元，年復(fù)合增長率達(dá)到42%，發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

　　圖1：全球存儲器市場規(guī)模及增速

　?。ㄙY料來源：YOLE）

　　存儲器可以按照斷電是否能保存數(shù)據(jù)分為兩類。

　　圖2：存儲器分類（云岫資本整理）

　　第一類易失性存儲器是以動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）代表的易失性存儲器，二者均具備高讀寫速度。其中SRAM速度高于DRAM，但密度低于DRAM，這是因為一個DRAM存儲單元僅需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管。其共同的缺點是容量較低且成本高，一般分別用作主存和緩存。

　　第二類非易失性存儲器包括以NOR FLASH和NAND FLASH為代表的傳統(tǒng)存儲器和四種新型存儲器。NOR FLASH的容量較小且寫入速度極低，但讀速較快，具備芯片內(nèi)執(zhí)行的特點，適合低容量、快速隨機(jī)讀取訪問的場景；NAND FLASH的容量大成本較低，但讀寫速度極低，一般用于大容量的數(shù)據(jù)存儲。

　　除FRAM以外的新型存儲器均是通過阻值高低變化實現(xiàn)“0”“1”數(shù)據(jù)存儲，四種新型存儲器均具備非易失性，斷電后仍可以保存數(shù)據(jù)，相比傳統(tǒng)存儲器在讀寫速度、功耗、壽命等方面各有優(yōu)勢。

　　存儲器的發(fā)展取決于應(yīng)用場景的變化。

　　圖3：存儲的過去、現(xiàn)在與未來

　　——場景應(yīng)用決定市場趨勢（云岫資本整理）

　　20世紀(jì)70年代起，DRAM進(jìn)入商用市場，并以其極高的讀寫速度成為存儲領(lǐng)域最大分支市場；功能手機(jī)出現(xiàn)后，迎來NOR Flash市場的爆發(fā)；進(jìn)入PC時代，人們對于存儲容量的需求越來越大，低成本、高容量的NAND Flash成為最佳選擇。

　　智能化時代里，萬物智聯(lián)，存儲行業(yè)市場空間將進(jìn)一步加大，對數(shù)據(jù)存儲在速度、功耗、容量、可靠性層面也將提出更高要求。而DRAM雖然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且斷電無法保存數(shù)據(jù)，使用場景受限；NOR Flash和NAND Flash讀寫速度低，存儲密度受限于工藝制程。市場亟待能夠滿足新場景的存儲器產(chǎn)品，性能有著突破性進(jìn)展的新型存儲器即將迎來爆發(fā)期。

　　對比四種新型存儲器

　　ReRAM在密度、工藝制程、成本和良率上

　　具備明顯優(yōu)勢

　　目前，新型存儲器主要有4種：

　　相變存儲器（PCM），以Intel和Micron聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表；鐵電存儲器（FeRAM），代表公司有Ramtron和Symetrix；磁性存儲器（MRAM），代表公司是美國Everspin；阻變存儲器（ReRAM），代表公司有松下、Crossbar和昕原半導(dǎo)體。

　　表1：4種新型存儲器參數(shù)對比

　?。ㄙY料來源：Objective Analysis）

　　1.相變存儲器（PCM或PCRAM，Phase-change RAM）PCM的原理是通過改變溫度，讓相變材料在低電阻結(jié)晶（導(dǎo)電）狀態(tài)與高電阻非結(jié)晶（非導(dǎo)電）狀態(tài)間轉(zhuǎn)換。

　　圖4：PCM原理（資料來源：Intel）

　　PCM雖然讀寫速度比NAND Flash有所提高，但其RESET后的冷卻過程需要高熱導(dǎo)率，會帶來更高功耗，且由于其存儲原理是利用溫度實現(xiàn)相變材料的阻值變化，所以對溫度十分敏感，無法用在寬溫場景。其次，為了使相變材料兼容CMOS工藝，PCM必須采取多層結(jié)構(gòu)，因此存儲密度過低，在容量上無法替代NAND Flash。除此之外，成本和良率也是瓶頸之一。

　　Intel和Samsung于2006年生產(chǎn)了第一款商用PCM芯片。2015年，Intel和Micron合作開發(fā)了名為3D XPoint的存儲技術(shù)，該技術(shù)也是PCM的一種。2018年雙方結(jié)束了聯(lián)合開發(fā)工作，2021年3月，Micron宣布停止所有基于3D XPoint技術(shù)產(chǎn)品的進(jìn)一步開發(fā)。

