2021年4月14日，美國北卡羅萊納州達勒姆訊 –– 全球碳化硅技術領先企業(yè)科銳Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，Cree | Wolfspeed于近日推出四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件，進一步擴展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測和新興的無人機系統(tǒng)雷達等在內的脈沖和連續(xù)波 X-波段相控陣應用。 

通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技術，這些新型器件能夠在小型且行業(yè)標準封裝內提供高功率附加效率（PAE），從而助力設計人員能夠在更小型的系統(tǒng)中實現(xiàn)性能的最大化，且功耗更少。

Cree | Wolfspeed 負責 foundry 和航空航天業(yè)務的高級總監(jiān)Jim Milligan表示：“Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件為設計工程師提供了豐富的選項，適合要求在苛刻尺寸內實現(xiàn)高效率發(fā)射解決方案的系統(tǒng)，例如在有源相陣控雷達應用中所需要的那些。通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解決方案，將賦能實現(xiàn)關鍵射頻系統(tǒng)所要求的更小尺寸、更輕重量、更高功率（SWaP）、以及性能達到新的高度?！?span style="text-indent: 2em;"> 

豐富的 X-波段產品組合提供支持多級增益的解決方案，從而減少發(fā)射鏈路中所需要的器件數(shù)量。它們包括了不同的功率等級以優(yōu)化系統(tǒng)性能，并提供多種平臺以優(yōu)化系統(tǒng)架構。瀏覽表1，了解更多產品細節(jié)和性能數(shù)據。

新型的放大器，繼續(xù)擴大了產品組合。它們優(yōu)異的性能展現(xiàn)了Cree | Wolfspeed 數(shù)十年的 GaN-on-SiC 專業(yè)技術沉淀，助力支持航空航天等市場。同時這也體現(xiàn)了致力于開發(fā)出適用于廣泛射頻應用的創(chuàng)新型、業(yè)界領先的氮化鎵（GaN）解決方案的不懈追求。

表1 

備注：以上所列所有器件 ECCN均為3A001.b.2