　　2.鐵電存儲器 （FRAM或FeRAM，F(xiàn)erroelectric RAM）FRAM并非使用鐵電材料，只是由于存儲機(jī)制類似鐵磁存儲的滯后行為，因此得名。FRAM晶體材料的電壓-電流關(guān)系具有可用于存儲的特征滯后回路。

　　圖5：FRAM原理（資料來源：Objective Analysis）

FRAM優(yōu)勢在于讀寫速度快、壽命良好，但其存儲單元基于雙晶體管，雙電阻器單元，單元尺寸至少是DRAM的兩倍，存儲密度受限，成本較高。并且它的讀取是破壞性的，每次讀取后必須通過后續(xù)寫入來抵消，以將該位的內(nèi)容恢復(fù)到其原始狀態(tài)。

　　材料方面，目前鐵電晶體材料PZT（鋯鈦酸鉛）和SBT（鉭酸鍶鉍）都存在疲勞退化、污染環(huán)境等問題，尚未找到完美商業(yè)化的材料。

　　目前，Ramtron（歸屬于Cypress）和Symetrix兩家公司正主導(dǎo)FRAM的開發(fā)。

　　3.磁性存儲器 （MRAM，Magnetic RAM）

　　目前主流的MRAM技術(shù)是STT MRAM，使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來讀取位單元，當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時為低電阻，當(dāng)磁性方向相反時，電阻會變得很高。

　　圖6：MRAM原理

　?。ㄙY料來源：Avalanche Technology）

　　STT MRAM雖然性能較好，但臨界電流密度和功耗仍需進(jìn)一步降低，目前MRAM的存儲單元尺寸仍較大且不支持堆疊，工藝較為復(fù)雜，大規(guī)模制造難以保證均一性，存儲容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進(jìn)一步突破之前，MRAM產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域，以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域。

　　商業(yè)上，Everspin與Global Foundries合作，UMC與Avalanche Technology合作，推廣STT-MRAM。

　　4.阻變存儲器 （ReRAM或RRAM，Resistive RAM）阻變存儲器全稱是電阻式隨機(jī)存取存儲器，是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場作用下，在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲器。ReRAM包括許多不同的技術(shù)類別，比如氧空缺存儲器（OxRAM，Oxygen Vacancy Memories）、導(dǎo)電橋存儲器 （CBRAM，Conductive Bridge Memories）、金屬離子存儲器（Metal Ion Memories）以及納米碳管 （Carbon Nano-tubes）。

　　圖7：ReRAM原理

　?。ㄙY料來源：Objective Analysis）

　　ReRAM的單元面積極小，可做到4F?，讀寫速度是NAND FLASH的1000倍，同時功耗下降15倍。

　　ReRAM工藝也更為簡單。以Crossbar和昕原半導(dǎo)體為例，其采用對CMOS友善的材料，能夠使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝與設(shè)備，對產(chǎn)線無污染，整體制造成本低，可以很容易地讓半導(dǎo)體代工廠具備ReRAM的生產(chǎn)制造能力，這對于量產(chǎn)和商業(yè)化推動有很大優(yōu)勢。

　　圖8：Crossbar的電阻切換機(jī)制和新型3D堆疊ReRAM（資料來源：Crossbar官網(wǎng)）

　　上圖是Crossbar的ReRAM結(jié)構(gòu)設(shè)計，大致分為頂部電極，開關(guān)介質(zhì)和底部電極三層結(jié)構(gòu)，其電阻切換機(jī)制是：兩個電極之間施加電壓時，切換材料中將形成納米細(xì)絲，通過細(xì)絲連接上下兩個電極，改變轉(zhuǎn)換層的電阻，細(xì)絲相連代表存儲值“1”，細(xì)絲斷裂代表存儲值“0”。

　　由于電阻切換機(jī)制基于金屬導(dǎo)絲，因此Crossbar ReRAM單元非常穩(wěn)定，能夠承受從-40°C到125°C的溫度波動，寫周期為1M +，在85°C的溫度下可保存10年。

　　從密度、能效比、成本、工藝制程和良率各方面綜合衡量，ReRAM存儲器在目前已有的新型存儲器中具備明顯優(yōu)勢。

　　ReRAM國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀

　　在商業(yè)化上，Crossbar、昕原半導(dǎo)體、松下、Adesto、Elpida、東芝、索尼、美光、海力士、富士通等廠商都在開展ReRAM的研究和生產(chǎn)，其中專注IP授權(quán)的Crossbar對于ReRAM的基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)走在了前列。

　　Crossbar研發(fā)了兩種存儲架構(gòu)——1T1R和3D堆疊式架構(gòu)，3D堆疊技術(shù)可實現(xiàn)存儲級內(nèi)存，內(nèi)置選擇器允許多種存儲陣列配置，單個晶體管可以驅(qū)動數(shù)千個存儲單元，可以組織成超密集的3D交叉點陣列，可堆疊并能夠擴(kuò)展到10nm以下，從而為單個裸片上的TB級存儲鋪平了道路。

　　在代工廠方面，中芯國際（SMIC）、臺積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）都已經(jīng)將ReRAM納入自己未來的發(fā)展版圖中。

　　根據(jù)公開信息，已量產(chǎn)的海外ReRAM存儲器主要有Adesto的130nm CBRAM和松下的180nm ReRAM。松下（Panasonic）在2013年開始出貨ReRAM，成為了世界第一家出貨ReRAM的公司。接著，松下與富士通聯(lián)合推出了第二代ReRAM技術(shù)，基于180nm工藝。而Adesto 一直在緩慢地出貨低密度 CBRAM。

　　國內(nèi)，昕原半導(dǎo)體在Crossbar的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了技術(shù)核心升級和工藝制程的改進(jìn)，實現(xiàn)28nm量產(chǎn)，并且已建成自己的首條量產(chǎn)線，擁有了垂直一體化存儲器設(shè)計加制造的能力。兆易創(chuàng)新和Rambus宣布合作建立合資企業(yè)合肥?？莆ⅲ≧eliance Memory），進(jìn)行ReRAM技術(shù)的商業(yè)化，但目前還無量產(chǎn)消息。

　　ReRAM迎來四大發(fā)展機(jī)遇：

　　AIoT、智能汽車、數(shù)據(jù)中心、AI計算

　　1.AIoT

　　AIoT指人工智能技術(shù)與物聯(lián)網(wǎng)在實際應(yīng)用中的落地融合。根據(jù)艾瑞咨詢數(shù)據(jù)，2019 年中國 AIoT 產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值為3808 億元，預(yù)計2022年將達(dá)7509億元，年復(fù)合增長率達(dá)25.4%。

　　AIoT需要數(shù)據(jù)的實時交互，因此不僅要求存儲器低功耗，也需要高讀寫和低延遲。目前的NOR Flash存儲密度低、容量小、功耗高，無法實現(xiàn)高寫入速度。而ReRAM在保證讀性能的情況下，寫入速度可提升1000倍，同時可實現(xiàn)更高存儲密度和十分低的功耗，未來將會是取代NOR Flash成為萬物智聯(lián)時代存儲器的最佳選擇。

　　隨著人與物交互信息越來越多，很多私人信息會被存儲記錄，物聯(lián)網(wǎng)在帶來生活便利的同時，也帶來了潛在的數(shù)據(jù)安全隱患，針對物聯(lián)網(wǎng)的攻擊甚至可以通過設(shè)備傳遞到現(xiàn)實生活中帶來難以想象的破壞。AIoT應(yīng)用越來越多要求具備安全屬性。然而，目前普遍的安全芯片+Nor Flash方案存在成本高、空間受限等痛點。PUF（Physically Unclonable Function，物理不可克隆函數(shù)）+新型存儲器芯片有望成為解決智能設(shè)備存儲與安全問題的主流方案。

　　PUF是一種利用芯片在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的工藝波動性來生成芯片唯一函數(shù)，能夠做到一芯一密，可稱之為“芯片指紋”。目前，昕原半導(dǎo)體設(shè)計了基于ReRAM存儲器的PUF芯片，可以同時具備存儲加安全兩個功能。

　　2.智能汽車

　　汽車電子根據(jù)功能可分為車身控制系統(tǒng)（ECU）、安全系統(tǒng)、娛樂設(shè)備、底盤控制、高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等，都需要半導(dǎo)體器件實現(xiàn)相關(guān)功能，包括存儲器、傳感器、光電器件、射頻器件、功率器件等。

　　根據(jù)Counterpoint Research預(yù)測，未來單車存儲容量將達(dá)到2TB-11TB，一輛L4/L5級自動駕駛汽車至少需要74GB DRAM和1TB NAND。據(jù)IHS預(yù)測，全球汽車存儲IC市場規(guī)模2025年約為83億美元。

　　智能汽車對存儲器的要求不僅在于溫度和可靠性?？刂葡到y(tǒng)需要智能化實時決策；ADAS系統(tǒng)時刻產(chǎn)生大量圖像數(shù)據(jù)；娛樂系統(tǒng)需要更加智能來提升用戶體驗；能耗對于智能汽車也是關(guān)鍵性因素……這些都要求存儲器具備大量的數(shù)據(jù)實時吞吐能力，保證存儲穩(wěn)定性和高能效比。

　　傳統(tǒng)的NOR Flash無法滿足未來智能汽車對讀寫速度（特別是XIP程序執(zhí)行效率）的要求；NAND Flash難以實現(xiàn)XIP片上的程序執(zhí)行并且極慢；DRAM和SRAM容量有限，斷電數(shù)據(jù)會丟失。新型存儲器中，ReRAM不僅滿足高讀寫速度和存儲密度的要求，同時延遲可降低1000倍，可滿足未來智能駕駛高實時數(shù)據(jù)吞吐量。

　　安全性方面，ReRAM具備寬溫和可靠性。未來有望出現(xiàn)高性能、高集成度、高穩(wěn)定性和低功耗的車規(guī)ReRAM存儲器。

　　3.數(shù)據(jù)中心

　　AI時代，數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，越來越多的數(shù)據(jù)將在云端進(jìn)行處理，根據(jù)思科預(yù)測，2021年全球?qū)⒂?327EB數(shù)據(jù)存儲在數(shù)據(jù)中心，6年復(fù)合增長率率高達(dá)41%。根據(jù)《2019-2020年中國IDC產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報告》預(yù)測，2022年中國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模將超過3200億元。

　　數(shù)據(jù)量的爆發(fā)催生對存儲器新的增量市場和性能要求，據(jù)SUMCO預(yù)測，數(shù)據(jù)中心對SSD存儲的需求將在2019年到2023年之間實現(xiàn)46%的復(fù)合增長。但目前數(shù)據(jù)中心存儲器性能發(fā)展速度無法跟上計算需求，并且功耗仍是數(shù)據(jù)中心成本最高的因素之一。

　　傳統(tǒng)機(jī)械硬盤雖然壽命長成本低，但是讀寫速度極低且發(fā)熱和噪聲明顯。DRAM雖速度較快但為易失性存儲器，斷電無法保存數(shù)據(jù)且成本極高，無法作為大量存儲數(shù)據(jù)使用。而NAND讀寫速度仍較慢，另一方面功耗較高，性能和容量與工藝制程強(qiáng)相關(guān)?，F(xiàn)有存儲器無法跟上未來對數(shù)據(jù)高讀寫速度，低延遲，低功耗的需求。

　　ReRAM相較NAND可提升100倍的讀寫性能，同時保持更低的功耗和高存儲密度，有望解決未來數(shù)據(jù)中心高能效比，低延遲的需求，實現(xiàn)更高性能的AI數(shù)據(jù)中心。

　　4.AI計算（存算一體）

　　人工智能是目前技術(shù)發(fā)展的重要趨勢，根據(jù)沙利文咨詢數(shù)據(jù)，2016-2024年人工智能的年均增長率達(dá)到33.98%，預(yù)計2024年將超過6157億美元。而我國人工智能產(chǎn)業(yè)規(guī)模預(yù)計2024年將逼近8000億元，約占全球總體產(chǎn)業(yè)規(guī)模的20%，復(fù)合增長率達(dá)到48.97%，大大超過全球平均水平。

　　算力、算法、數(shù)據(jù)量是人工智能發(fā)展的三大基礎(chǔ)要素，它們決定了AI計算的性能，這其中的兩點都與存儲相關(guān)：數(shù)據(jù)由存儲器承載，數(shù)據(jù)量決定了AI計算模型的準(zhǔn)確度；算力方面，未來對芯片計算性能和延遲性都提出了更高要求。

　　目前的馮諾依曼架構(gòu)，存儲單元和計算單元獨立分開，搬移數(shù)據(jù)的過程需要消耗大量時間和能量，并且由于處理器和存儲器的工藝路線不同，存儲器的數(shù)據(jù)訪問速度難以跟上CPU的數(shù)據(jù)處理速度，性能已遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于處理器。所以，馮諾依曼架構(gòu)在數(shù)據(jù)處理速度和能效比等方面存在天然限制，這被稱為“存儲墻”。

　　存算一體架構(gòu)通過將存儲單元和計算單元融為一體，消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗，可以突破“存儲墻”，實現(xiàn)更高的算力和更高的能效比。

　　圖9：存算一體突破存儲墻（云岫資本整理）

　　目前存算一體有兩種實現(xiàn)方式，第一種是基于易失性存儲器DRAM和SRAM，但由于存儲器制造工藝和邏輯計算單元的制造工藝不同，無法實現(xiàn)良好的融合，目前只能實現(xiàn)近存計算，仍存在存儲墻問題，甚至因為互連問題可能還會帶來性能損失。并且，因為SRAM和DRAM是易失性存儲器，需要持續(xù)供電來保存數(shù)據(jù)，仍存在功耗和可靠性的問題。

　　第二種是結(jié)合非易失性新型存儲器，可以利用歐姆定律和基爾霍夫定律在陣列內(nèi)完成矩陣乘法運算，而無需向芯片內(nèi)移入和移出權(quán)重。新型存儲器是通過阻值變化來存儲數(shù)據(jù)，而存儲器加載的電壓等于電阻和電流的乘積，相當(dāng)于每個單元可以實現(xiàn)一個乘法運算，再匯總相加便可以實現(xiàn)矩陣乘法，所以新型存儲器天然具備存儲和計算的屬性。在這種情況下，同一單元就可以完成數(shù)據(jù)存儲和計算，消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗，是真正意義上的存算一體。

　　新型存儲器中，ReRAM具有高集成密度、高開關(guān)比、高計算精度、高能效比和制造兼容CMOS工藝等優(yōu)良特性，被認(rèn)為是實現(xiàn)存算一體的最佳選擇之一。

　　圖10：新型存儲器實現(xiàn)存算一體

　?。∟ature Nanotechnology）

　　IDM模式是ReRAM廠商的最佳選擇

　　存儲行業(yè)中，純芯片設(shè)計公司難以擺脫對代工廠的依賴，不僅生產(chǎn)周期長、成本高，而且無法根據(jù)生產(chǎn)工藝做出適配性設(shè)計；而純代工企業(yè)利潤較低無法享受更多新技術(shù)紅利。因此，目前世界前十大半導(dǎo)體公司中的4家存儲公司，全部為IDM模式，擁有存儲芯片設(shè)計加制造的全套能力。

　　對于以ReRAM為代表的新型存儲器而言，IDM模式不僅工藝和產(chǎn)能自主可控，同時可以不斷進(jìn)行迭代優(yōu)化，通過高良率和高性能迅速筑起行業(yè)壁壘，是存儲器行業(yè)發(fā)展最佳的商業(yè)模式。

　　新型存儲器是

　　中國實現(xiàn)存儲領(lǐng)域彎道超車的最佳機(jī)會

　　目前中國存儲器市場國產(chǎn)化率極低，傳統(tǒng)存儲器先進(jìn)技術(shù)均掌握在美國、韓國和日本手中，中國在最新產(chǎn)品性能上落后5-10年。三星、海力士和美光壟斷了以DRAM為代表的易失性存儲器市場，而以NAND為代表的非易失性存儲器也被三星、鎧俠、閃迪、美光和海力士壟斷。

　　而在ReRAM等新型存儲器的發(fā)展上，中國與其他國家站在同一起跑線，都有機(jī)會出現(xiàn)下一個三星和海力士。

　　在這中國存儲產(chǎn)業(yè)突圍的關(guān)鍵時期，一系列相關(guān)政策陸續(xù)出臺，重點支持存儲行業(yè)。

　　國家“十四五”規(guī)劃綱要中，在加強(qiáng)原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)方面，“先進(jìn)存儲技術(shù)升級”被列入“科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)”重點領(lǐng)域；在加快推動數(shù)字產(chǎn)業(yè)化方面，《綱要》提到，培育壯大人工智能、大數(shù)據(jù)、區(qū)塊鏈、云計算、網(wǎng)絡(luò)安全等新興數(shù)字產(chǎn)業(yè)，提升通信設(shè)備、核心電子元器件、關(guān)鍵軟件等產(chǎn)業(yè)水平。

　　圖11：“十四五”規(guī)劃綱要

　　專欄2 科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)

　　2021年3月，臨港新片區(qū)發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2021-2025），提到要“在阻變存儲器（ReRAM）等新興領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)增量發(fā)展”。

　　圖12：節(jié)選自

　　《臨港新片區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)專項規(guī)劃（2021-2025）》

　　目前，很多曾在世界頂尖企業(yè)擔(dān)任高管的產(chǎn)業(yè)專家紛紛回國創(chuàng)業(yè)，不僅帶來了先進(jìn)技術(shù)和經(jīng)驗，也吸引了一批有志之士共同打造中國芯。天時地利人和之下，中國新型存儲器未來可期！